硅溶胶对钙基膨润土性能影响

对硅溶胶改性钙基膨润土的研究结果表明:硅溶胶/膨润土(质量比)小于1/8时,膨润土的吸附性和悬浮性随着硅溶胶加入量的增加而提高,进一步增加硅溶胶的加入量反而下降,膨胀性持续降低;pH值对硅溶胶改性效果影响不大;随焙烧温度的升高,膨润土的吸附性和膨胀性呈先上升后下降的趋势,悬浮性提高,500℃焙烧土综合性能最佳;硅溶胶改性500℃焙烧后膨润土的性能更好。差热分析表明,600~700℃焙烧膨润土失去晶格羟基,综合性能降低;扫描电镜观察说明,硅溶胶改性后膨润土颗粒分散性较好;X-射线衍射和透射电镜分析证实了带负电的硅溶胶主要结合在蒙脱石端面上。     

纳米TiO2／聚氨酯复合涂层的制备及其耐盐水浸泡性能

本文利用硅烷偶联剂对纳米TiO2进行表面改性,并将改性和未改性的纳米TiO2按不同比例添加到聚氨酯涂料中,制备了纳米TiO2/聚氨酯复合涂层,实验结果表明,经硅烷偶联剂改性后的纳米TiO2在涂料中分散良好,粒径在100 nm左右.改性后的纳米TiO2能够有效提高涂层的耐盐水浸泡性能.当改性纳米TiO2添加量为3%时,涂层的耐盐水浸泡性能最好.该涂层在经过56天的盐水浸泡后,铅笔硬度从3H下降到HB,附着力从1级下降到3级,光泽度从120.9下降到99.6,耐冲击性能从22 N·cm下降到12 N·cm,在所有试样中下降程度最低.     

稳态等离子体推进器羽流场数值模拟

采用二维轴对称模型,使用粒子网格法(PIC)和直接模拟蒙特卡洛法(DSMC)相结合的方法,对稳态等离子体推进器(SPT)羽流场进行了数值模拟.采用DSMC方法中的随机取样频率法(RSF)求解粒子碰撞过程,并对比了不同的分配电荷方式、电子运动模型及SPT出口条件时的羽流场.将不同条件计算得到的羽流场中距SPT出口0.1?m,0.5?m及1.0?m处的离子电流密度和电荷密度与实验结果进行了对比,得出在采用面积权重法分配电荷、等熵模型描述电子运动和用实验值设定发动机出口参数时对SPT羽流场数值模拟的电流密度和轴向附近的电荷密度结果与实验结果符合程度较好的结论.     

利用栅网控制空间等离子体环境效应模拟中的等离子体参数

通常采用ECR等离子体源产生的等离子体的温度和密度都比较大，通过附加适当目数的栅网，并在栅网上加一定的偏置电位来对等离子体参数，尤其是温度，密度进行调整，满足空间等离子体环境模拟要求，本文利用14目，25目的栅网，对已有的地面实验室空间等离子体环境进行了改进，得到了更加接近空间等离子体参数的一个地面模拟环境。     

离子非线性极化漂移对动力学Alfvén孤波特性的影响

考虑离子极化漂移中非线性项对动力学Alfven孤波特性的影响，采用双流体模型研究磁化等离子体中低频动力学Alfven稀疏型孤波的特性，所得的结果表明，两种类型的动力学Alfven稀疏型孤波在磁层中大范围内均存在（参数β约为10^-6,0,1,β为等离子体的热压之磁压之比，即β＝20μ0nT/B0^2)，它们或以超Alfven速或以亚Alfven速传播。同时发现在β值较小（10^-6-10^-4)时，离子极化漂移非线性项对动力学Alfven孤波特性有较大的影响，不可忽略，而在较大值时（β－0．1），此修正作用不大，由于动力学Alfven孤波允许平行电场存在，故它对等离子体中带电粒子的加速和能化起重要作用。同时也对离子的横向加速有一定的作用，它使一种新的能量转换机制成为可能。     

钛合金表面低氧压熔结Al-Si涂层及抗氧化能力

采用低氧压高温快速熔结技术在Ti-6Al-4V合金表面成功地制备出抗高温氧化的Al-Si熔结涂层.与Si改性渗涂层相比,这种工艺相对简单,不需要经过长时间的扩散就能形成足够厚度的Al-Si熔结涂层,省时节能,且涂层中抗氧化元素铝、硅的浓度可通过调整粉末的混合比例来进行控制.X射线检测表明涂层主要由Ti₅Si₃和TiAl₃组成.在923K空气中52h循环氧化试验结果表明:低氧压熔结Al-Si涂层在前10h的氧化过程中氧化增重较快,而在随后的氧化过程中氧化增重较为缓慢,而Si改性渗涂层在氧化过程中一直保持着较高的氧化速率.      

2006年4月5日中等强度磁暴期间观测到的大经度范围等离子体泡

利用分布在70°E～210°E和20°S～40°N之间的GPS台站的数据,分析了2006年4月5日夜间(中等强度磁暴期间)观测到的电离层等离子体泡的特性.结果表明,本次事件中,等离子体泡大约发生在当地日落后1～1.5 h;空间范围为经度90°E～160°E,纬度12°S～33°N.这是第一次利用地基设备观测到如此大经度范围内的等离子体泡.等离子体泡在南半球出现较早,并且存活时间较长.在其产生的过程中,在约1100 km高度上,映射到磁赤道向上的运动速度约为300m/s,并且等离子体泡在高度上有倾斜.东向电场的存在,对激发等离子体泡起到了一定的作用.      

空间等离子体导致高电压太阳阵的电流收集

给出一种能方便计算空间等离子体引起高电压太阳阵（HVSA）电流收集的理论统计模式，通过对物理过程分析认为空间等离子体致HVSA的功率损耗对HVASA的设计是不应忽视的。     

减压直流非转移弧等离子体射流速度的静电探针测量

组建了一套利用静电探针诊断技术测量减压直流非转移弧等离子体射流速度的实验系统。对以纯氩为工质的等离子体,在气流量1．25×10^-1kg/s、弧电流80A、真空室压力165Pa的条件下,测量了射流的速度及其分布。结果表明射流在发生器出口处中心最高速度约为1200m／s,在半径20mm处减小到635m／s。沿射流轴线方向的速度梯度约为10（ms^-1）／mm。射流速度随着弧电流增加而缓慢单调增加;当真空室压力从165Pa提高到2kPa时,发生器出口轴线上的射流速度从1200m／s降至570m／s。     

钛合金的离子束改性

钛合金是航空航天工业常用的结构材料,它具有重量轻、强度高、抗腐蚀强等优良性能,但耐磨性较差.为提高其耐磨性,对TC4、TA7航材试件,采用溅射方法在其表面镀上钛膜,并用(N^＋＋N^＋₂)混合离子束进行动态反冲注入及单元素C^＋离子束注入两种方法,进行表面改性.精密摩擦、磨损试验及显微硬度测量结果,试件表面的滑动摩擦系数降低了64%~77%;磨损率减少了22%~48%;显微硬度提高0.3~1.4倍.证明离子注入有效地改善了合金表层的摩擦、磨损性能.对注入样品进行X射线光电子能谱(XPS)分析,发现注入后的钛合金表层,生成了大量的TiO₂,并析出TiN,TiC等金属化合物,这是降低摩擦系数,提高耐磨性的主要因素.添加C^＋离子注入的试件,其力学性能并无进一步改善,原因有待分析.