SOI结构材料红外吸收光谱的研究

用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＯｎＩｎｓｕ　ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的不均匀性，据此，并可分析与之相关的ＳＯＩ样品的质量参数．这种分析方法，是一种无损的检测手段，具有实用价值．     

镍镉浸渍液中硅含量新工艺测试方法

提出并研究用氧化亚氮—乙炔火焰原子吸收光谱法分析测试镍镉浸渍液中的含硅量。并对镍镉浸渍液中硅含量的测试方法等条件进行综合考虑。新工艺测试方法具有很好的灵敏度，干扰少，重现性好，其含硅量在５～５０μｇ·ｍｌ－１范围内与吸光度呈线性关系。测定样品含硅量（３４．０μｇ·ｍｌ－１ｎ＝１０），相对标准偏差为小于２．２％。标准加入回收率均在９８％～１０３％范围内。适用于镍镉浸渍液中含硅量的控制分析和样品系统分析。在当前分析领域里，用氧化亚氮—乙炔火焰原子吸收法分析测试镍镉浸渍液中含硅量属一种先进的仪器分析测试方法。     

小型固体发动机壳体隔热层的试验研究

本文在初步设计基础上,经过反复实践,总结了这类型固体发动机壳体隔热层设计中的几个问题。对于自由装填隔热层的设计,首先确定在发动机工作条件下允许的应力应变,其次选用高温力学性能较好的树脂和烧蚀率小的结构方案。这样,可以承受热载荷的冲击,耐冲刷和耐烧蚀。试验结果与计算较一致。     

铝硅合金熔炼新工艺

一、前言 铝硅合金熔炼过程中精炼与变质处理是必不可少的工序。过去一直采用六氯乙烷精炼、氟盐变质处理工艺。众所周知,采用这种工艺所产生的气体严重损害工人健康,腐蚀厂房设备。自70年代末以来,我国铸造行业相继研制了十多种无公害熔剂,我们对这些有代表性的产品进行了应用试验,但因其处理铝合金质量不稳定,且有一定的刺激性气体产生,所以未能推广应用。1989年以后,我们又对航空航天工业部有关课题组1987年研制的铝合金无公害精炼变质剂HJB2~*进行了推广应用,代替老工艺处理ZL101、ZL104合金,获得了较好的社会、经济效益,深受工人欢迎。 二、试验内容与方法     

8cm×8cm大面积硅太阳电池的研究

介绍8cm×8cm多孔卷包槽式电极背栅硅太阳电池的设计、研制过程及其最近的研制进展.在研究过程中,攻克了硅片打孔、正负电极共面、埋入式电机制造、背栅和介质背反射器等项关键技术;解决了密栅钛钯银电极光刻、背表面场真空制作和Ta_2O_5/Al_2O_3双层减反射膜等多项技术难题.测试表明,电池的各项性能参数都达到了2cm×2cm高效太阳电池的水平,是国内迄今为止面积最大、结构最新颖、可适用于柔性方阵的一种大面积高效硅太阳电池.     

带有补偿电路的互换性硅压力传感器

该文介绍硅压阻式压力传感器。利用多晶硅电阻元件补偿温度影响,该传感器工作范围广,有互换性,兼具多种优点。掺入硼杂质,调节温度系数和灵敏度等重要参量。硅片处理包括615℃时用LPCVD法形成多晶硅;两次掺硼;950℃氮中老化30分钟;湿法制作图案。给出特性参数。工作温度-30～+125℃,满刻度输出7.5mV/V。     

硅加速度计

在技术武器系统，稳定控制、机器人和商业用途领域，正出现一些需要低成本，小尺寸、中等精度加速度计的市场。微型机械制造技术极其适合上述的需要，德雷珀实验室已开发了系列硅－硼硅酸玻璃加速度计，以适应上述需要。其中一项用途是用于一个监控飞行炮弹运动的系统中，它需要动态量程范围为１ｍｇ￣１００ｋｇ的抗冲击的加速度计；第二个感兴趣的领域是用于小加速度值的商业仪表中。研制方案已集中在使用电容检测器和力平衡型的微