全文获取类型
收费全文 | 212篇 |
免费 | 58篇 |
国内免费 | 20篇 |
专业分类
航空 | 177篇 |
航天技术 | 28篇 |
综合类 | 19篇 |
航天 | 66篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 15篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 9篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 17篇 |
2010年 | 14篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 11篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 11篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 7篇 |
1992年 | 11篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 4篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有290条查询结果,搜索用时 15 毫秒
191.
192.
DING Wen-ge YU Wei ZHANG Jiang-yong HAN Li FU Guang-sheng 《中国航空学报》2006,19(B12):173-178
The hydrogenated amorphous silicon nitride (SiNx) thin films embedded with nano-structural silicon were prepared and the micro- structures at the interface of silicon nano-grains/SiNx were identified by the optical absorption and Raman scattering measurements. Characterized by the exponential tail of optical absorption and the band-width of the Raman scattering TO mode, the disorder in the interface region increases with the gas flow ratio increasing. Besides, as reflected by the sub-gap absorption coefficients, the density of interface defect states decreases, which can be attributed to the structural mismatch in the interface region and also the changes of hydrogen content in the deposited films. Additional annealing treatment results in a significant increase of defects and degree of disorder, for which the hydrogen out-diffusion in the annealing process would be responsible. 相似文献
193.
李盛和%谢志强%姜云波%吴东周%张友寿 《宇航材料工艺》2005,35(3):43-46,61
分析了激光焊接时为克服焊接裂纹所采取的焊前预热、短焦距焊接及焊接工艺参数等因素对裂纹敏感性的影响。结果表明:选择合适的焊接参数可减少裂纹的产生,但其作用有限,还不能从根本上消除裂纹。焊前预热及焊后缓冷对抑制裂纹作用显著,且随着预热温度提高裂纹率呈下降趋势。此外焊接中减少铍的熔化量对减少裂纹亦发挥了重要作用。 相似文献
194.
Al-Si合金中几种常用变质剂的变质效果明显不同。从不同角度对各种元素的变质作用机理进行了探讨,但对于这些元素在变质效果上的差异尚未得到完满的解释。作者前期的工作采用XPS和AES表面分析技术检测了Sr在Si相的特定晶面的吸附性。本文将运用同样的实验方法,分别对Na、RE、Sb等变质剂作相应的考察,并对这些变质剂变质作用的差异进行探讨。 相似文献
195.
硅微传感器中微弱信号的相关检测 总被引:10,自引:0,他引:10
主要论述全光纤硅谐振微传感器中微弱信号的相关检测技术,研究表明,对于高阻抗信号源,有效信号电流仅为纳安级,信噪比很低,谐振频率高达200kHz的微弱信号,可通过用低漂移-高输入阻抗和宽频带的运放作为前置放大器,并进一步应用相关检测原理,设计出相应的电路,就能极大地提高信噪比,检测出有效信号,实现硅微传感器微弱信号的检测。 相似文献
196.
197.
某型国外引进装备的电视摄像机成像组件随着使用年限的增加,成像面出现老化、灵敏度下降,光电转换后的图像变模糊、成像质量下降,针对上述问题开展国产化研究.通过逆向工程结合数字成像技术,利用CMOS传感器设计出国产化成像组件,替代原摄像机中硅靶摄像管成像组件成像,经装机验证满足引进装备的使用要求. 相似文献
198.
硅的分布对铝—硅涂层抗热腐蚀性能的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
利用RFL热腐蚀试验装置,在温度为900℃,盐浓度20~100ppm,试验时间200小时的条件下,研究了三种具有不同硅分布形式的Al-Si涂层的抗热腐蚀性能。试验结果表明:涂层的抗热腐蚀性能与涂层中硅的分布形式密切相关。在涂层硅含量相当的情况下,硅呈内高外低的形式分布,可使涂层获得更佳的抗热腐蚀性能。 相似文献
199.
200.