2000年的数据存储器——数据存储技术发展趋势

据预测,2000年个人计算机处理速度将达100MIPS,半导体RAM容量将达1Gbyte,系统对于数据存储装置容量的要求将超过10Gbyte,数据率为100Mbyte/s,本文研究了为满足上述要求,磁盘及磁光盘需取得的进展,提出了两种假想系统配置。一种可能配置是使用每轴8片3.5英寸盘的磁盘驱动器。另一途径是使用磁光盘驱动器,由于其面密度更高,仅需1片3.5英寸盘即可满足容量要求。但要达到数据率要求和可同磁盘系统相比拟的存取时间,尚需有某些技术突破。如果没有这些突破,并假定磁盘能取得预期的进展,则磁光盘估计会提供今天的软盘所具有的某些功能——在系统之间传送程序和数据库,以及经济的脱机存储。     

霍尔推力器预电离对低频振荡及壁面腐蚀影响的研究

ATON型霍尔推力器提出后,基于缓冲区的预电离现象的系列研究随之展开。但是迄今为止,预电离率的选择仍然未有定论。文章基于SPT-100型霍尔推力器的真实工作尺寸,建立了二维轴对称全粒子网格质点法（PIC）模型对推力器放电室内的放电过程进行模拟,并通过施加不同的缓冲区预电离率着重研究了预电离率与放电通道低频振荡和推力器壁面腐蚀之间的关系。研究结果显示,缓冲区预电离率的提高可以有效抑制放电通道内的低频振荡,使推力器工作性能提高。但与此同时,由于撞击通道壁面的离子能量增加导致通道壁面腐蚀加剧。