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171.
为了深入研究多层薄膜材料中二次电子发射这一影响部件微放电效应的重要物理过程,基于金属表面多代二次电子发射蒙特卡罗模型,建立了多层薄膜二次电子发射蒙特卡罗模型,并构建了多层薄膜的平面和矩形沟槽这两种表面结构。通过对这两种表面的多层薄膜二次电子发射系数进行蒙特卡罗模拟,并对不同薄膜厚度的二次电子发射系数模拟结果进行分析,验证了多层薄膜抑制二次电子产额的实验效果,并得出抑制效果与多层薄膜厚度和表面结构有关的结论。  相似文献   
172.
近年来商业卫星产业发展迅速,从卫星物联网星座到高精度SAR成像,商业卫星的应用领域也越发丰富。区别于传统的大卫星,商业卫星主要集中在微纳、皮纳等卫星领域,最常见的为1U、3U、6U和12U等立方星。卫星平台的尺寸与载荷通信能力密切相关,微纳、皮纳等卫星平台由于尺寸较小,导致载荷通信能力严重不足。如何提升小卫星平台的通信能力,成为了商业卫星亟待解决的关键技术问题。薄膜天线具备可收纳展开特性,能够广泛应用于各种小卫星平台,在发射入轨前通过合理的收纳方式,收拢在小卫星平台尺寸内;在轨后,通过展开装置释放,形成较大辐射口径,有效提升卫星通信能力。由于薄膜厚度小(约0.1 mm左右),Q值很高,限制了天线的带宽特性,也不便于实现圆极化辐射特性。以柔性薄膜(厚度约0.1 mm)为基础,以常规微带贴片为单元,通过旋转布阵以及多次顺序旋转馈电使该薄膜天线具备较好的圆极化、宽带特性,天线阵面规模为16×8,天线驻波(VSWR≤2.0)和轴比(AR≤3.0 dB)带宽可分别达到约10%和4%,法向最大增益可达24 dB,显著提升了薄膜天线的工作带宽和辐射特性。  相似文献   
173.
《宇航材料工艺》2004,34(4):F003-F003
1 便携式气象卫星云图接收系统该系统用于接收“风云 2号”和日本GMS卫星播发的低分辨率气象云图 ,采用小型轻便的八木天线、低噪声微波放大器、微波频率合成器、低门限解调器和笔记本电脑 ,天线与接收机总质量小于 2 5kg ,系统软件功能完备。图像处理功能 :16色可变调色板 ,可存储 70幅云图。质量可靠 ,使用方便。(北京卫星信息工程研究所 ,0 10 - 6 83782 12 )2 轻型轻体建筑材料本成果开发出以自熄型聚苯乙烯泡沫塑料(EPS)置于两面钢丝网之间 ,斜角插入 ,焊接固定 ,表面覆盖混凝土。可广泛应用于内、外墙 ,楼板、阳台、楼梯 ,尤其…  相似文献   
174.
175.
中温下影响磷化膜生成的主要因素是溶液的成分和浓度。当存在NO3-、酒石酸和微量的Ni2+、Cu2+、F-时,可以降低磷化温度,缩短成膜时间,并得到结晶细密、扩蚀性好的磷化膜尾。本文通过对中温磷化工艺的研究探讨,证实中温磷化处理工艺性能优越,有良好的经济效益和广泛的推广前景。  相似文献   
176.
运七飞机外表面沟纹膜减阻的实验研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
在1:12运七原型全金属模型具有湍流流动的表面上粘贴沟纹膜,研究了沟纹膜对飞机阻力的影响,实验表明,顺流向沟纹膜粘贴在飞机具有湍流的表面上,可以减少飞机阻力5%~8%。  相似文献   
177.
178.
Fe-Cr-Al/Si非晶态薄膜的电阻-应力特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
 对非晶态Fe-Cr-Al/Si薄膜研究了方块电阻与灵敏度、电阻温度系数、电阻率以及薄膜厚度等的关系;根据升温时薄膜电阻开始剧变推算了薄膜的晶化温度,并评估了Fe-Cr-Al/Si薄膜作为力传感器敏感材料的品质。  相似文献   
179.
电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20min。对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少。  相似文献   
180.
TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.  相似文献   
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