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为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary electron yield, SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析。随后,测量了Cu材料和Al2O3薄膜材料的SEY值和二次电子能谱。结果表明:不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al2O3);不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R2值为0.998 64(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10eV(Cu)和20eV(Al2O3)以下,符合相关理论预期。 相似文献
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为了节省计算资源,提升计算效率,在保证计算结果准确的前提下,尽可能选取较小的计算域显得尤为重要。针对该问题,分别沿槽道的展向和流向选取不同的计算尺度(053πδ×2δ×0177πδ、πδ×2δ×05πδ、2πδ×2δ×πδ、3πδ×2δ×15πδ,δ为槽高的一半),在相同的计算条件且设置均满足大涡模拟计算要求的前提下,对摩擦雷诺数为540和930两种摩擦雷诺数下计算域大小对大涡模拟数值计算结果的影响进行了研究。结果发现:计算尺度不小于2πδ×2δ×πδ的计算域能很好的呈现湍流计算结果。此外,在摩擦雷诺数为930时,相同计算域下所能检测的范围均有所提升,得到的计算结果更加准确。 相似文献
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为了在计算量有限的前提下实现对不同尺度上湍流燃烧结构的直接求解,提出了新的基于湍动能谱的自适应大涡模拟的概念。在这一概念下,利用湍动能谱和自适应网格技术建立了跨尺度算法,从而实现DNS和LES两种方法的耦合。在湍流非预混氢气射流火焰的模拟中,该方法既能捕捉大尺度湍流结构,又能分辨小尺度燃烧结构,计算出的物理量的瞬态和时均分布和DNS结果吻合得较好。计算偏差主要体现在DNS和LES区域的过渡处,这与亚格子湍动能在过渡处的变化不够平滑有关,表明跨尺度算法需要优化,以完善对不同尺度间湍动能传输的模拟。 相似文献
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三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用。规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制微放电的研究初期或原理性试验验证过程中多采用定制的规则表面形貌。基于提出的电子与表面形貌相互作用的多代模型,以三维圆柱孔为例,采用蒙特卡罗方法系统研究了三维规则表面形貌的深宽比、占空比等参量影响二次电子产额、二次电子能谱以及出射角分布的规律。研究发现:规则形貌的深宽比越大,能谱展宽越强烈,形貌对出射角的选择性越强,二次电子产额的抑制效果越好,但该抑制效果存在饱和效应。在形貌不发生交叠时,增加占空比,可有效降低二次电子产额,由于圆柱孔出射电子占比较少,二次电子能谱与出射角分布接近于平面。所获得的三维规则表面形貌的二次电子发射特性对于全面评估其对微放电效应的影响提供了参考。 相似文献
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