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991.
文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×1014,4×1014和1×1015protons/cm2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。 相似文献
992.
对基于稳定的双共轭梯度一快速傅里叶变换(BCGs_FFT)和改进的离散复镜像方法的平面分层媒质电大尺寸埋入体的电磁散射计算进行了研究。给出了理论推导过程。数值计算结果表明:改进的离散复镜像法在不提取准静态项和表面波项的条件下,可拟合获得准确的近区和远区空域格林函数结果,并加快了分层媒质中电大尺寸埋入体空域格林函数的计算速度。 相似文献
993.
994.
995.
针对全浓度梯度高镍正极材料批次一致性控制问题,采用Ni、Co、Mn三种溶液单独配制,各自通过程序精确控制流量进入反应釜的新思路和梯度降温烧结方式,实现可控制备。制备的全浓度梯度LiNi_(0.82)Co_(0.08)Mn_(0.10)O_2的0.1 C放电比容量为210.9 mAh/g,制作成的18650电池比能量为240 Wh/kg和669 Wh/L,具有较好的大电流充放电能力,适用于-20~55℃,1 000次循环后容量保持率为85.2%。高镍正极材料的浓度梯度化设计,显著提高了材料表面结构的稳定性,与商业化的高镍正极材料相比,在循环性能、倍率和安全性能等方面都具有明显优势。 相似文献
996.
997.
998.
针对机载、弹载等平台的空间有限,设计了一种双指数渐变结构的超宽带Vivaldi天线。天线由微带渐变线馈电,通过矩形共面带线阻抗变换器将小型的超宽带巴伦与天线集成,从而获得2~18GHz的带宽。仿真结果表明:在2~18GHz的工作频段内,天线的回波损耗小于-10dB,天线增益最高可达到10.5dB以上,实测结果与仿真结果基本吻合。将所设计的Vivaldi天线放置于一金属腔体内,对金属腔体对天线性能的影响进行了研究与分析。仿真结果表明:将天线单元放置于金属腔体后,辐射方向相对于原来的辐射方向发生了一定程度的偏转,但随着频率增高,偏转角度逐渐减小。 相似文献
999.
碳硼烷衍生物具有燃烧热值高,与配方组分相容性好等特点。在推进剂领域,现阶段主要将其用作高燃速配方的燃速调节剂,可明显提升燃速并兼具其他功能;将其作为高性能燃料可改善富燃料推进剂的燃烧性能、能量性能等,具有良好发展前景。简介了碳硼烷的结构、性质。阐述了碳硼烷衍生物的主要合成方法,并从关键原材料的制备角度分析了制约碳硼烷衍生物应用发展的因素。概括了碳硼烷的四种改性途径。综述了碳硼烷衍生物在国内外军民领域的应用进展,主要总结了其作为功能化燃速调节剂、高性能燃料在推进剂中的研究现状。简介了其在耐高温材料、生物医学材料、光电材料等领域的应用情况。最后,指出未来应针对富燃料推进剂的需求强化功能化碳硼烷衍生物的合成及使用性能研究。 相似文献
1000.