深空1号(DS1)的离子推进系统

198 8年 10月 ,ＮＡＳＡ用ＤｅｌｔａⅡ火箭将深空 1号 (ＤＳ1)航天探测器送上了太空 ,验证了包括离子推进系统在内的 12项具有风险的新技术。ＤＳ1的离子推进系统是喷气推进实验室 (ＪＰＬ)计划用于彗核采样返回任务的“基本型”推力系统 ,正式称谓为ＮＳＴＡＲ ,即ＮＡＳＡ太阳电推进技术应用准备系统 (ＮＡＳＡＳｏｌａｒｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｕｌｓｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＲｅａｄｉｎｅｓｓｓｙｓｔｅｅｍ)。ＮＡＴＡＲ用一个阴极产生电子 ,电子与氙气碰撞并使其电离。然后氙离子经静电加速通过栅极喷出…     

O-SiCP/Fe界面化学稳定性

SiC颗粒在静态空气气氛中经1200℃×10h钝化氧化处理后在表面形成厚约0.6μm,具有晶态的β-方石英结构的致密氧化膜.经在氢气气氛,1150℃×1h高温处理,3SiCP/Fe界面反应形成以Fe3Si,颗粒状石墨和Fe3C为主的反应产物.Fe3Si和颗粒状石墨构成反应区,Fe3C在金属基体晶界形成片状珠光体.10SiCP/Fe中的界面反应更加激烈,SiCP被完全消耗,并被由Fe3Si和石墨颗粒构成的反应区所替代,金属基体因含Si量高而脆化.SiCP表面氧化膜通过隔离原本相互接触的SiC与Fe以阻碍Fe,Si和C原子的相互扩散,有利于抑制O-SiCP/Fe界面反应,提高其界面化学稳定性.     

冷等离子体处理对碳纤维缝编织物/环氧复合材料界面性能的影响

采用冷等离子体对碳纤维缝编织物进行表面处理 ,并采用XRD对处理前后的碳纤维表面结构进行了分析 ,研究了冷等离子体处理对浸润性以及碳纤维缝编织物 /环氧复合材料的层间剪切强度的影响。实验结果表明 ,冷等离子体处理提高了碳纤维表面活性、浸润性 ,从而改善了碳纤维缝编织物 /环氧复合材料的界面粘结性能 ,进而改善了复合材料的界面性能。     

等离子体表面技术的研究与应用

概述了离子注入、离子束沉积、等离子喷涂、离子镀、等离子体增强化学气相沉积、等离子体化学热处理和双层辉光离子渗金属等等离子体表面技术的基本原理和最新进展,并给出了部分典型实例。     

10kV IGBT固态脉冲调制器技术研究

描述了一种用于材料表面改性的新技术--等离子体浸泡式离子注入,以及它的关键设备--高压脉冲调制器.我们研制了1台用于材料表面改性的光纤隔离同步控制的10 kV IGBT固态脉冲调制器.试验结果表明技术性能优良,输出电压幅值可在1～10 kV范围内调节,脉冲宽度可在2～100μs范围内改变,重复频率可在10 Hz～8.5 kHz范围内变化;在纯阻性负载时,注入电压波形的上升时间和下降时间分别为350 ns和1.64μs;在等离子体负载时,由于电缆电容和下拉电阻较大,上升时间增加到2μs,下降时间增加到30μs;如果减小电缆电容和下拉电阻,上升时间可以进一步减小,下降时间可以减小到15μs.     

粘结层表面预处理对EB-PVD热障涂层循环氧化的影响

研究了在Ni3Al基高温合金基底上采用阴极电弧镀方法制备NiCoCrAlYHf粘结层、电子束物理气相沉积(EB PVD)方法制备Y2O3 ZrO2陶瓷层的热障涂层(TBCs)在1150～30℃之间的热循环氧化行为。通过对热循环过程中热障涂层界面韧性的测试和氧化行为的研究,分析了粘结层表面预处理工艺(喷丸和吹砂)对热障涂层使用寿命的影响。由于喷丸和吹砂会降低热障涂层的界面韧性,同时又促进了热生长氧化物(TGO)的生长,这些预处理工艺不利于提高热障涂层的寿命。     

稳态等离子体推力器磁场设计与数值分析

首先分析了稳态等离子体推力器性能对磁场的要求，据此介绍了磁路系统的工程设计原则和方法；然后，采用ANSYS大型有限元分析软件对一个具体的稳态等离子体推力器在额定工况下的磁场进行了计算，获得了满意的结果，通过对结果的分析获得了对有关现象的直观深入的认识，为所计算具体推力器的改进设计提供了线索；同时，也证实了以ANSYS为软件平台的稳态等离子体推力器磁路系统计算机数值仿真辅助设计的可行性和有效性。     

小功率电弧喷射发动机的数值计算

为详细了解电弧喷射发动机内部工作过程和相关工作参数对其性能的影响，参照实验用发动机的工作参数建立了模型，数值模拟了电弧喷射发动机工作通道内流场和电磁场。利用NND格式求解耦合电磁源项N－S方程，Gauss-Seidel迭代加超松驰方法求解椭圆型电磁场方程，计算得到的发动机工作通道内流场、电磁场结构，与实验数据进行了对比。结果表明，对同一结构尺寸的发动机，随推进剂流量变化，发动机性能存在最佳值；在一定流量范围内，实验数据和计算结果相符。     

C/C复合材料1 800℃抗氧化涂层探索研究

提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力.     

聚碳硅烷裂解中的氧影响分析

以不同纯度的氮气为保护性气氛，采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响，并讨论了在有微量氧的气氛下，不同裂解条件对陶瓷产率的影响。结果表明，氧可以与聚碳硅烷起氧化反应，形成含氧基团，使裂解产物增重。合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件，可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响。当升温速率为30℃／min、氮气流量为80mL／min时，气氛中微量氧的氧化程度降至最低，试样的陶瓷产率接近于实际值。