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均匀化退火对铸造高铝青铜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪等分析设备对一种新型高强度、高耐磨铸造高铝青铜在不同温度与时间均匀化处理后的显微组织和力学性能进行了研究分析.研究结果表明,铸造高铝青铜经均匀化退火可消除铸造偏析,提高机械性能.在均匀化退火过程中,偏析原子通过固溶和形成强化相来改善铸造合金的显微组织,当组织为在β相上弥散分布着均匀、细小、圆整的κ相时,合金具有较好的力学性能;试验铸造高铝青铜的显微组织和力学性能随均匀化退火温度和时间发生变化,通过对比试验,确定出最佳的均匀化退火工艺为950℃/9h. 相似文献
83.
84.
失谐周期压电复合材料结构中的波动局部化研究 总被引:2,自引:1,他引:2
考虑力电耦合效应的影响,研究了层状失谐周期压电复合材料结构中的波动局部化问题。根据界面上力电连续条件,推导了结构中相邻单胞间的传递矩阵。以力场和电场变量为状态向量,给出了结构中局部化因子的表达式。作为算例,计算了结构中的波动局部化因子。计算结果表明,压电陶瓷的压电效应对周期压电复合材料的波动局部化特性有显著影响,压电常数越大局部化因子值越大,结构的局部化程度越强;结构的失谐度越大,频率通带区间内的局部化因子值越大,局部化程度越强。分析结果对于周期压电复合材料结构的优化设计和振动控制具有理论参考价值。 相似文献
85.
表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。 相似文献
86.
87.
介绍了一种方便的使用CATIA V5版本建立三维标准件库的方法,并给出了具体步骤。应用这种方法可以方便的建立各种客户化的标准件库,并运用CATIA V5的库管理功能进行管理和调用。 相似文献
88.
利用均匀化方法研究缝纫复合材料层压板的弹性性能,给出了相应的数学分析模型。建立了有限元分析的单胞模型,并进行求解。计算结果表明,利用这种半解析模型可以得到缝纫层压板的弹性模量的上下限,其平均值与实验结果平均值吻合得很好。 相似文献
89.
为了提高石墨材料的抗氧化性,在石墨表面制备SiC/Si-MoSi2抗氧化涂层.首先采用液硅渗透在石墨材料表面制备SiC内涂层,然后采用料浆刷涂法制备Si-MoSi2外层.详细研究了SiC内层厚度对所制备的SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能的影响.结果表明,SiC内层厚度对涂层的氧化防护能力有很大影响;在本实验条件下,当SiC内层厚度为240μm左右时,所制备的涂层在1 400℃的高温下对碳基体具有长时间的氧化防护性能.并从微观结构上分析和解释SiC内层厚度对所制备涂层的抗氧化性能的影响. 相似文献
90.