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991.
992.
高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响。结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC。温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓;SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加。处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降。1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂。C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由"尖笋状"成为"梭形"。 相似文献
993.
994.
利用3,6-双(1-氢-1,2,3,4-四唑-5-氨基)-1,2,4,5-四嗪(BTATz)和1,4-丁二胺,在DMSO中合成出了标题化合物。采用元素分析和红外光谱分析,测定了其结构。用DSC和TG/DTG热分析仪,对标题化合物进行了热分解行为及热分解动力学研究。结果表明,化合物的热分解过程只有一个放热阶段,该阶段的非等温热分解反应动力学方程的活化能和指前因子分别为92.95 kJ/mol和1016.58s-1。采用MicroDSCⅢ量热仪中的连续比定压热容测定模式,测定了化合物的比定压热容,比定压热容随温度呈现二次方关系,且298.15 K下的标准摩尔热容为443.22 J/(mol.K)。计算得到化合物的自加速分解温度(TSADT)、热爆炸临界温度(Tb)和绝热至爆时间分别为521.55、536.73 K和36.97 s。 相似文献
995.
混沌码用作测控扩频码的可行性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了混沌码的基本特性,提出用混沌码作为测控扩频码的构想,并讨论了混沌码扩频测控体系构成,以及体系中的关键技术,从而论证混沌码扩频测控体制的可行性,研究表明混沌码比传统扩频码有更强的保密和抗多址干扰特性。 相似文献
996.
基于TMS320C5402的温度监测及调节系统 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详细介绍了一种利用TI公司生产的16位定点DSP芯片TMS320C5402以及数字式温度传感器DS1820实现的温度监测及调节系统的硬件和软件实现方法.该系统以TMS320C5402为核心,配以检测电路、显示电路、报警电路、控制电路,从而实现智能温度监测及控制服务.由于系统硬件开销小,实时处理能力强,因此具有较高的应用价值. 相似文献
997.
998.
999.
反应气体配比对C/SiC复合材料ICVI工艺沉积性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响,提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明,当H2/MTS摩尔比在2-5之间时,可沉积出纯净均匀的碳化硅基体;而H2/MTS摩尔比小于1时,沉积物中含有大量自由碳。SEM分析表明,甲基三氯硅烷的浓度对沉积速率和沉积深度影响很大,随着甲基三氯硅烷的浓度减小,沉积深度增大,但甲基三氯硅烷的浓度减小引起沉积速率下降,沉积周期延长,确保护内反应气体流动畅通,可提高沉积的均匀性和沉积速率。 相似文献
1000.
钛合金板超塑性成形/扩散连接成形因素影响的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对超塑性成形与扩散连接(SPF/DB)成形原理和过程的讨论,以最优成形温度下的Ti-6AL-4V合金材料特性和超塑性成形气压加载理论优化结果为依据,利用Ansys有限元软件的建模和数值模拟,提取夹层板作为研究对象,建立模型和定义材料性能参数,定义接触和加载方式。 相似文献