弯曲段壁面冲击发散冷却结构流量系数与冷却效率的实验

为了研究回流燃烧室弯曲段采用冲击发散冷却结构时的流量系数和冷却效率,设计了多种不同几何尺寸的实验件模型,分别对其流量系数和冷却效率进行了实验研究,得出如下结论:①弯曲段冲击发散冷却结构的流量系数较小,一般不会超过0.7.发散孔倾角为40°的流量系数要小于倾角为20°和30°的流量系数,流量系数随着发散孔纵向间距比的增大而减小.②弯曲段冲击发散冷却结构的冷却效率均随着吹风比的增大而增大,其冷却效率要明显高于直板冲击发散冷却结构,且这种差异随着吹风比的增大而逐渐减弱.      

核电厂冷却塔水汽扩散影响因素的分析

应用计算流体力学(CFD)技术软件STAR-CD提供的k-ε(RNG)湍流模型与拉格朗日离散相模型(DPM)相结合对Chalk point电厂冷却塔附近流场以及该冷却塔水汽抬升与扩散规律进行了相关的验证,并与SACTI模式预测冷却塔水汽抬升与扩散规律以及Meroney采用CFD技术的计算结果进行比较。基于该验证结果,分别对不同环境风速、环境温度、环境湿度、冷却塔水汽排放温度对水汽扩散的影响进行了相关的研究。结果表明,环境风速与环境温度对冷却塔水汽扩散的影响较大,而环境湿度对冷却塔水汽扩散的影响次之,冷却塔水汽排放温度对水汽扩散的影响较小。并且随着环境风速与环境温度的增大,冷却塔水汽地面沉积浓度逐渐降低;随着环境湿度的增大,冷却塔水汽地面沉积浓度也逐渐增大;随着冷却塔水汽排放温度的增大,水汽地面沉积浓度也略降低。     

钛含金SPF／DB工艺在飞机主承力框上的应用研究

钛合金ＳＰＦ／ＤＢ工艺作为先进制造技木，在航空航天工业中得到越采越多的应用。本文介绍了该工艺技术在飞机主承力框上应用的情现，以及与其相关的结构设计、构件制造、构件力学性能研究等方面的情况。     

氢氧爆轰波与界面的相互作用

用ＴＶＤ格式数值模拟了初压在０．１－１．０ＭＰａ，３Ｈ２＋Ｏ２的爆轰波与固壁的反射特性，以及初压在１．０ＭＰａ，３Ｈ２＋Ｏ２的爆轰波与初压在０．０２－０．３ＭＰａ范围内的卸爆气体的相互作用特性。     

LD10高强铝合金真空扩散焊工艺研究

针对LD10铝合金真空扩散焊工艺，较详细地分析了焊接温度、压力和保温时间对接头质量的影响和作用。试验指出，焊前试件的表面清理是很重要的；接头的抗拉试验表明，不需加任何中间层金属，LD10铝合金的搭接接头抗拉强度系数大于80％．本试验条件下的最佳扩散焊工艺参数为：焊接温504℃；保温时间3h，焊接压力4MPa．     

热等静压复合成形双合金整体涡轮的研究与应用

主要概述了作为发动机整体涡轮制造技术发展方向的双合金整体涡轮的研制、发展及应用情况，介绍了粉－固、固－固等几种典型的制造双合金整体涡轮的热等静压复合连接工艺以及达到的研究水平     

扩散焊接及其在航空航天领域的应用

扩散焊接是制造航空航天构件非常重要的连接技术。本文简略地介绍了它人特点，分类，连接机理，焊接设备以及它们在航空航天领域的应用。     

因康镍718合金的超塑成形和扩散连接

介绍了用于制造火箭发动机零件的因康镍７１８合金的超塑成形和扩散连接工艺。经特殊加工的细晶粒因康镍７１８合金具有促进的超塑性，历而能用于超塑成形相当复的零件。     

关于平面激波在凹两段楔面上的传播

众所周知,当一平面激波同任意形状的障碍物相互作用时,将产生十分复杂的波系,其中激波在曲面壁上的绕射和反射,将产生非定常波系。关于平面激波在凹圆柱壁面上的传播,我们可以用一连串、长度为无限小的楔面所构成的多边形来近似和代替凹圆柱面,因此分析和研究激波在两段楔面上反射和绕射的目的在于得出激波在圆柱壁面以及其它较复杂形状壁面上的传播规律。本文采用马赫-曾德干涉仪在激波管上进行光测模型实验。根据所拍摄的流场干涉图像,以分析其波系的演变过程及传播规律,得到有关流场的密度分布和压力分布,更为重要的是给出流场参数的定量结果。     

用急冷Al基合金作中间层对Si3N4进行扩散焊连接的研究

本文研制了急冷及普通Al基中间层材料,并对其性能及其在对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊时用作中间层进行了研究。结果表明:Al基中间层经急冷凝固处理后组织细小,成分均匀,硬度高,熔点低。接头的剪切强度试验结果表明:在同一扩散焊工艺条件下,急冷中间层接头的剪切强度明显高于普通中间层接头的剪切强度。其中急冷Al-Si-In-Ti-Zn-Mg中间层接头在扩散焊温度为475℃时(保温时间30min,压力为15MPa),强度最高(50MPa)。随着扩散焊温度的提高,接头剪切强度明显下降。断口分析表明:接头均断在界面附近。界面附近的富In相是接头强度的薄弱环节。随着扩散焊温度的提高,富In相尺寸增大,接头强度下降。急冷Al基中间层扩散焊连接Si_3N_4陶瓷的机制是:活性元素Ti向界面扩散富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成界面相TiN,同时中间层中的Al也向界面富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成AIN界面相。