一种求解细线瞬态散射的稳定算法

利用时间步进方法(MOT)求解脉冲电场照射下细线的电流响应分布,分析其后期稳定性。提出一种新的电流系数平均法,不仅可以改善前面时间步的电流值,而且能对当前时间步的电流值进行判断,并采取措施预防振荡,有效消除迭代计算的累积误差,改善后期不稳定性问题。数值仿真表明,新方法消除了引起后期振荡的高频分量,获得了稳定的电流响应分布。     

发动机电焊管起爆电流控制的可靠性设计

为了提高试车台控制系统对发动机试验起爆时大电流控制的可靠性，适用于地面试验发动机程序控制电路的设计，介绍了各单元控制线路逻辑设计需要达到技术要求，以及为此所采取的可靠性设计手段。     

电路漏电流形成及预防

介绍了印制电路板漏电流的形成及影响,对不同环境条件下的印制板印制线间绝缘电阻进行了测试,得出了电路漏电流的控制方法,为可能出现的因电路漏电流导致的故障分析提供参考和依据。     

采用ZCS辅助电路的ZVT BOOST变换器

文章提出了一种采用零电流开关（ZCS）作辅助开关而主开关为零电压转换（ZVT）的软开关BOOST变换器；介绍并分析了变换器的工作区间；讨论了设计思路；演示了一个采用绝缘栅双极晶体管（IGBT）的600W10KHz380V输出、交流-直流的BOOST变换器构成的功率因素校正器所获得的实验结果的设计例子。结果表明，在整个规定的线路和负载条件下，辅助开关维持ZCS的同时主开关保持ZVT。     

航天器DC/DC变换器启动特性建模分析研究

介绍和分析了单管正激型DC/DC变换器的工作原理,指出变换器内置输入滤波器决定了其启动瞬间阻抗特性;提出变换器内置滤波器构成了二阶欠阻尼系统,当有阶跃电压输入时,滤波电容充电电流会产生衰减振荡,即为浪涌电流产生的根本原因。在此基础上,文章运用＂拉普拉斯变换＂对浪涌电流的计算公式进行了推导,并推导出浪涌电流的时域公式。提出了单管正激型DC/DC变换器启动特性仿真模型的建立方法,并通过试验验证了仿真模型建立的有效性。     

CM2程控稳流电源电流稳定性的自动化测试

文章将零磁通电流互感器技术应用到了大电流稳定性测试中,从而解决了CM2航天器磁环境模拟设备中的程控稳流电源输出电流稳定性测试的难题,稳定性指标高达10-5/8h。文章简述了零磁通电流互感器技术的基本原理,介绍了采用零磁通电流互感器技术对CM2程控稳流电源电流稳定性进行自动测试的方法,分析了影响大电流稳定性现场自动测试的因素并提出了相应解决方案。     

改进型滑模变结构电机控制的脉振电流注入法研究

为了提高永磁同步电机无位置传感器技术的控制性能,在电机动态品质优化的研究中,以滑模变结构控制器替代传统的PI控制器,采用新型趋近律函数改进滑模控制器的输出模型,削弱了传统滑模控制存在的抖振,提高了控制系统的抗干扰能力。在分析无位置传感器技术时,引入高通谐振滤波器,采用具备以高信噪比为特点的两相静止坐标系下高频脉振电流注入法。仿真结果表明,在带高通谐振滤波器的高频脉振电流注入法中运用滑模变结构控制器,提高了转子位置估计的精度,增强了控制系统的鲁棒性。     

环电流区能量离子分布特性研究

为了考察环电流区离子的分布情况,采用环电流粒子理论模式,对环电流中10-100 keV的离子进行了模拟研究.这个模式能够根据近地注入区外边界处离子的分布函数得出磁暴主相期间环电流中的主要成分H+,O+,He+3种离子的通量分布.计算结果分析表明,在其他条件相同的情况下,不同种类离子的通量分布的形态结构十分相似.电场强度对环电流离子通量的空间分布具有决定性的作用;晨昏电场强度越强,离子的通量越高;晨昏电场越强,环电流离子的内边界越接近地球.10keV的离子在电场相当弱的时候还是存在着连续的通量分布,但他们的形态和结构随着电场的变化有明显的变化.电场很弱时,离子分布主要集中于内外两个环带,离子通量在晨侧的更多一些,离子通量的最大值基本上是在比较靠近地球的环带上;随着电场的增强,离子分布的内外两个环带逐步合并,离子的分布逐渐靠近地球,通量分布的最大值也移动到了昏侧.环电流离子投掷角分布具有各向异性,投掷角在90°左右的时候,离子通量能达到最大值.      

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显；在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.