先进的砷化镓制造设备

哈里斯微波半导体公司研制了一种先进的GaAs(砷化镓)制造设备,力图成为军用单片微波集成电路(MMIC)的主要生产厂家.哈里斯公司掌握GaAs MMIC从晶体生长(几乎不用铸造工艺)到封装整个电路的每一道生产工序.该公司已对生产厂和设备投资了3000万美元,雇用人员仅70人,年产近 5万个MMIC和多达40万个微波元件(如场效应晶体管).年销售额达1000万美元.哈里斯同通用电气和休斯公司一起参与了DARPA(国防预研项目局)的微波/毫米波MMIC硬件研制计划第一阶段的机载和陆基雷达系统研究工作.这些公司于1988年     

砷化镓太阳电池技术的进展与前景

介绍了砷化镓(GaAs)太阳电池的特点，并比较了液相外延(LPE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)两种外延生长技术。叙述了国外单结、双结与三结GaAs太阳电池的结构、性能、研制及生产情况，分析了GaAs太阳电池的发展方向。最后根据国内GaAs太阳电池的研制进展和空间试用情况，提出了发展我国GaAs太阳电池的设想和建议。     

砷化镓异质外延薄膜的近红外光致发光研究

本文通过在硅衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光，研究了在液氮温度下峰值为１．１３与１．０４ｅＶ两个发光带的发光特性。     

新一代载人飞船试验船能源管理功能研制特点

在系统架构研制中,针对新一代载人飞船试验船8000 km大椭圆轨道的任务特点,以及运行过程反复穿越辐射带的新环境特性,通过开展故障模式与影响分析和故障树分析工作,提出并采用了基于独立冗余的多机组主电源和多机组备份电源的高可靠高安全性能源系统总体技术方案,消除了分系统级单点故障环节,在发生一重甚至二重故障后,经过故障重构...     

功率FET大信号负载牵引测试系统研制

介绍大信号负载牵引测试简况、负载牵引测试的目的和意义、本系统的主要技术指标、技术途径和方案选择、测试软件流程图、测试结果举例，简述本课题的关键技术及主要工作，以及保证测试系统稳定可靠工作所采取的措施。最后进行了误差分析，介绍了应用实例。     

GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的辐射效应

本文阐述了量子阱红外探测器性能的质子辐射效应试验结果。     

四结砷化镓太阳电池电路可靠性设计及验证技术研究

四结砷化镓太阳电池在半刚性太阳翼上应用,需要满足长寿命高可靠要求,文章针对新型太阳电池片在轨应用的空间环境适应性考核验证问题,开展了四结砷化镓太阳电池小板试验验证,对试验方案及数据结果进行了分析说明.通过对热、静电放电、辐照的分析及试验,结果表明:四结砷化镓太阳电池可以满足半刚性太阳翼长寿命高可靠应用的要求,相关试验验证情况将为后续四结砷化镓太阳电池在卫星半刚性太阳翼大范围的工程应用提供参考.     

砷化镓推动NASA探测技术向前发展

据英国Compondsemiconductor．net网站2012年2月15日报道,一种加入砷化镓（GaAs）芯片的新型热红外遥感器（TIRS）推动了美国国家航空航天局（NASA）探测技术的飞跃发展。TIRS将采用一种新技术实现地球温度的测量,这种新技术将量子物理应用到热量探测上。TIRS是一种新型的地球资源卫星仪器的一部分,已经运抵美国亚利桑那州吉尔伯特轨道科学公司,