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851.
稀土化合物对硅橡胶包覆材料粘接性能影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了氧化镧、草酸铈和铬酸镧三种稀土化合物对双组分缩合型室温硫化(RTV)硅橡胶包覆材料粘接性能的影响。发现稀土化合物确实能提高硅橡胶与刷涂底漆的HMX—CMDB推进剂或Al—RDX—CMDB推进剂之间的粘接强度,并且硅橡胶与HMX—CMDB推进剂粘接的剪切破坏形式为硅橡胶本身的内聚破坏。 相似文献
852.
853.
854.
基于Web的电工电子网上实验室的设计与开发 总被引:5,自引:0,他引:5
本文采用传统Client/Seryer模型和基于Web的三层结构相结合的系统结构,利用AAP技术实现基于Web的电工电子网上实验室的设计与开发,并介绍了系统的强大功能以及所取得的显著教学效果。 相似文献
855.
856.
在时燃烧喷氦的冷流试验中,利用吸气式热膜浓度感头,直接测量局部混气的热膜电压,由此根据静交准可获得超音速流通掺混层氦气深度这种局部混气深度测量方法不需要取样及气体分析,实验表明,这种吸气式热膜深度感头测量的相关参数具有良好的精度。 相似文献
857.
保持等离子体弧源稳定性对于制备大尺寸平面金刚石膜极其重要,故从理论和实验两个方面对等离子体弧源稳定性进行了分析。研究表明,为了保持弧源的稳定,必须在生长过程中,保持稳定的电子温度和均匀的活性原子及原子基团密度。金刚石膜在某些条件下长时间生长时,会发生阳极环积碳现象,导致等离子体弧源扰动失稳,从而引起生长的金刚石膜含有石墨杂质。通过预处理阳极环、控制碳源、加大氢气量等措施可保持弧源稳定。在此条件下生长金刚石膜,经SEM,Raman分析表明,其晶粒均匀、晶界清晰,仅有金刚石特征峰出现。 相似文献
858.
859.
系统分析了前馈神经网络存在的问题.针对网络结构的确定及优化、局部极小点的逃离、收敛速度的提高,给出了一些操作性强且具有良好性能的方法.这些方法将指导其它领域专家对前馈神经网络的推广应用. 相似文献
860.
PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
使用常规的PECVD(等离子体增强化学汽相沉积)沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜,并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料的纳米硅薄膜的压阻特性,测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数K,其值可以达到80,退火后K值会增加,电阻随压力呈良好的线性关系,但有较大滞后,并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析。本文对nc-Si:H薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。 相似文献