认真做好企业工艺总方案的编制工作

概述了企业工艺总方案在工艺工作中的重要性,并结合工作实际,对工艺总方案编制的一般要求、依据、主要内容和编写要求等作了阐述。     

基于VXI及GPIB总线的自动测试系统设计

大量先进机载电子系统的应用使综合自动测试设备(IATE)的出现成为必然.通过使用综合自动测试设备来代替大量专用测试设备,不仅可以降低成本,而且可以有效提高部队综合保障能力.基于目前研制的一种综合自动测试设备,从工程化角度出发详细阐述基于VXI及GPIB总线的综合化自动测试系统开发流程,并且对系统构型、硬件设计、软件设计、系统调试都进行详细的描述与验证.通过实际测试与评估,证明该系统设计方案切实有效.     

波音737-700/800型飞机发动机引气系统及其故障分析

针对发动机引气系统是一个多发性故障的系统,介绍了波音737-700/800型飞机发动机引气系统常见故障现象和原因,并结合实践提出了系统的排故方法。     

航天电子信息产品工艺总方案编制

本文针对航天电子信息产品工艺总方案编制中模板不统一、针对性不强、制造风险识别不充分的问题，提出工艺总方案编制应涵盖产品结构、性能和工艺特点，生产线的建立及调整分工原则，零、部（组）、整件的互换协调原则，配套产品厂际互换协调原则，工艺文件的编制与验证原则，采用新工艺、新技术、新材料的项目及实施途径，主要检测、试验项目及实施方案，工艺质量保证措施等方面的内容，并细化描述每个要点，保证工艺总方案有效识别出产品制造过程的质量风险，满足产品设计和生产的质量要求。     

液氙加注过程中贮箱充填率影响因素分析

液氙在加注过程中可能会出现相变进而降低贮箱的充填率，因此需要了解贮箱充填率的影响因素。采用零维集总参数模型对液氙加注系统进行建模和仿真。基于AMESim计算液氮无排气加注过程中贮箱的充填率，其与文献中的实验结果接近。同时，基于AMESim搭建液氙加注系统，计算不同入口过冷度、入口压强、壁面温度和热流量条件下贮箱的充填率。结果表明，在相同加注时间条件下，提升入口过冷度、增加入口压强可以提升贮箱的充填率，而管路和贮箱受热会降低贮箱的充填率。      

一种抗辐照加固高压DAC的设计

高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等.通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响.文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了M...     

行政许可、行政确认、行政备案异同辨析

行政许可、行政确认和行政备案是三种不同类型的行政管理制度，除了行政许可有行政许可法规制外，行政确认和行政备案尚没有统一的法律制度规定，实践中存在确认与许可不分、以备案之名行许可之实等问题。通过从基本定义、相互关系以及应用实践等层面对上述三种行政管理制度的关联及差异进行辨析，可以得出三种行政管理制度有着明确的属性界限，从管理深度上呈逐级涵盖关系，对不同的管理定位有各自不同的适用性等结论。通过准确辨析，有利于合理开展制度设计，改进现行制度，可为持续提升行政管理水平提供思路和手段。     

太阳活动下降年昆明地区TEC变化特征与IRI-2020模拟比较分析

利用昆明低纬度测站（24.7°N,102.9°E，磁纬15.1°N）2016-2019年的观测数据和最新版的国际参考电离层（IRI-2020）模拟结果，对昆明地区电离层总电子含量（TEC）在太阳活动下降年期间的变化特征及与模型输出进行对比研究。结果表明,昆明TEC存在明显的春秋高值、夏冬低值的半年异常；白天高值、夜间低值的日变化特点突出，日峰值出现在06:30-08:00 UT（约13:00-15:00 LT）;TEC随太阳活动减弱而明显下降，年平均峰值在2016-2019年分别为48,33,27,24 TECU；日峰值TEC与F10.7存在显著相关，月均值相关系数达到0.86，而与Ap指数则表现为弱相关；IRI-2020能较好地模拟昆明地区TEC的季节变化，但与观测值存在较大差异；均方根偏差值多集中在2～15 TECU，相对偏差百分比值主要在–85%～50%范围变化。对比结果表明IRI-2020的预测精度仍有待提高。     

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。