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561.
在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态。仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的"读"和"写"状态。  相似文献   
562.
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等.通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响.文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了M...  相似文献   
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