大型射频无反射室的设计

在射频无反射室内进行飞机电磁兼容性试验和天线测试，不仅能够提高测试精度，而且可以极大地提高工作效率，缩短新机的研制周期。本文分析了无反射室的电性能对测试的影响，并介绍了大型射频无反射室的结构设计要求。     

用近红外光谱在线监测炭布/酚醛预浸料的质量指标

用近红外漫反射法对炭布/酚醛预浸料的树脂含量、可溶树脂含量和挥发分含量进行在线监测,通过偏最小二乘法分别建立标准模型,并选择了光谱预处理方法和PLS的因子数。用近红外方法和标准方法对未知样品进行分析,通过t检验结果显示2种方法没有显著差别,利用近红外方法可同时预测3项指标,1 m in内就可分析1个样品,在生产过程中可利用近红外分析的结果调解工艺参数。研究表明,近红外分析是控制炭布/酚醛预浸料质量的有效和准确的方法。     

北京一号小卫星多光谱遥感器交叉定标

北京一号小卫星是我国第一颗实用型对地观测小卫星。针对北京一号小卫星多光谱遥     

手征媒质的手征参量ξc对反射特性的影响

利用传输线理论 ,分析金属衬底的单层手征介质与自由空间的分界面上电磁波垂直入射时 ,ξc数值的变化对媒质反射特性的影响。计算结果及部分实验结果表明 :在媒质中掺杂手征微结构的浓度增加 ,等效于ξc 的实部与虚部同时变化。分别改变ξc的实部与虚部 ,结果发现 ,手征参数ξc的虚部调整在最佳值时 ,会在某一频率点上取得最小反射率 ;而随着ξc的实部增加 ,最小反射频率减小。由此得出结论 ,在设计手征吸波媒质时 ,可以通过优化设计 ξc的实部、虚部的值 ,来实现在某一波段上较佳的吸波特性。     

在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。     

圆化处理法制备高效大尺寸多晶黑硅太阳电池

采用金属辅助化学腐蚀法制备了多晶黑硅,并研究了极低浓度NaOH溶液对扩孔后黑硅结构的圆化作用及其对多晶黑硅太阳电池性能的影响。用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)和量子效率(Quantum efficiency, QE)测试仪对黑硅表面形貌及黑硅电池性能进行了表征。结果表明,利用极低浓度的NaOH圆化扩孔后黑硅的尖端及棱角可以减少表面复合的影响。处理后的黑硅表面孔洞均匀且平滑,黑硅太阳电池400~900 nm可见光波段平均反射率为4.15%,批量生产的电池平均转换效率达到17.94%,比常规酸制绒工艺制备的电池平均转换效率提高了0.35%。     

微波暗室反射率电平自动校准方法及测量不确定度

通过开展1~40 GHz微波暗室性能自动校准技术研究,研制了低反射8维度空间测试支架,降低了测试装置微波干扰;开发了基于Labview 8.6环境的测试系统控制软件,实现信号调整和收发天线的相对运动;本文就微波暗室自动校准系统静区反射率电平测量不确定度进行了分析和评定。