硅液相外延的线,点生长

研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。     

工艺参数对2A12铝合金微弧氧化陶瓷层生长的影响

研究了正／负向电流密度、频率和正／负向占空比对铝合金微弧氧化陶瓷层生长的影响,采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）,分析了不同氧化时间陶瓷层表面和截面形貌、成分和相组成,讨论了陶瓷层的生长过程。研究表明,正／负向电流密度相同时,随电流密度的增加膜层厚度增大;而当正向电流密度相同时,负向电流密度增加有利于膜层的生长;成膜速率随脉冲频率和负向占空比增加,均呈现先增大后减小的趋势;陶瓷层总厚度随氧化时间接近于线性增长,致密层占总膜层的比例先快速增加,其后略微下降。SEM结果显示,随氧化时间延长,样品表面膜厚度趋于均匀,界面处氧化膜变得比较平坦。陶瓷层主要由α—Al2O3和γ-Al2O3相组成,随氧化时间的延长,γ-Al2O3相在陶瓷层中的相对含量逐渐减少。而α-Al2O3相的含量逐渐提高。     

砷化镓太阳电池技术的进展与前景

介绍了砷化镓(GaAs)太阳电池的特点，并比较了液相外延(LPE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)两种外延生长技术。叙述了国外单结、双结与三结GaAs太阳电池的结构、性能、研制及生产情况，分析了GaAs太阳电池的发展方向。最后根据国内GaAs太阳电池的研制进展和空间试用情况，提出了发展我国GaAs太阳电池的设想和建议。     

有序多孔氧化铝陶瓷微观结构研究

利用扫描电镜(SEM)对模板法制备的有序多孔氧化铝陶瓷的微观结构特征、孔隙结构和晶粒生长进行了研究.结果表明:通过模板法制备的多孔氧化铝陶瓷孔结构均匀、排列有序,孔洞内部相互连通;随着料氧化铝浆固相体积的增加,多孔陶瓷的孔隙率相应降低;孔洞边缘没有出现晶粒的异常生长,与发泡法制备的多孔陶瓷相比,烧结致密度更高.     

定向凝固条件下Nd_2Fe_(14)B枝晶的择优生长方向

定向凝固技术已经成功地应用于可加工S_m-C_o永磁体的制备并表现出工艺简单等优点。该技术中,易磁化轴的取向排列是利用基体相定向凝固形成的择优取向来实现的。这就要求基体相的择优生长方向必须与其易磁化方向平行;这是采用定向凝固技术制备永磁体的前提。对于NdFeB永磁合金,基体相Nd_2Fe_(14)B具有四方晶体结构,易磁化方     

重力对单气泡生长特性的影响

采用VOF (Volume of Fluid)多相流模型, 通过用户自定义函数UDF (User Defined Function)实现相变过程中质量和能量的输运, 对微重力条件下尺寸为10mm × 10mm × 25mm的矩形通道的池沸腾现象进行数值模拟, 得到了微重力及常重力作用下单个气泡生长特性的差异. 模拟结果表明, 微重力条件下气泡周围的流线与温度场的分布有显著差异; 由于表面张力作用, 微重力下的气泡脱离特性与常重力下不同; 在微重力条件下, 气泡直径的变化比较复杂, 并与重力加速度的大小有关; Marangoni流对微重力下的流动影响很大, 使换热系数波动, 而且波动的幅度随重力加速度的减小而增大.      

掺杂纳米硅薄膜的生长特性

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅薄膜.探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结构与性能的影响及其规律.利用高分辨电镜(HREM)、Raman散射等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行初步研究,并从实验和理论上对掺杂纳米硅薄膜的生长特性进行了探讨.得出掺杂纳米硅薄膜具有与掺杂非晶硅薄膜和掺杂微晶硅薄膜不同的生长特性,即杂质原子绝大部分是非活性的,只有很少一部分在薄膜中起施主作用.大部分非活性的杂质原子存在于晶粒间界.     

旋转整流罩积冰生长与脱落过程的实验

采用冰风洞模拟实验的方法对旋转整流罩表面的积冰过程进行了研究.积冰实验装置的主体部分位于冰风洞实验段内,驱动部分在外部,采用皮带传动.通过实验得到了旋转整流罩在典型结冰条件下的积冰生长特性:开始阶段积冰生长比较缓慢,沿旋转整流罩表面分布均匀,主要为透明的明冰;然后在明冰表面出现分布不连续的白色霜冰,其形状类似"羽毛"状,生长速度较快,最终旋转整流罩表面的"羽毛"状霜冰还发生了脱落现象.