排除碲镉汞晶体中碲夹杂降低其位错密度的工艺研究

概述了碲镉汞晶体中碲夹杂和高密度位错的成因,并以此为依据,阐述了排除碲夹杂和降低位错密度的工艺原理和方法。工艺途径分为两步,一步是根据微区域提纯原理,排除原生MCT晶锭中的大部分碲夹杂,第二步是根据大量Hg空位形成碲沉淀的模型和位错在高温下攀移的原理,进一步排除MCT晶片中残存的碲夹杂并降低位错密度。     

NiAl基合金室温脆性分析

本文研究了Ni-20Al-30Fe合金的组织,断裂行为和热处理制度对该合金组织的影响,分析了该合金能获得较高室温延伸率的原因。通过加入3.0at％Ti和8.0at％Ti,比较了Ti对该合金组织断裂行为和热处理后组织变化的影响。结果表明Ti的引入使该合金的脆性增大,并分析了增大的原因。     

高频扩散焊微机过程控制及Dahlin算法应用

在介绍高频扩散焊过程控制特点和要求的基础上，推导了被控对象的数学模型，给出了ＫＨ３０－ＧＦ型真空扩散焊机炉温微机控制系统的实施方案、硬件构成，以及面向纯滞后系统的开关──Ｄａｈｌｉｎ复合控制算法和联机运行结果。     

镉镍蓄电池控制盒的故障树分析

对某型号镉镍蓄电池控制盒进行了故障树的定性和定量分析，得到了故障树的结构函数和控制盒失效概率的计算模型。分析结果对该产品的设计及实际使用中的故障判别与处理，对类似产品的设计与故障分析具有一定的参考价值。     

热等静压ZrO_2-Y_2O_3陶瓷的组织结构与性能

 本文采用透射电镜中电子衍射与暗场技术、X射线衍射及电子探针等方法,研究了热等静压及热等静压后时效处理的ZrO_2-5mol％Y_2O_2陶瓷的组织结构并测定力学性能。结果表明:经冷等静压成型,1500℃烧结,再于1450℃热等静压试样为c+t双相混合晶粒组织,且c相晶粒内有呈“tweed”形态的t相析出物。试样再经1100℃,1000h时效后,形成“tweed”组织,可使弯曲强度从565MPa提高到990MPa,断裂韧性也有所改善;而提高温度至1400℃时效100h,则形成“colony”组织,使强度显著下降至低于无时效组织。     

双损耗Al2O3基多孔吸波材料的制备及其吸波性能

基于片状Al₂O₃陶瓷互锁结构强度高的特点,制备出夹杂石墨的高气孔率的Al₂O₃多孔陶瓷,并通过原位还原在多孔骨架中制备出Ni微粒,形成一种轻质的双损耗陶瓷基吸波材料。通过XRD、FE-SEM和EDS研究了还原温度对多孔吸波材料的组成、微观形貌、元素分布和吸波性能的影响。结果表明,还原温度升温至700 ℃可将多孔网络中Ni完全还原,形成以堆叠互锁Al₂O₃为基,夹杂片状石墨和孔表面覆盖Ni微粒的双损耗轻质吸波材料。当复合材料厚度为6.5 mm时,最小反射损耗为-35.01 dB,有效吸收带宽达到1.75 GHz。片状Al₂O₃锁定的石墨片构筑的导电网络,Ni微粒与基体之间的极化效应等共同促进复合材料良好的微波吸收性能。     

基于晶体塑性的涡轮盘短裂纹扩展模拟方法

针对低周疲劳载荷下发动机涡轮盘早期短裂纹扩展行为,提出适用于工程结构的耦合晶体塑性（CP）理论和扩展有限元方法（XFEM）的多晶短裂纹模拟方法。该方法采用晶体内总累积分解切应变作为裂纹扩展判据并使裂纹沿最活跃滑移系对应的滑移平面传播。框架采用子模型技术/分区域网格细化以及宏-介观本构结合的方法解决真实工程结构和微观模型尺度不匹配的问题,在可接受的计算代价下预测了涡轮盘危险截面处的短裂纹扩展路径及速率。结果表明该结构内早期裂纹生长路径及速率受到晶体取向的影响而出现较大分散性,同时验证了基于CP-XFEM的框架在预测工程结构短裂纹扩展寿命及分散性上的可行性。      

一步法退除CuNiCr镀层工艺研究

装饰性电镀CuNiCr的不良镀层,过去采用浓硝酸化学法退除,其缺点是退镀件过腐蚀,成本高,毒性大,污染环境。现改进退镀技术,优选出电化学退除新技术,从而可将钢铁基体上的CuNiCr镀层一次性全部退除,退镀速度快,无腐蚀,安全可靠,成本低,无毒害性气体,改善了劳动条件,消除了NOx气体的污染。     

M6800单板机在碲镉汞晶膜液相外延中应用

用M6800单板机控制液相外延炉,以保证控温的稳定性和重复性,介绍了这种控温系统的原理,论证了该系统对碲镉汞晶膜液相外延生长的作用。