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61.
针对KDP晶体材料在离子束加工时晶体表面粗糙度变化情况进行了研究,研究了束电压和束电流的大小对KDP晶体表面粗糙度的影响,采用PSD功率谱分析方法探究了KDP晶体在离子束加工前后表面粗糙度频域分布及其演变情况,研究结果表明KDP晶体表面粗糙度的变化不仅与加工工艺参数有关还与材料本身性质有关,在采用较大入射角时可以使晶体表面的高频段误差得到改善.  相似文献   
62.
利用直流撞击式喷注器组织燃烧的发动机推力室喉部材料耐温极限制约了发动机燃烧效率提升,一种新型高性能直流冷壁式喷注器可以解决这一问题,为了指导这种新型喷注器的设计,从射流撞击雾化实验出发,探索了圆射流撞壁雾化规律。采用高速摄影捕获溅射雾化场整体形态,利用收集法测量溅射雾化率,选用PDA和PIV分别测量溅射液滴粒径及速度矢量。研究结果表明:射流撞壁后存在溅射,溅射液滴局部呈现螺旋状,液滴粒径为几十微米量级,溅射雾化率随撞击距离的变化规律可分为4个典型阶段:初始段、发展段、稳定段、衰减段,湍流动能为溅射雾化率的决定因素。  相似文献   
63.
热障涂层是涡轮叶片高温防护关键技术,具有典型的层状结构特征,且热障涂层服役过程中高温氧化产生热生长氧化物结构,迫切需要利用三维成像方法无损探知热障涂层内部结构.由于计算机断层成像技术能提供三维立体图像,准确再现物体内部三维结构,是热障涂层层状结构最佳分析手段之一,在热障涂层喷涂质量评价和高温氧化监测方面具有很好的前景....  相似文献   
64.
防溅射靶对离子推力器背溅射沉积污染的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
针对目前对真空舱背溅射沉积污染的计算模型误差较大的问题,对地面实验中离子推力器的背溅射沉积污染效应开展了研究,提出了更精确的计算模型。由于Reynolds的模型对束流密度在轴向上误差较大,采用改进型的离子束流模型对偏离推力器80 cm位置的真空舱背溅射沉积率做了计算,并与实验结果对比校验,结果吻合较好。用校验过的模型对光舱环境和防溅射靶环境的背溅射沉积效应开展研究,研究结果显示:光舱工况的返流沉积率为2.36×10-10 g/(cm2·s),安装防溅射分子屏的工况在推力器上的背溅射沉积率为2.51×10-11 g/(cm2·s),结果表明添加防溅射分子屏后背溅射沉积污染量可以降低近1个量级。   相似文献   
65.
采用多弧离子镀技术,在Al基底上制备了TiO2/TiN多层膜。通过控制基底材料的粗糙度使制备出的薄膜在可见波段具有非镜面反射效果。采用扫描电镜、红外辐射率测量仪、紫外-可见-近红外光光度计等测试手段对薄膜样品进行了表征。结果表明,采用多弧离子镀法在Al基底上制备了结合力良好、具有迷彩效果的低红外发射率薄膜。研究发现,随氧化层厚度增加,薄膜发射率趋向稳定(0.2左右)。薄膜电阻随氧化层厚度的变化无明显变化。  相似文献   
66.
利用阴极溅射方法在铝合金表面沉积氮化铝薄膜,利用X射线研究了沉积过程中气体压力的变化对氮化铝薄膜结晶的择优取向及薄膜内应力的影响。结果表明:在较低压力沉积的氮化铝薄膜有良好的择优取向性;氮化铝薄膜残余应力为压应力,且随气体压力增加而逐渐变化。  相似文献   
67.
针对某型飞机光电探测设备激光测距机辐射能量不满足要求的故障进行分析研究,查找故障原因,对由激光溅射引起的激光辐射器激光棒端面污染导致激光能量下降问题进行了排除,提出了改进措施建议,对提高光电探测设备工作的可靠性有重要意义.  相似文献   
68.
本文介绍了一种新的应变式压力传感器,它利用石英多晶作为弹性元件,用阴极溅射法制成应变电阻。本文对传感器的结构设计、制作工艺都做了较详细的探讨和研究,并制成一个传感器样品,对其作了一系列性能测试。  相似文献   
69.
金属基纳米复合材料的制备技术研究   总被引:17,自引:1,他引:17  
综述了复合材料家族中的新成员——金属基纳米复合材料制备技术的国内外研究现状和本课题组近期取得的研究成果,对6大类工艺方法的机理、特点、适用范围和现阶段开发程度,以及由这些制备工艺所开发出的新材料的优异的机械、物理、化学性能进行了全面分析,并综合评价了各种工艺的优缺点。在展望金属基纳米复合材料广阔的应用前景基础上,指出了其制备技术未来的发展方向。  相似文献   
70.
霍尔推力器放电室壁面溅射产额研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
霍尔推力器放电室壁面经受低能量(不大于300e V)离子的溅射是影响其寿命的关键因素之一。为了获得放电室壁面材料(BNSi O2)的溅射产额随离子入射角度和能量的变化规律,采用真实霍尔推力器提供275e V的氙离子在真空舱内轰击靶材,利用称重法获得实验参数下的溅射产额。为了克服单纯依靠实验测量耗时耗钱且更低能量的离子溅射实验测量误差会陡然增大的缺点,采用前面实验结果修正了基于蒙特卡罗(MC)方法的SRIM软件溅射产额计算参数,并采用文献实验结果对不同能量下的模拟结果进行验证。在此基础上,用SRIM软件较为详细地考察了入射离子能量低于300e V时入射角度和能量对霍尔推力器放电室壁面材料溅射产额的影响规律。结果表明,溅射产额随离子入射角度先增大后减小,而随入射离子能量则呈现增大的趋势,但当能量小于100e V时,溅射产额逐渐趋于一个非常小的数值。  相似文献   
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