带不同凹腔结构涡轮问燃烧室数值模拟

为了提高航空燃气涡轮发动机的推进效率和满足低排放的要求,提出了1种基于涡轮内补燃增推循环的超紧凑燃烧室──涡轮间燃烧室。建立了3种带不同轴向凹腔(AC)结构的TIB模型,比较了3种模型的流动性能和燃烧性能。计算结果表明:TIB的燃烧效率高达99.3%,AC结构的改变对燃烧效率影响较小,但对温度场分布影响较大。     

微量Al 掺杂对2D C/ SiC 性能的影响

以二维编织碳纤维碳布为预制体,采用聚铝碳硅烷(PACS)为聚合物前驱体,应用化学气相渗透(CVI)结合聚合物浸渗-裂解(PIP)工艺制备微量Al掺杂2D C/SiC复合材料。研究微量Al掺杂对C/SiC微观结构、力学、热膨胀和氧-乙炔焰烧蚀性能的影响。结果表明:掺杂微量Al未改变C/SiC的微观结构和热膨胀性能,也未降低其韧性和强度;但微量Al掺杂提高了C/SiC的抗烧蚀性能,含微量Al的SiC氧化形成微量Al熔于SiO2的固熔体,微量Al提高了SiO2的黏度和致密度,减小SiO2挥发,较未掺杂Al的C/SiC相比,线烧蚀率降低了26%。     

倾斜30°锥形喷孔气膜冷却的流动和传热实验研究

对流向倾角为３０°、锥顶角分别为１５°和３０°的锥形气膜冷却喷口射流下游的流动和传热进行了详细的实验研究，并与相同实验条件下圆孔的射流情形进行了比较，发现锥形喷口下游的速度边界层的等值线具有三种基本分布形态。随着锥形出口面积的增大，射流的穿透能力明显减弱，核心区域速度明显降低，侧向扩展范围明显增加，纵向耦合涡迅速减弱并消失，从而显著地提高了气膜冷却效率，尤其是提高了喷孔两侧流向下游位置上的冷却效率。同时，大锥顶角的高吹风比下，射流具有十分良好的贴壁效应和非常可观的冷却效率。     

Ti—60合金时效处理时初生α相的长大

对Ｔｉ－５．６Ａｌ－４．８Ｓｎ－２Ｚｒ－１Ｍｏ－０．３２Ｓｉ－１Ｎｄ（ｗｔ％）高温钛合金（简称Ｔｉ－６０）１０１０℃／２ｈ－ＷＱ，７６０℃／２ｈ－ＡＣ热处理样品的分析表明，时效处理时，初生α相的晶界向β转变组织内部移动，形成弓出型晶界。淬火状态的相界以一列颗粒形式的残留物显示出来，残留物为富Ｓｉ－Ｚｒ析出物。同时还观察到被残留物阻碍的位错。     

涡轮叶栅叶型损失的数值模拟方法

给出了一个计算亚、跨音涡轮叶栅叶型损失的数值计算方法。主流采用时间推进有限体积法求解积分型欧拉方程,并采用了局部网格修正技术;附面层采用全隐格式求解有限差分方程;在叶栅出口与远后方均匀流之间进行了叶片尾迹与主流的掺混损失计算。算例表明本文的数值方法可准确地预测涡轮叶栅的叶型损失。     

断续 CBN 砂轮缓进给磨削 K417 航空叶片材料的研究

 全面比较了用Al2O3和CBN磨削K417铸造高温合金时的磨削效果，指出：Al2O3不适于高效磨削K417之类的航空难加工材料，而CBN是实现该材料高效深切磨削的有效工具。通过大量实验，验证了断续CBN砂轮缓进给磨削K417时的技术优势，解决了树脂结合剂应用于断续磨削时所遇到的新问题。分析显示出该技术具有很好的应用前景和极大的推广价值。     

“遄达”发动机的涡轮设计

与燃烧室一样，涡轮设计对于长寿命和低维修成本来说是极其重要的。随着涡轮进口温度的升高，涡轮部件需要改善冷却、材料和融热涂层。众所周知，罗尔斯·罗伊斯公司是气冷涡轮叶片的先驱者。早在1952年就最早试验过气冷涡轮叶片，1956年该公司的第一种锻造的气冷涡轮叶片投入生产。BRZll发动机系列从1992年的一22型采用简单冷却孔锻造叶片发展到1987年一524型采用多路回转冷却通道铸造定向凝固叶片，涡轮进口温度从1530K提高到1730K。“道达”892的涡轮设计是建立在RBZll的使用经验和当代三维气动、冷却和材料技术的基础上的，所有的转…     

PW2000“降温型”发动机的发展与设计特点

美国普惠公司为波音757客机研制的PW2037高涵道比涡扇发动机于1984年投入使用后，已被22家航空公司（包括上海航空公司）选用，目前已交付近900台，累积使用时间超过1200万小时。到1992年，它的可靠性指标（空中停车率、提前换发率）已趋稳定，即该发动机已进入成熟期（见图1）。目前它总的空中停车率为0．013次／1000小时，达到较先进的水平。1989年，普惠公司对PW2000系列发动机（PW2037是该系列的第一个型号）作过一些改进，例如：对高压第一级涡轮工作叶片进行了改进；高压涡轮叶片外封气环带采用了283陶瓷涂层；增加了高压第一级导…     

具有纳米结构的 VO_2 相变薄膜

采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４～５个数量级。并用ＸＲＤ，ＤＳＣ和ＴＧＡ法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处理，可获得带有空洞（ｖｏｉｄ）结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异