微光机电系统制造工艺综述

重点阐述了微光机电系统(MOEMS)的基本制造工艺:硅微机械加工技术和LIGA技术,并介绍了几种典型的工艺应用。最后对其发展进行了展望。     

高硅氧玻璃纤维／酚醛树脂复合材料切削力的试验研究

通过用PCD刀具对高硅氧玻璃纤维/酚醛树脂复合材料的车削试验,采用正交试验和回归分析法,研究了切削用量三要素对切削力的影响规律,建立了切削力的经验模型.结果表明,背吃刀量是影响切削力的主要因素,增大背吃刀量时主切削力和进给力都显著增大;增大进给量也使主切削力增大,但其影响小于背吃刀量;而切削速度对切削力的影响很小.所建切削力经验公式可作为切削加工该复合材料时切削用量选择及切削力控制的依据.     

高硅氧玻璃纤维布增强聚四氟乙烯(PTFE)复合材料介电性能研究

对高硅氧玻璃纤维布增强聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）复合材料的含胶量、成型压力、烧结温度及环境湿度等多种因素对其介电性能的影响进行了较为系统的实验研究。结果表明,高硅氧玻璃纤维布增强聚;上氟乙烯复合材料在上述因素影响下,其介电常数在２．９０￣３．３０的范围内变化,其中环境湿度是主要的影响因素。     

用N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定不锈钢材料中硅含量

运用N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定不锈钢材料中的硅含量。介绍硅的最佳测定条件以及线性范围的浓度，在样品测定中对干扰因素进行了综合考虑。实验表明：N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法灵敏度高、干扰小、选择性和重现性好，步骤简单、操作容易、分析周期短。测定样品含硅量10μg/mL～60μg/mL(n=6)时，其相对标准偏差均小于1．0％，标准加入回收率均为97．0％～103．0％(n=6)，适用于不锈钢材料中硅含量的测试，达到了实验室分析质量控制的要求。     

钛硅共晶合金的组织与性能研究

在氩气保护下，利用非自耗钨极水冷铜坩埚电弧熔炼法制备Ti-Si共晶合金，并研究其组织与性能。X射线衍射结果，室温下铸态Ti-Si合金的组织由α-Ti基体和金属间化合物TisSi3两相组成，具有非平衡凝固特征。Miedema理论计算说明，TisSi3相的生成热比高温下β-Ti的生成热更小，共晶反应时Ti3Si3相先析出。首次测得Ti-Si共晶系合金的压缩强度和塑性，分析断口特征发现，不同共晶类型的Ti-Si合金虽然都属于脆性断裂，但断裂机制不尽相同。     

SOI结构材料红外吸收光谱的研究

用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＯｎＩｎｓｕ　ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的不均匀性，据此，并可分析与之相关的ＳＯＩ样品的质量参数．这种分析方法，是一种无损的检测手段，具有实用价值．     

光学相控阵技术最新研究进展

在梳理光学相控阵原理的基础上,阐述了国内外光学相控阵关键技术研究的最新进展,并详细介绍了基于光波导、液晶、硅基平台的光学相控阵的技术,结合光学相控阵的发展趋势给出了光学相控阵在激光雷达、空间通信、图像投影等领域的应用前景。现今的光学相控阵正朝着大扫描角度、高精度、快速响应、小型化、高集成化等方向发展。     

0.13μm部分耗尽SOI工艺反相器链SET脉宽传播

基于0.13 μm部分耗尽绝缘体上硅（PD-SOI）工艺,设计了一款片上反相器链（DFF）单粒子瞬态（SET）脉宽测试电路并流片实现,SET脉宽测试范围为105~3 150 ps,精度为±52.5 ps。利用重离子加速器和脉冲激光模拟单粒子效应试验装置对器件进行了SET脉宽试验。采用线性能量传输（LET值）为37.6 MeV·cm2/mg的86Kr离子触发了反相器链的三级脉宽传播,利用脉冲激光正面测试器件触发了相同级数的脉宽,同时,激光能量值为5 500 pJ时触发了反相器链的双极放大效应,脉宽展宽32.4%。通过对比激光与重离子的试验结果,以及明确激光到达有源区的有效能量的影响因子,建立了激光有效能量与重离子LET值的对应关系,分析了两者对应关系偏差的原因。研究结果可为其他种类芯片单粒子效应试验建立激光有效能量与重离子LET值的对应关系提供参考。