高速摄像系统及其在靶场中的应用分析

从高速摄像系统基本构成出发，对其工作原理、记录模式进行了介绍，并就其在靶场的应用和参数设置的计算进行了探讨。     

压力传感器的技术指标与温度修正技术

介绍了压力传感器的主要技术指标，并简要阐述了对压力传感器进行温度补偿的目的与方法，供使用人员参考。     

高超声速低密度风洞红外热图技术初步研究

为了对红外测热与热电偶测热进行比较研究，在马赫数M∞=12，驻点温度T0=650K，驻点压力P0=1630kPa的高超声速稀薄气流中，对一平板斜坡薄壁模型进行了试验，试验结果表明这二者所获得的模型表面热流率符合得较好。与此同时，对模型表面发射率的测量、模型物面坐标与热图象素坐标的对应关系也进行了初步探讨，重点提出了在大极角情况下对发射率进行修正的方法，即根据模型表面不同位置的法线，调整红外热像仅镜头轴线，使被测量区域的极角尽可能小，以保证发射率在此范围内为常数。     

机载多传感器数据融合模型和方法研究

随着多种传感器探测技术的快速发展,数据融合方法的不断被提出和采用。文中提出了一种机载多传感器探测系统结构,并分析了其关键技术,将贝叶斯判别法应用在完成目标估计和判别的数据融合方面。探讨了该方法实现机载多传感器数据融合模型及其可靠性。     

涡轮叶栅前缘气膜冷却对气动参数影响的数值研究

采用具有TVD性质的三阶精度有限差分格式、自由型曲面技术以及多区域网格算法,对前缘带有三排冷气孔的涡轮导叶进行了气膜冷却数值计算,分析了前缘冷气喷射对涡轮气动参数的影响,描述了叶型表面冷气射流的运动规律。结果表明,冷气喷射导致了流量、马赫数和温度较为明显的变化,前缘和吸力面获得的绝热效率高于压力面,压力面冷气射流的运动规律比较复杂。型面压力只在冷气孔区域有明显的波动。     

气膜出流条件下回转通道流动特性的实验研究

采用实验方法研究气膜出流条件下带肋回转通道流动特性,其中回转通道为带90°直肋变截面通道。根据研究问题的特点,利用单元分析方法,定义了壁面有效压力及单元有效压力系数。结果表明:通道出口段存在气膜出流与无气膜出流情况相比出口段有效压力分布发生变化,并且使整个通道的流阻下降。影响流动的主要因素是通道的阻塞比、长径比、宽高比、气膜出流比和进口雷诺数。     

非定常尾迹对叶栅气膜冷却效率的影响

通过实验的方法研究了非定常尾迹对气膜冷却效率的影响,在平面叶栅实验台上安装了尾迹发生器,用来产生非定常尾迹。用热电偶测量了雷诺数5 04×104,1 08×105,斯托劳哈儿数0 04～0 18时气膜的绝热冷却效率,通过实验数据分析了非定常尾迹的宽度和扫过频率对气膜绝热冷却效率的影响。发现非定常尾迹通过两方面来影响气膜冷却效率,一方面是通过对气膜层的扰动来降低气膜冷却效率,另一方面是通过改变局部吹风比来影响气膜冷却效率。     

用集成霍尔传感器设计智能计米器

工业中许多产品需要测量其长度 ,但传统的机械式计米器不能有效克服机械惯性 ,精度差 ,同时不能将长度信息进行管理 ,不适应当今信息化的生产环境。如采用集成霍尔传感器设计智能化计米器 ,能克服机械式的上述缺点。通过和上位计算机的通信可实现生产管理、销售。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

基于CCD的底片判读仪透射屏厚度精确测量

提出了一种利用线阵CCD传感器作为接收装置，以8253编程芯片实现自动测量并实时显示测量结果的底片判读仪透射屏厚度测量系统。文中主要论述了该系统的工作原理和软硬件的实现途径，并分析了系统的测量误差；文章最后列出了实测数据，证明了系统的可行性和先进性。