一种等离子体卡塞格仑抛物面隐身天线的设计

研究等离子体卡塞格仑抛物面隐身天线一体化设计的关键性问题。根据双反射面天线的经典理论设计公式得出卡塞格仑抛物面天线的设计参数,仿真计算传统卡塞格仑抛物面天线及等离子体卡塞格仑抛物面天线的辐射特性和散射特性。研究结果表明,等离子体卡塞格仑抛物面天线具有和传统金属反射体卡塞格仑抛物面天线一样的辐射性能,同时由于等离子体产生和消失的可控性,不工作时就只有介质外壳,具有极低的RCS,从而大大提高了反射面天线的隐身性能。     

高温合金K38G微晶涂层氧化动力学研究

研究了溅射微晶涂层对K38G在800℃和900℃空气中氧化动力学的影响。发现微晶化后K38G的氧化动力学与经典的抛物线规律存在负偏差。分析认为,微晶化后氧化物形核率大大提高,氧化膜中的扩散由晶格扩散变为晶界短路扩散为主,从而改变了氧化膜的生长动力学。根据Wagner高温氧化的基本理论,对微晶合金高温氧化动力学规律进行了探讨,导出微晶K38G合金氧化动力学遵循四次方规律,即x4=kPt。     

30CrMnSiA钢件三次发蓝工艺的研究和探讨

详细分析了30CrMnSiA钢件中的主要化学成分对发蓝膜形成所产生的影响。介绍了30CrMnSiA钢件三次发蓝的工艺流程，主要工艺参数及工艺条件。同时结合生产，详细研究了影响发蓝膜耐蚀性，导致发蓝膜产生白斑，发花及红色挂灰等的各种因素，提出生产中可采取的一些措施。     

欠密等离子体柱空间散射特性的数值分析

以等离子体的介质模型为基础，给出了等离子体双站ＲＣＳ公式与计算实例；分析了等离子体电参量对欠密等离子体柱双站ＲＣＳ的影响。     

铝和铝合金宽温快速阳极氧化

分析了铝和铝合金阳极氧化成膜机理,通过添加有机酸、丙三醇等拓宽了阳极氧化允许工作温度范围,对提高工效、降低成本、保证质量有较好效果。     

PCVD法工模具表面强化设备的研制

介绍了ＰＣＶＤ表面强化设备的发展概况及一种新研制一切的工业生产型ＰＣＶＤ工模具表面强化设备。用该设备可以制备ＴｉＮ系薄膜和ＴｉＳｉＮ，ＴｉＡｌＮ等元系薄膜；     

涡旋式等离子体反应器流场的试验研究

本文给出了用激光多普勒测速仪（ＬＤＡ）测量涡旋式电弧等离子体化学反应器流场的实验研究结果。实验表明：这类等离子体反应器中，旋流切向速度分量和轴向速度分量径向分布划分成近轴，过渡和近壁区。喷入电弧等离子体射流对等离子体反应器流场的影响区域是近轴区，对过渡区和近壁区没有影响。提高旋流强度，轴向载面上旋流的两个速度分量轻向分布分别呈相似的分布形式，等离子体反应器呈层流流动状态。     

纳秒级脉冲照射下隐身飞行器的隐身效果分析

为研究冲激雷达的反隐身潜力,首先用时域有限差分方法(FDTD)和解析方法计算了电磁波垂直入射时涂敷窄带雷达吸波材料(RAM)和涂敷等离子体的金属平板的反射率,然后用FDTD仿真了在纳秒级双高斯脉冲照射下某金属缩比隐身飞机模型,及其涂敷窄带RAM及涂敷等离子体的散射特性。结果表明,在低频区外形隐身的隐身效果不明显,RAM和等离子体的吸波效果较差。这证实了发射纳秒级脉冲信号的冲激雷达具有反隐身的潜力。