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61.
湿热对单向复合材料层合板Ⅱ型分层特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用横向裂纹拉伸试验模型(Transverse Crack Tension-tension Test),在3种湿热环境(室温、85℃和85℃/95%RH)条件下,对2种单向碳纤维增强树脂基复合材料(T300/QY8911和HTA/6376)层合板的Ⅱ型分层特性进行了试验研究。结果表明湿热环境导致复合材料层间断裂韧性降低,引起Ⅱ型应变能释放率门槛值显着下降,裂纹扩展速率大大提高,温度的影响较湿度更为明显。利用电镜(SEM)对试样分层表面进行了检测,湿度对断面特征无明显的影响。 相似文献
62.
对比研究碳化铬/Ni3Al复合材料和传统高温耐磨材料Stellite 12合金在1000℃时的高温氧化行为.结果表明,Stellite 12合金表面形成以Cr2O3为主的氧化膜,并发生明显剥落;而碳化铬/Ni3Al复合材料表面形成以α-Al2O3为主的致密氧化膜,其空气中的氧化速率仅为Stellite 12合金的1/2,碳化铬具有良好的抗氧化稳定性并与Ni3Al基体有较好的氧化协同性.分析认为,碳化铬在堆焊过程中发生溶解导致部分Cr固溶于Ni3Al合金基体中,促进α-Al2O3的形成,从而改善复合材料的抗氧化性.而材料表面所形成的氧化膜类型是两种材料抗氧化性差异的主要原因. 相似文献
63.
64.
采用光学显微镜、扫描电子显微镜以及Thermal-calc 计算等方法分析了马氏体时效钢(C300) 穿
孔型等离子弧焊接(Keyhole-Plasma Arc Welding, K-PAW)过程中结晶裂纹的成因及形貌。研究认为,C300 虽
然具有良好的焊接性,但也会产生结晶裂纹。本试验条件下,影响高纯净C300 产生结晶裂纹的主要因素是应
变—温度增长速率,提高预热温度和增加线能量有利于降低结晶裂纹倾向。焊接热源对母材的预热作用有利
于已形成结晶裂纹的逐步止裂。具有凸形表面的焊缝以及细小等轴晶的焊缝的结晶裂纹倾向较小。 相似文献
孔型等离子弧焊接(Keyhole-Plasma Arc Welding, K-PAW)过程中结晶裂纹的成因及形貌。研究认为,C300 虽
然具有良好的焊接性,但也会产生结晶裂纹。本试验条件下,影响高纯净C300 产生结晶裂纹的主要因素是应
变—温度增长速率,提高预热温度和增加线能量有利于降低结晶裂纹倾向。焊接热源对母材的预热作用有利
于已形成结晶裂纹的逐步止裂。具有凸形表面的焊缝以及细小等轴晶的焊缝的结晶裂纹倾向较小。 相似文献
65.
固体燃料超燃冲压发动机燃速研究进展 总被引:3,自引:3,他引:3
对固体燃料超燃冲压发动机燃烧面退移速率(简称燃速)研究现状和进展进行了详细阐述,分别从固体燃料类型、燃烧室构型、理论预估模型、数值模拟及实验研究等方面出发,论述了固体燃料在超声速流动下燃速研究的进展和难点;从亚燃冲压发动机、热防护层、富氧环境下绝热层烧蚀3个方面提炼出可以用于超燃冲压发动机燃速研究的经验和方法:①提出了加强针对固体燃料超声速流动中受热行为、传热传质过程的研究方向;②深入探索了固体超燃燃速性质;③开发了对应的数值软件及系统地进行实验等观点,为国内该领域的研究提供参考. 相似文献
66.
微小型数据采集系统一般是基于微控制器进行设计的,存储设备主要为SD卡,由于微控制器资源有限,因此很难在保证微小型数据采集系统较高采集速度的同时保证采集系统的可靠性.针对该问题,本文分析了影响数据采集系统采集速率及可靠性的主要影响因素,推导了DMA缓冲区设置大小与数据采集系统采集速率及可靠性之间的模型,并设计了数据采集系统主要参数标定与验证试验.试验结果表明,本文提出的数据采集系统设计方法合理、可根据数据采集处理器内存大小、SD卡文件系统性能指标设计数据采集系统,确保数据采集系统的可靠性,对提高系统设计效率、降低微小型数据采集系统的设计成本以及后续改进完善数据采集系统奠定了重要的理论基础. 相似文献
67.
李继保 《燃气涡轮试验与研究》1994,(1):24-29
介绍了在美国进行燃油热稳定性研究的试验系统及试验结果,分析了燃油加热、冷却次数,试验时间、油温和壁温及油管表面处理等因素对燃油沉积速率的影响,得出了相应的结论。并对国际上在高温下燃油下燃油沉积速率变化规律上存在的争议做了解释。 相似文献
68.
69.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
70.