C/C-SiC复合材料两种制备工艺及材料性能

以碳纤维整体毡为预制体,采用化学气相渗透法(CVI)制备出低密度碳/碳复合材料,再分别采用液相硅渗透工艺(LSI)制备出密度为2.1g/cm3的碳/碳-碳化硅复合材料(C/C-SiC),及先驱体转化工艺(PIP)制备出密度为1.9g/cm3的C/C-SiC.对2种工艺制备的C/C-SiC力学性能进行了比较,结果表明:PIP工艺制备的C/C-SiC弯曲强度为287MPa,明显高于LSI工艺制备的弯曲强度155MPa.     

用聚合物裂解制造Si_3N_4或Si_3N_4－SiC陶瓷材料

本文对国外用聚硅氮烷或其它聚合物裂解制造Ｓｉ２Ｎ４或Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ陶瓷材料的研究进行了扼要的综述，着重介绍了聚硅氮烷的制造方法，并展望了其应用前景。     

热激励谐振式硅微结构压力传感器

对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件,硅梁作为二次敏感元件的热激励硅谐振式压力微传感器进行了较系统的研究 :建立了微传感器敏感结构的工程用数学模型;以所建立的模型实际设计了敏感结构参数 :方形膜边长 4 mm,膜厚 0.1 mm,梁谐振子长 1.3mm,宽 0.0 8mm,厚 0.0 0 7mm;采用微机械加工工艺加工出了原理样件;采用电热激励、压阻拾振方式对其进行了开环测试     

五维光电位置传感器的研究初探

为克服研制磁悬挂天平电感式位置传感器的不足，继而又研制了五维光电位置传感器。它除了改善信号采集的方式外，还可以在控制绕组中使用ＰＷＭ供电方式，降低装置的功耗。本文介绍了这种传感器的工作原理，同时给出了用ＣＣＤ线阵列做传感器的方法。     

微晶钛合金薄板粉末包埋渗铝及铝硅共渗研究

采用粉末包埋法对电子束物理气相(EB- PVD)制备钛合金薄板在620℃分别进行6h渗铝及铝硅共渗,采用XRD、SEM等对EB- PVD制备钛合金薄板显微组织以及粉末包埋法渗铝及Al- Si共渗后的钛合金薄板显微组织结构进行研究.结果表明,微晶合金可以在620℃实现渗铝和铝硅共渗.渗铝层的相结构主要为Al3 Ti相,但由于渗层Al3 Ti相为脆性相,在渗后冷却过程中热应力的作用下,易产生裂纹.铝硅共渗层的相结构主要为Al3 Ti和Ti5 Si3相,由于Si存在渗层中,渗层中不存在裂纹.     

低温直接键合硅片亲水性及其键合效果评价

对硅片进行了不同条件及方式的清洗预处理,使硅片表面获得不同程度的亲水性,利用硅片表面的接触角等研究比较了不同清洗方式对硅片亲水性的影响,并采用红外透视仪及拉伸测试法对键合质量测试比较.试验结果表明RCAl的清洗处理对硅片表面亲水性提高程度较大,等离子体处理能够大幅提高硅片亲水性但要严格控制处理时长,试验结果为实现低温退...     

新型含硅芳炔树脂复合材料制备工艺

以含硅芳炔树脂为基体、高强玻璃布为增强材料制备了新型含硅芳炔树脂复合材料,探讨了树脂的固化工艺,研究了树脂含量、成型温度和成型压力对复合材料性能的影响,确定了含硅芳炔树脂复合材料成型的工艺参数:树脂质量分数31%、升温程序170℃/2h+210℃/2h+250℃/4h、成型压力1.0MPa。优化工艺条件下制备的复合材料弯曲强度达278MPa。     

带有调节电路和温度补偿的硅压力传感器

本文介绍一种芯片上带有信号调节功能的硅压力传感器。制作时,在标准的3μmCMDS工艺过程中加入了微机械加工工艺,利用带电化学阻蚀剂的各向异性腐蚀技术,在(100)取向硅片上进行腐蚀。控制膜片厚度,使厚度容差小于0.5μm。在同一膜片上,集成了完整的CMDS测量电路。带压阻元件的惠氏电桥的输出信号由一个仪器放大器放大。该放大器的放大率和温度有关,以便补偿灵敏度随温度的变化。另外,灵敏度本身的变化、偏置和偏置随温度的变化亦予以补偿。芯片还具备微调功能,以便在-40～+125℃范围内对所述各参数进行调节。     

Al—Si合金激光表面合金化的研究

采用ＣＯ２连续激光器对Ａｌ－Ｓｉ合金进行表面合金化处理。采用近代测试手段对表层的组织结构、相组成、合金化元素的分布及显微硬度进行测试和分析。结果表明，合金化元素和其它一些硬质相固溶到α－Ａｌ中，表面层的显微结构明显细化，显微硬度由基体的８０～９０提高到２５０～２８０。     

硅液相外延工艺研究

根据硅液相外延研究过程中的现象及结果，具体讨论了硅液相外延工艺中四个关键环节，给出了衬底处理，溶源，衬底保护，残余熔体处理的方法。