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191.
安世武%王芬%朱建锋 《宇航材料工艺》2006,36(4):54-57
利用Al-Ti-TiO2体系原位反应合成了Nb掺杂Al2O3/TiAl复合材料。借助XRD和SEM研究了Nb掺杂Al2O3/TiAl的显微结构以及Nb引入量对复合材料显微结构的影响。结果表明,复合材料由TiAl、Ti3Al、Al2O3、Nb和NbAl3相构成,细小Al2O3颗粒分布于基体晶粒交界处,存在一定的团聚;Nb元素引入量的高低,可调节产物中TiAl和Ti3Al的相对含量,随Nb含量的增大,TiAl含量逐渐减少,Ti3Al则逐渐增大;同时,基体晶粒和Al2O3颗粒均有所细化,且分布逐渐均匀,材料的均匀性得到改善。 相似文献
192.
喷射沉积过程中显微组织的形成机制 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对沉积还纵剖面的组织分析,发现沉积坯在进缘、上下表面及中心部位的显微组织明显不同。边缘及上下表面区试样的退火试验研究表明,细小的枝晶碎块在高温退火过程中发生凝共和粗化,并导致近球状晶粒组织的形成。试验确定其生长服从:D2-D02=6.37×1020e(-70036.1/T)·τ,晶界迁移激活能Qg=582KJ/mol。并依赖于两种机制:(1)在喷射沉积过程中无强烈变形枝晶的均匀化;(2)变形及断裂枝晶的生长和粗化。 相似文献
193.
194.
Ti3Al—Nb基合金的焊接性研究进展 总被引:3,自引:2,他引:3
介绍了Ti3Al-Nb基金属间化合物合金焊接性的研究状况,重点评述了其物理和焊接冶金特点、主要焊接工艺下的焊接性和焊后热处理对接头显微组织和力学性能的影响,指出了需深入研究的问题。 相似文献
195.
开关点预置三相四线SPWM逆变器研究 总被引:6,自引:1,他引:6
脉宽调制型交直交变速恒频电源采用开关点预置SPWM逆变器,该逆变器由三相桥,交流滤波器,中点形成变压器及控制、驱动电路组成。绝缘栅双极性晶体管是一种新型的电力电子器件;应用该器件为功率器件,研制了一套15kVA开关点预置SPWM逆变器。由于对电路各个部分均进行了充分分析和优化设计,实际制作的逆变器具有较小的体积、重量,并具有优越的电性能。 相似文献
196.
彭东明 《航空精密制造技术》1993,(6)
在三坐标测量机系统误差各种补偿方法的分析基础上,着重分析研究了系统误差合成法的软件补偿方法;建立了系统误差的数学模型;展示了该方法在产品中的应用效果。文章最后提出了系统误差软件补偿方法的发展方向。 相似文献
197.
采用Ti-Zr-Cu-Ni在960℃/1min、960℃/10min和960℃/60min三种规范下真空钎焊Ti3Al/Ti3Al,在960℃/5min和960℃/20min两种规范下真空钎焊Ti3Al/GH536。实验结果表明,随着保温时间的延长,Ti3Al/Ti3Al接头宽度逐渐增加,且剪切强度呈现递增趋势,递增幅度在10MPa左右,接头主要由Ti3Al,NiTi2,CuTi3等化合物相组成,其中NiTi2,CuTi3等脆性化合物的分布对接头性能影响较大;在Ti3Al/GH536接头中由于Fe-Ti,Ni-Ti等脆性化合物分布相对较多,导致出现纵向裂纹,960℃/5min规范下的平均剪切强度为86.4MPa。 相似文献
198.
以Ti粉、Si粉和C粉为原料,利用高能球磨及热压工艺合成了TiC/Ti5Si3陶瓷复合材料。研究了工艺条件尤其是热压温度对合成产物相组成及微观结构的影响,并结合DSC、XRD和SEM对反应合成机理进行探讨。结果表明:通过优化合成工艺,高能球磨12 h,热压温度1 400℃时,烧结6 h得到了高纯度的TiC/Ti5Si3陶瓷复合材料;合成过程为:反应开始时发生Ti+C■TiC,反应ΔG=-167.72 kJ/mol。2 h时发生5TiC+8Si■Ti5Si3+5SiC,反应ΔG=-62.12 kJ/mol,当6 h时发生3SiC+8Ti■Ti5Si3+3TiC,反应ΔG=-697.8 kJ/mol。显微结构表明:TiC/Ti5Si3复合材料的合成过程伴随Si熔融,该材料以TiC-Si-Ti5Si3形式相结合,其中Si为黏结剂。 相似文献
199.
利用硅烷偶联剂对Al2O3颗粒进行表面改性,制备了Al2O3颗粒增强的TDE-85树脂基复合材料,研究了表面改性对其力学性能的影响,采用差热分析仪测定复合材料的固化反应温度,并计算了固化反应活化能。利用扫描电子显微镜分析了拉伸断口形貌。研究发现,当Al2O3用量为2wt%时,固化反应速度较快,硅烷偶联剂用量为4wt%时,冲击强度为13.2 kJ/m2;拉伸强度为65.2 MPa;弹性模量为2.66 GPa;最大伸长率为3.35%,此时对Al2O3颗粒的表面改性综合效果最好。 相似文献
200.