改性C/C-ZrC-SiC复合材料热化学烧蚀数值分析

主要针对多相超高温陶瓷(UHTCs)颗粒掺杂改性C/C复合材料的热化学烧蚀行为进行数学表征,采用公式推导、数值模拟及试验验证等方法进行研究与分析.通过对C/C-ZrC-SiC(CCZS)复合材料烧蚀后的形貌进行分析,基于热化学平衡和最小自由能原理,构建CCZS氧化烧蚀模型.利用热-力-化多场耦合数值分析方法,对CCZS...     

Y-La-Si3N4陶瓷的显微结构分析

通过采用溶液法引入烧结助剂Y2O3、La2O3的工艺，研究了热压自韧Si3N4陶瓷的显微结构特征，着重分析了烧结助剂合量及配比对材料显微结构的影响以及材料的显微组织和力学性能的关系。结果发现，自韧Si3N4陶瓷中β-Si3N4柱状晶的双峰分布特征以及显微组织的均匀性对材料的力学性能起着决定性作用。     

氮气压力对自蔓延燃烧法合成AlN的影响

以铝粉、NH4F为原料,Nb为添加剂,在N2压力小于0.5 MPa条件下,用高温SHS成功地合成了AlN粉体。研究了添加剂和N2压力对燃烧合成的影响,运用TG/DSC考察了粉末原料的氮化过程,采用XRD、SEM对粉体的物相、显微形貌进行观察表征。研究结果表明,当Al/NH4F=4,在添加剂Nb的作用下,合成的AlN粉体颗粒分布均匀、氧含量低且具有良好结晶形态;在反应前、中期,合适N2压力有助于提高粉体的转化率。     

Sol-gel法制备CuSO4,Cu(AC)2掺杂SnO2的气敏性能研究

以溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备纳米SnO2及其不同比例的铜源掺杂物.采用热分析(TG-DTA),XRD等手段对其产物进行表征,利用静态配气法测试了掺杂产物的气敏性能.实验结果表明:采用Sol-gel法制备掺杂SnO2的气敏性能,同时受铜源和掺杂量的影响,且掺杂产物对乙醇不很敏感,但在150℃工作温度下对0.005%的H2S具有36367倍的高灵敏度.     

双相TiAl基复合材料的强化机理分析

利用Al-Ti-TiO2-Nb2O5系的原位放热反应合成了Al2O3/TiAl基复合材料,观测了复合材料的相组成和微观形貌及力学性能,并探讨了其强化机理.结果表明:Nb2O5的加入获得了双相基体和弥散分布的Al2O3第二相颗粒,随其掺杂量的增大,组织明显均匀并细化.复合材料的硬度呈直线增加,相对密度也增大.当Nb2O5掺杂量为6wt%时,复合材料的抗折强度最佳,高达642MPa.通过异相界面电子结构解释了双相基体的强化原因,同时以内晶颗粒残余应力原理说明了强度随Nb2O5掺杂量的变化规律.     

纳米钡铁氧体吸波材料的研究进展

介绍了纳米钡铁氧体的制备方法与吸波性能,结合最新文献论述了离子掺杂纳米钡铁氧体、稀土掺杂纳米钡铁氧体、纳米钡铁氧体复合材料的研究进展,讨论了纳米钡铁氧体吸波材料目前存在的问题及改进措施.     

基于铁氧体的Ka频段自动跟踪调制器设计与实现

文章针对铁氧体移相器相位温度稳定性差、所需驱动功率大的问题，设计了一种基于锁式铁氧体移相器的Ka频段自动跟踪调制器，采用和、差支路对称设计，以改善和、差支路相对相位温度变化的离散性；采用锁式移相器，选用运算放大器驱动N沟道与P沟道MOSFET栅极共接的推挽源极跟随器的功率放大，同时降低差支路移相器控制信号频率等方法，以减小驱动功耗。最终研制完成的自动跟踪调制器具有工作带宽宽、和差支路相位温度变化离散小、功耗低等优点。实测结果表明，在25GHz~27GHz频率范围内，在-10℃~+45℃温度变化范围内，和差支路相位变化离散≤15°，驱动功耗≤1.5W。该设备可以广泛应用于星载和地面单通道单脉冲角跟踪系统。     

Ka频段铁氧体双环移相器

文章介绍了一种铁氧体矩形双环移相器。通过数值计算得到尺寸原型,利用HFSS仿真软件进行优化,工作频率在Ka频段,采用多级匹配的方法实现了相对带宽为10％、带内最大损耗约1．26dB、驻波小于1．41、受控差相移的抖动小于0．5。的高性能移相器。     

高档永磁铁氧体磁体的生产工艺

叙述了高档永磁铁氧体磁体的生产工艺，并对Y35大环形永磁体开裂问题进行了较广泛的讨论和分析。总结了在生产中较有效的解决方法。为军用圆形永磁铁氧体磁体的生产打下了较好的基础。     

高档永磁铁氧休磁体的生产工艺

叙述了高档永磁铁氧体磁体的生产工艺。并对Ｙ３５大环形脉 磁体开裂问题进行了较广泛的讨论和分析，总结了在生产中较有效的解决方法。为军用圆形永磁铁氧体磁体的生产打下了较好的基础。