天基红外系统及空间光电对抗装备进展

随着信息技术的进展,战争已从陆、海、空扩展到外层空间,信息和反导已成为世界军事领域的两大课题。介绍了美国天基红外系统(SBIRS)的作用、组成、最新进展及技术特点,分析了空间光电对抗技术的原理及空间光电对抗装备发展现状。对预警卫星系统和空间光电对抗设备建设具有借鉴作用。     

飞船返回舱红外跟踪

提出一种联合大底检测的改进的Mean-Shift（均值移位）算法,将其应用于返回舱红外跟踪。新算法采用非均匀量化加权直方图构造目标特征矢量,以提高目标描述的准确性。为避免跟踪到大底上去,使用＂滑窗式＂大底检测算法实时修正Mean-Shift跟踪坐标。通过对飞船返回实况判读验证,提出的新算法处理速度达到20帧/s以上,并且能够可靠和准确地跟踪返回舱。     

橡胶材料材质成分分析中标准的应用分析

介绍了橡胶材料材质成分分析过程中的傅立叶变换红外光普法,分析了使用红外光谱法分析橡胶材料材质成分的4个标准,并结合试验室分析过程,阐述了各个标准的不足以及优化建议.     

膨胀边开槽对单边膨胀喷管性能影响的数值研究

为了得到高气动性能和低红外辐射的单边膨胀喷管(SERN)结构,通过CFD/IR数值模拟的方法,研究了单膨胀边开槽率、开槽角度和落压比(NPR)对单边膨胀喷管气动性能和红外辐射特性的影响。研究结果表明:在低落压比下,单膨胀边开槽形成的气动边界改善喷管气动性能;在高落压比下,扩张段内的热排气倒灌入上游的狭槽内,反而降低了喷管气动性能;随开槽角度增加喷管轴向推力系数减小;单膨胀边开槽后喷管红外辐射强度大幅度降低,最高降幅在XOY平面0°方向达90%;随开槽率增加红外辐射强度减小,而开槽角度对喷管红外辐射强度几乎没影响。     

基于增强现实的动态红外视景生成技术

动态红外视景生成是红外成像制导半实物仿真的关键技术,将基于增强现实的虚拟场景技术应用于动态红外视景生成过程中,可以较有效地提高生成的场景的真实感,减少自然背景模拟的复杂程度。针对红外场景的特殊性,描述了增强现实技术在红外视景仿真中的运用过程,为解决虚实结合的几何和辐射一致性问题,推导了红外热像仪几何和辐射度的标定。     

直升机红外辐射的理论计算

选取了适当的理论计算方法,给出了计算公式和计算步骤,进而在所假设的飞行状态下计算了直升机的红外辐射,包括直升机发动机的排气管辐射和直升机蒙皮辐射的全辐射量和红外波段辐射量,最后对计算结果进行了分析。从分析来看,计算结果是可信的。     

螺旋卫星

据报道：2009年2月法国发射的两颗螺旋卫星在1年的运行中,由于辐照造成的动力损耗小于预想,目前这项任务计划继续运行直至2010年年底。两颗螺旋卫星质量均为117kg,携带红外探测器,运行于近地点600km,远地点36000km的静地转移轨道。螺旋卫星系统是一个演示器,由阿斯特姆公司为法国国防发展采购局（DGA）研制,将用于未来的作战天基预警系统。该卫星于2月发射进入轨道,     

固体火箭发动机羽流红外辐射特性研究

考虑了羽流组分间的化学反应,应用Roe-FDS格式求解羽流场,再用羽流场参数作为输入条件,采用离散坐标法和谱带近似法对固体火箭发动机羽流在光谱2～5μm内的红外辐射特性进行了计算,羽流气相辐射强度随波长变化规律的计算结果与实验值基本一致。计算结果表明,不同羽流位置点的光谱辐射强度随波长变化规律一致,纯气相辐射强度在2.7μm和4.3μm处出现峰值,随羽流场轴向和径向尺寸的增大而减小,在其他波段无明显变化规律;气相与粒子总辐射强度随波长的增大而减小,其辐射强度远大于纯气相的辐射强度;观测方向与羽流轴线夹角的方位角增大,红外辐射强度减小。     

单边膨胀喷管气动和红外辐射特性数值研究

通过计算流体动力学/红外辐射(CFD/IR)数值模拟的方法,研究了单膨胀边倾角、喉道高度、侧壁长度和落压比(NPR)对单边膨胀喷管(SERN)气动性能和红外辐射特性的影响.研究结果表明:轴向推力系数随着单膨胀边倾斜角度增大而急剧减小,推力矢量角随着单膨胀边倾斜角度增大而增大;随着喷管落压比的增大,轴向推力系数先增大后减小,推力矢量角减小;随着喷管侧壁长度的增加,轴向推力系数可略微提高;单膨胀边对尾焰和喷管内壁有显著的遮挡作用,喷管下方的整体红外辐射仅为上方的10%左右;随着喷管落压比的增加,喷管上方的整体红外辐射降低.      

量子阱和碲镉汞红外探测器性能的对比分析

红外（ＩＲ）探测器技术对弹道导弹防御的各个方面的都是至关重要的。传统的材料系统,象锑化甸（ＩｎＳｂ）、硅化铂（ＰｔＳｉ）、碲镉汞（ＭＣＴ）和砷掺Ｓｉ：Ａｓ）占据了红外探测领域。但随着监测探测器和拦截导引头的引进,要求在中波（ＭＷ）、长波（ＬＷ）和超长波（ＶＬＷ）红外波段具有大面积、高无效性和多色（或多光谱）红外焦平面阵列器件。建立在晶格匹配基础上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和应变层ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡ