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911.
基于HEMT的单片微波集成放大器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2~3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求. 相似文献
912.
矩形斜口面天线辐射性能 总被引:3,自引:0,他引:3
矩形斜口面天线是把矩形波导管两个窄边同时渐削,宽边尺寸保持不变而形成的开口,口面位于无限大完全导电平面上,被矩形波导中主模H10模激励.简化分析了口面电场和磁场分量以及辐射场表达式,主瓣指向偏离侧射方向,即方向图主波瓣指向偏离口面法线和激励波导轴线.计算了主面方向图,给出了天线输入端电压驻波比(VSWR)随频率的变化曲线,发现VSWR与口面倾角有关,通过采用不同的倾角,可使其获得改善. 相似文献
913.
914.
915.
为了研究前缘下垂远场噪声特性,在北京航空航天大学D5风洞内开展前缘下垂增升构型远场噪声特性试验研究,并利用计算流体力学的方法补充提供增升构型附近流场信息。增升构型模型为前缘下垂搭配后缘襟翼,为了消除襟翼噪声干扰,后缘襟翼收起。研究表明,前缘下垂增升构型远场噪声频谱以宽频噪声为主。随着来流速度的增加,宽频幅值逐渐增加。其中,低频(200~400 Hz)宽频噪声幅值经过马赫数5次方归一化后吻合良好。随着迎角的增加,中高频宽频幅值变化不大,但是,低频宽频噪声幅值变化明显,先降低再增加。通过分析在不同迎角下,有效迎风面积、压力面DSM Dyneema布变形以及两者共同对远场噪声幅值的影响,发现远场低频宽频噪声幅值变化规律与模型附近流场变化有关。 相似文献
916.
基于雷诺平均Navier-Stokes方程和拼接网格技术,采用MUSCL-Roe格式和Spalart-Almaras一方程湍流模型,对第3届高升力构型性能预测会议提供的两组高升力标模进行了数值模拟,主要目的是确认本文计算方法模拟复杂高升力构型的能力。研究内容主要包括高升力构型网格生成技术、网格收敛性研究及气动特性数值模拟。通过与JAXA (Japan Aerospace eXploration Agency)提供的测压、测力试验结果的对比分析,表明,在失速迎角之前,数值模拟得到的气动力系数和压力分布均与试验结果吻合;较好地模拟了局部外形变化引起的气动特性差量。本文建立的数值模拟方法对典型运输机三段翼布局的低速问题具有良好的适用性,可以为大飞机低速构型的气动设计及评估提供技术支撑。 相似文献
917.
为了研究深空辐射环境对SCB-1型空间高吸收率消杂光涂层的太阳光谱吸收性能影响。采用5 000 ESH剂量的真空-紫外、2.5×1015 p/cm2注量的真空-质子和2.5×1016 e/cm2注量的真空-电子依次对SCB-1消杂光涂层进行串联辐照试验,分析各项辐照试验前后消杂光涂层外观、太阳吸收比αs及半球发射率εH的变化情况。并采用热失重分析(Thermal Gravity Analysis)判断消杂光涂层受辐照试验后的分解情况与热稳定性变化。经串联辐照试验后,SCB-1消杂光涂层全波段太阳吸收比总变化值Δαs下降了0.011~0.012,400~1 100 nm波段太阳吸收比总变化值Δαs下降了0.011~0.013,以上三项串联辐照过程中SCB-1消杂光涂层的半球发射率总变化值ΔεH无明显变化。SCB-1消杂光涂层呈现了极佳的深空辐射环境下的消杂光持久性,可对未来深空探测领域的光学技术发展提供有力支持。 相似文献
918.
制备了MoSi2-YSZ复合硅橡胶基辐射型热防护涂层,并对其耐烧蚀性能和抗热振性能进行了表征。结果表明:与传统烧蚀型涂层相比,辐射型涂层在0.3~2.5μm波段发射率达到0.93以上,且静态热流测试背板温升降低60%,热振测试背板温升降低30%。辐射型涂层在热振测试中由于辐射散热机制表现出对温度响应的迟滞性,使得背板温度变化率的峰值降低40%。MoSi2氧化形成的致密氧化层具有良好的保护性和自愈合性,从而提高了涂层的耐烧蚀和抗热振性能。 相似文献
919.
920.