SiO_2溶胶在电沉积法制备CuInS_2薄膜中的作用

针对目前电沉积法制备的CuInS_2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO_2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu-In-S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO_2溶胶.在空气气氛中对Cu-In-S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究.结果表明:SiO_2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO_2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善.因此,镀液中加入SiO_2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显.     

薄膜硬度计算方法

为了将薄膜本征硬度从所测复合硬度中提取出来,目前有很多计算或描述的模型和方程。本文介绍了目前提出的计算薄膜硬度的方法和模型,对各方法和模型进行了分析比较,并对其未来发展方向进行了展望。     

PI/SiO_2复合薄膜导热性能理论预测和实验验证

在对复合材料导热性能的多种预测模型进行理论分析和对比研究的基础上,应用自行研制的亚微米/微米薄膜材料热性能测试仪和差示扫描量热仪(DSC)对聚酰亚胺(PI)及其复合薄膜PI/SiO2的热扩散率和比热进行了实验研究,通过导热系数实测值和模型预测值的对比,显示预测模型中考虑填充颗粒尺寸分布的Sorin模型预测值与实验值更为吻合。理论预测和实验研究均表明,在20～160℃温区内,PI/SiO2的导热系数随着SiO2添加量的增加和温度升高呈现明显增大的趋势。     

气体压力对铝基体上氮化铝薄膜残余应力的影响

利用阴极溅射方法在铝合金表面沉积氮化铝薄膜,利用Ｘ射线研究了沉积过程中气体压力的变化对氮化铝薄膜结晶的择优取向及薄膜内应力的影响。结果表明：在较低压力沉积的氮化铝薄膜有良好的择优取向性;氮化铝薄膜残余应力为压应力,且随气体压力增加而逐渐变化。     

TiN薄膜微结构激光加工特性的研究

利用光纤激光加工系统研究了两个激光加工参数(扫描速度和激光功率)对TiN薄膜加工特性的影响,并采用白光干涉仪分析了两组参数对加工直线槽的槽深、堆积高度和槽底表面粗糙度的影响趋势,通过对比分析,优化了加工参数。结果表明光纤激光器在加工TiN薄膜微结构上存在着效率高、精度高的优势。     

酌射线和原子氧辐照对ZnO 颐Al 薄膜的影响

利用直流磁控溅射法制备了两组ZAO 薄膜,使用60 Co 放射源对一组薄膜进行了酌射线辐照,在原子氧地面模拟设备中对另一组进行了原子氧辐照,并对辐照前后的样品进行了微观结构、表面形貌及电学特性的表征。结果表明,较高剂量率的酌射线辐照会降低薄膜的结晶程度,而低剂量率的辐照有相反作用。酌射线可激发薄膜中的电子,提高其载流子浓度,最大比率为16. 39%。AO 辐照仅对ZAO 薄膜的表面具有氧化效应,导致表面化学成分中晶格氧比例的提高和薄膜载流子浓度的下降。随着薄膜厚度的增大,载流子浓度的下降比例逐渐减小。
     

叶片前缘气膜冷却换热的实验研究

对叶片前缘多排圆柱形孔的气膜冷却换热进行了实验研究。测出了不发生主流侵入腔室的最小平均吹风比、孔排区及其下游的局部换热系数,并研究了主流雷诺数及平均吹风比对局部换热系数比的影响。实验参数范围：主流雷诺数Ｒｅ＝４２０００～１２７０００,平均吹风比Ｍ＝０．８～２．０,测量分８个工况进行。     

非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫

用射频溅射制备了一组厚度不同的NiSiB非晶态薄膜.在不同温度下,用不同时间对薄膜进行了循环退火.实验测量了循环退火后的薄膜电阻随温度的变化,得到可逆和不可逆两组曲线.厚度较大(>1 000)的薄膜,电阻随温度的增加而增大,厚度较小(<400)的薄膜,电阻随温度的增加而减小.电阻温度系数有正有负.从非晶态材料的结构弛豫出发,应用激活能谱模型和推广的Ziman理论讨论了实验所得的结果.     

硬质合金表面金刚石薄膜的结合强度与破坏方式

研究了不同表面预处理条件下,硬质合金表面沉积金刚石薄膜及薄膜的附着强度和破坏方式。结果表明,准分子激光预处理可大幅度提高金刚石薄膜的附着强度,其原因是由于准分子激光辐照处理后硬质合金表面粗糙化所产生的“锚链效应”。     

光学太阳反射镜抗静电薄膜的设计原则

对氧化铟锡（ITO）薄膜在光学太阳反射镜（OSR）抗静电放电设计中的应用进行了研究，采用Drude理论分析了ITO薄膜的表面方阻等对OSR的太阳光谱吸收比的影响，测试了光学太阳反射镜充电电位，讨论了薄膜接地状况对OSR表面充放电性能的影响，结果表明，ITO薄膜应用于OSR表面防静电放电时，需合理设计表面方阻和接地方式。