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282.
283.
暗硅系统功耗预算问题可被归类为一种NP-hard问题,针对其存在的提高芯片均温与降低通信成本2个对立优化目标,提出了一种基于任务映射的暗硅芯片功耗预算方法。为降低计算复杂度,基于率先映射高通信量并对后续映射影响较小的任务的规则建立模型,将任务图转换为最大生成树的形式,以优先级值的大小决定任务进行映射的先后顺序。在稳态情况下逐个进行核心寻优,将排序后的任务放置于合适的核心位置,并以凸二次规划问题形式对已确定映射核心位置的功耗预算进行求解。实验表明:针对12开启核心的36核心系统,与经典的热安全功耗预算方法相比,所提方法将总功耗预算提高了11.8%,通信能耗降低了38.2%。 相似文献
284.
采用胺解法合成了二(3-乙炔基苯胺) -二甲基硅烷(SZ),并与含硅芳炔(PSA)树脂熔融共混制
备了PSA/ SZ。利用一系列测试手段考察了PSA/ SZ 树脂的流变行为、固化反应、热稳定性、弯曲、介电性能以
及石英布增强PSA/ SZ 复合材料的力学性能。结果表明,硅氮烷SZ 的加入有效降低了PSA/ SZ 树脂的黏度,
PSA/ SZ 浇铸体的弯曲强度提高了62. 7%,石英纤维增强PSA/ SZ 复合材料的弯曲和层剪强度分别提高了
18. 7%和60. 4%。
相似文献
285.
航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著。目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题。针对这些问题,提出了一款基于130nm部分耗尽绝缘体上硅(partially-depleted silicon on insulator,PD SOI)工艺的高速单粒子辐射自恢复锁存器。在对电路设计进行介绍的基础上,与其他已经报道的电路进行了对比,并利用节点翻转分析和仿真波形验证了该锁存器具有抗单粒子翻转自恢复的功能。对比结果表明,与其他的抗单粒子翻转自恢复锁存器相比,在牺牲部分功耗的代价下,大幅减小了锁存器的面积和延时。本方案所提出的辐射加固锁存器的综合开销指标APDP较其他辐射加固锁存器平均节省了71.14%,适用于辐射环境下的对速度和可靠性有较高要求的电路,为国产宇航高可靠自研芯片提供了选择。 相似文献
286.
对MEMS“三明治”式倾角传感器进行结构优化设计,敏感元件采用双梁-质量块结构,其中可动质量块通过双梁和周围框架相连,可动质量块和上下盖板构成上下差分电容。外界给定某一加速度时,上下间隙此消彼长,从而导致电容量发生变化。通过建立敏感元件的静力学模型,获得敏感元件的关键尺寸与其性能参数的关系,基于体硅工艺建立敏感元件的三维工艺模型,并采用ANSYS有限元仿真对敏感元件的灵敏度、线性度、谐振频率等参数进行分析计算,结果表明:敏感结构的一阶谐振频率为576.68 Hz,灵敏度为0.76 pF/g,±30°、±90°对应的线性度分别为0.8‰、3‰,均符合设计要求,最后给出了倾角传感器敏感元件的加工流程。 相似文献
287.
288.
289.
本文以Al-50wt%Si高硅铝合金为研究对象,采用单因素试验方法进行无涂层硬质合金刀具干式铣削试验,分析切削参数对刀具磨损和表面粗糙度的影响。结果表明:表面粗糙度受每齿进给量的影响最显著,随每齿进给量的增加而增加,当每齿进给量从0.07 mm/z增加到0.16 mm/z时,表面粗糙度增加2倍;刀具磨损受切削速度的影响最显著,随切削速度的增加而增加,当切削速度从140 m/min增加到260 m/min时,切削总长度降低3倍,而刀具后刀面磨损量仅是260 m/min速度下的0.8倍;表面粗糙度随刀具磨损的增加呈现先增加后降低的变化趋势,切削长度从350 mm增加到1 750 mm,刀具磨损量平均增加4.5倍,而表面粗糙度却下降2倍;硬质合金刀具主要的磨损形式为磨粒磨损、崩刃。 相似文献
290.