美国新一代空中交通管理系统运行概念

近几年,随着中国经济的快速发展,中国民航业的成长举世瞩目。欣喜之余,我们应该清醒地认识到,今天的中国民航仍然处在成长期,所取得的成绩只是为了被动适应市场需求而产生的数量上的提升。到2020年,国际、国内经济的持续增长将对中国民航提出更新、更大的需求,很显然,单纯依靠目前量上的增长还远远不够。为了实现中国民航质的飞跃,2005年,总局提出了建设新一代航空运输系统的宏伟构想。这是在深刻分析国内外环境和民航发展所处历史阶段后,对行业发展战略体系的不断丰富和深化。本期,本刊将围绕这一理念对建设中国的新一代航空运输系统的愿景、初步构想以及新一代航空运输系统中的空管系统的总体框架进行深入分析和阐述。     

DFT谱分析在卫星通信业务监测系统中的应用

采用离散傅立叶变换（DFT）实现了对卫星通信业务监测系统中监测信号的频谱分析。频率分辨率的大小直接决定了频谱分析的精度,因此重点研究了DFT的参数选择对频率分辨率的影响,并采用数字移频有效降低了采样频率,提高了频率分辨率,从而提高了对监测信号谱分析的精度。     

电子束物理气相沉积Nd2O3和Yb2O3共掺杂的YSZ热障涂层研究

采用固相烧结的方法制备了10 mol% Nd2O3和Yb2O3共掺杂的YSZ(3.5 mol% Y2O3部分稳定的ZrO2)材料.掺杂材料为t/t'相,而8YSZ则为t/t'与m的混合相.测试结果表明:1 100 ℃时掺杂材料的热扩散系数为4.10×10-7 m2/s,而8YSZ(8 wt.% Y2O3部分稳定的ZrO2)的则为6.41×10-7 m2/s.在200～1 300 ℃温度范围内,掺杂材料的比热容均大大低于8YSZ.电子束物理气相沉积的掺杂材料的热障涂层陶瓷层为树枝晶结构.1 100 ℃下,掺杂材料的热障涂层热循环寿命为350～500 h,而同等条件下8YSZ涂层仅为160～200 h.     

EB-PVD制备箔材的厚度均匀性研究

从真空蒸镀中使用的小平面蒸发源理论出发,针对电子束物理气相沉积中为改善箔材厚度分布所须旋转大基板进行蒸镀的情况,建立了该过程的数学模型;并利用该模型对不同的坩埚位置所沉积的箔材厚度进行了定性分析,从而实现了对坩埚与基板相对位置的优化,使基板上沉积的箔材厚度分布可以达到最均匀的状态.最后通过K值的提出使理论和实际箔材厚度的结果趋于一致,即证明所建立的数学模型是合理的.     

CVI反应器内部气体流场的有限元模拟及优化设计

采用有限元计算方法,研究了CVI反应器内部的流场特征.对于形状简单的构件,构件的放置方式和阵列对气体的流动状态具有显著的影响.与横向阵列相比,纵向阵列能充分保证构件沿其长度方向流场均匀性,减小回流现象;在反应器中,随着纵向阵列试样数量的增加和分布均匀性的提高,气体流动速度增大,流场均匀性提高.减少反应器内部的自由空间,是提高流场品质和化学气相沉积效果的关键.基于减少反应器内部的自由空间的原则,针对杯形复杂构件,提出了通过加入与其几何形状相适应的导流板工装,有效避免了在构件内部和外部形成回流区,实现流场的优化设计.     

基于细胞自动控制算法的硅各向异性湿法刻蚀物理仿真

应用细胞自动控制算法对硅湿法刻蚀进行物理仿真,按硅原子晶体结构构建细胞单元,以原子共价键连接状态和相邻细胞的状态来判断刻蚀中某个细胞是否去除或者保留,最后获得与理论分析相符的仿真结果.     

活性剂等离子弧焊接电弧现象的试验研究

研究了在穿孔等离子弧焊接过程中加入NaF、TiO2、Cr2O3、ZrO2活性剂后,等离子电弧形态与电弧电压的变化,并与无活性剂条件下的情况进行了对比.研究结果表明,A-PAW焊电弧收缩是等离子焊接熔深增加的一项重要原因,电弧是否产生收缩与所用的活性剂有关.     

真空电弧等离子放电技术及其在航空材料领域的应用

本文介绍了真空电弧等离子放电技术在离子沉积方面的应用和金属蒸气真空弧离子源在表面改性方面的应用,并探讨了两者在航空材料领域的应用。     

微型涡轮发动机控制系统仿真及台架试验

在某微型涡轮发动机控制系统开发过程中，为研究该发动机控制规律，提出一种半物理仿真和台架试验结合的研究方法。设计了包含电子控制器在回路的半物理仿真试验，通过分析原控制逻辑以及起动过程存在的问题，提出对起动控制规律的改进和优化，开展了基于原配电子控制单元和工控机的台架试验，验证了优化后的控制规律，并将其应用于控制器开发。本文提出的方法可避免大量的实物台架试验，缩短控制器的研制周期。     

CVD Al2O3-SiO2涂层的莫来石化行为

采用CVD工艺,以AlCl3-SiCl4-H2-CO2为先驱体气相体系,在石墨纸上于550℃制备出Al2O3-SiO2复合氧化物涂层,通过DTA和XRD分析了该涂层的莫来石化过程.该涂层由γ-Al2O3和非晶SiO2组成,其DTA曲线有四个典型峰,793℃弱的放热峰为开始莫来石化峰;984℃尖锐的放热峰为γ-Al2O3向δ-Al2O3转化峰;1240℃弱的吸热峰为δ-Al2O3向α-Al2O3转化峰,该过程比较缓慢;1337℃强的放热峰为莫来石形成峰,发生在δ-Al2O3与SiO2之间.结果表明,该CVD过程不具氧化性,对C不腐蚀,制备的Al2O3-SiO2涂层经1350℃热处理2h可转化为莫来石结合α-Al2O3.