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151.
封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一,封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的。封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外,还与芯片及基底间的过渡层形式有关。不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值,还会对应力的分布情况产生影响。为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响,首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响,并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律。结果表明,不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化。 相似文献
152.
153.
结合惯性器件测试平台的发展现状,指出了设计惯性器件自动测试平台的必要性,给出了测试平台的总体设计思想以及硬件和软件的设计.该测试平台具有良好实时性、稳定性、可靠性和通用性,同时提供了友好的人机交互界面,使整个测试过程操作方便,减少了人为的测试误差,实现了测试自动化. 相似文献
154.
刘存贵 《中国民航学院学报》1990,(2)
本文讨论的是高速数据采集技术问题,其中重点阐明利用 CCD(电荷耦合器件)作为模拟一数字变换器(ADC)的中间暂存器,把高速变化信号采样后的信息按顺序快速输入 CCD 中暂存起来,供给低速的 ADC 变换,变成二进制数字量。这种利用 CCD 器件采用快入慢出(FISO)工作方式是解决高速模拟量变换成相应数字量的最新技术。它可以把 ADC 变换率提高到100MHz,而成本却提高很小。 相似文献
155.
156.
157.
158.
159.
《推进技术》2019,40(7):1676-1680
为了研究圆柱形阳极层霍尔推力器内关于电子反常输运的轮辐效应(Rotating Spoke),分别采用高速相机和静电探针来捕捉圆柱形阳极层霍尔推力器内的轮辐效应图像和等离子体震荡频率。结果表明:在放电电压350V,放电电流3.5A,阳极上表面处的磁场强度为125Gs,工作气压为2×10-2Pa时,由测得轮辐效应的放电图像和波形可知,轮辐效应的频率为10kHz~12.5kHz。当磁场强度增加到205Gs,放电电流增加到4A时,轮辐效应的频率增加到25kHz,并且轮辐效应出现分裂和合并现象。此研究结果表明,圆柱形阳极层霍尔推力器内不仅存在轮辐效应现象以及角向电场,而且不同的工作参数会有不同的轮辐效应模式和频率。 相似文献
160.
综述了大功率霍尔电推进技术的国内外研究现状,并结合未来空间任务需求,指出了大功率霍尔电推进技术的发展趋势。根据大功率霍尔电推进的技术特点,从基本理论和工程实现的角度,指出了大功率下需要攻克的关键技术,主要包括:较高等离子体密度带来的离子热能化和溅射腐蚀增强问题、大电流动态感应磁场干扰问题、严重的热负荷问题、大结构尺寸问题、大发射电流阴极、变工质放电、阴极中置以及地面试验问题等,并分析了相应关键技术的解决途径和技术方向。 相似文献