管道系统中Ti-Ni合金管接头的疲劳寿命(S-N)分析

采用了全寿命(S-N)的有限元分析方法,分析了循环振动载荷下的Ti-Ni合金管接头,给出了有限元计算的疲劳寿命分布图.结果表明,管接头中间内表面处为疲劳寿命的薄弱位置;马氏体相变和逆相变在同一位置的反复发生,是造成局部疲劳损伤/疲劳寿命低的直接原因和起源.     

激光相变热处理工艺参数计算

根据热传导理论，用规一化三维导热公式计算出一组无量纲曲线并给出一个简单实用的导热计算方程。在均匀强度矩形光束（ＵＩＲＢ）辐照情况下，用该方程和相应曲线可方便地确定具有三维计算精度的相变热处理工艺参数．     

超高温度梯度定向凝固NiMnFeGa磁致形状记忆合金

利用超高温度梯度定向凝固装置制备出定向Ni51.2Mn20.0Fe13.0Ga15.8磁致形状记忆合金.沿晶体生长方向凝固组织由等轴晶逐渐过渡为柱状晶,马氏体变体取向性明显,γ相愈加细小,分布愈加均匀.Ni51.2Mn20.0-Fe13.0Ga15.8合金在加热和冷却过程中发生热致马氏体相变及逆相变,马氏体相变温度Ms＝121.3℃,Mf＝99.3℃,As＝118℃,Af＝147℃.     

Co/NM/FM(NiFe and Co)纳米多层膜的层间耦合效应

巨磁电阻自旋阀多层膜作为磁敏传感器材料与磁随机存储器(MRAM)材料，具有高的可靠性与灵敏度，在航空航天等高科技领域有着极大的应用前景。研究多层膜各层间的耦合效应与各层厚度、磁学性能之间的内在关系，对提高自旋阀的巨磁电阻效应、磁灵敏性等具有重要的作用。本研究采用磁控溅射沉积制备了(Cu／Co、Cu／NiFe，Ta／NiFe双层膜与Co／Cu／Co、Co／Cu／NiFe、Co／Ta／NiFe)三明治结构薄膜。采用振动样品磁强计对薄膜磁性、四探针法对薄膜磁阻性能进行了测试研究，采用洛仑兹电子显微镜法观察了薄膜的磁畴结构。研究结果表明，层间耦合效应不仅与非磁性中间层的厚度相关，而且与中间层材料的特性相关。磁阻与磁畴观察均表明层间耦合效应随中间层厚度的增加而减小，而Cu作为中间层的多层膜的层间耦合大于Ta作为中间层的层间耦合。     

应用于强化传热的相变材料微胶囊的制备及特性

相变材料微胶囊(MEPCM)悬浮液是一种高热容冷却介质,其应用可大幅提高高功率设备液体冷却性能。本文对相变材料微胶囊的制备及其热特性进行了研究,研制了以蜜胺树脂为壁材、22烷为芯材、粒径10微米、不同芯材含量且适合于电子设备液体冷却的双层壁MEPCM。通过光学显微镜以及扫描电镜(SEM)观察到包覆完好的圆球状MEPCM。研究了制备过程中影响粒径以及包覆特性的因素。最后的DSC热分析表明了MEPCM具有很高的蓄热能力。      

涡轮叶栅前缘气膜冷却对气动参数影响的数值研究

采用具有TVD性质的三阶精度有限差分格式、自由型曲面技术以及多区域网格算法,对前缘带有三排冷气孔的涡轮导叶进行了气膜冷却数值计算,分析了前缘冷气喷射对涡轮气动参数的影响,描述了叶型表面冷气射流的运动规律。结果表明,冷气喷射导致了流量、马赫数和温度较为明显的变化,前缘和吸力面获得的绝热效率高于压力面,压力面冷气射流的运动规律比较复杂。型面压力只在冷气孔区域有明显的波动。     

气膜出流条件下回转通道流动特性的实验研究

采用实验方法研究气膜出流条件下带肋回转通道流动特性,其中回转通道为带90°直肋变截面通道。根据研究问题的特点,利用单元分析方法,定义了壁面有效压力及单元有效压力系数。结果表明:通道出口段存在气膜出流与无气膜出流情况相比出口段有效压力分布发生变化,并且使整个通道的流阻下降。影响流动的主要因素是通道的阻塞比、长径比、宽高比、气膜出流比和进口雷诺数。     

非定常尾迹对叶栅气膜冷却效率的影响

通过实验的方法研究了非定常尾迹对气膜冷却效率的影响,在平面叶栅实验台上安装了尾迹发生器,用来产生非定常尾迹。用热电偶测量了雷诺数5 04×104,1 08×105,斯托劳哈儿数0 04～0 18时气膜的绝热冷却效率,通过实验数据分析了非定常尾迹的宽度和扫过频率对气膜绝热冷却效率的影响。发现非定常尾迹通过两方面来影响气膜冷却效率,一方面是通过对气膜层的扰动来降低气膜冷却效率,另一方面是通过改变局部吹风比来影响气膜冷却效率。     

倾斜30°锥形喷孔气膜冷却的流动和传热实验研究

对流向倾角为３０°、锥顶角分别为１５°和３０°的锥形气膜冷却喷口射流下游的流动和传热进行了详细的实验研究，并与相同实验条件下圆孔的射流情形进行了比较，发现锥形喷口下游的速度边界层的等值线具有三种基本分布形态。随着锥形出口面积的增大，射流的穿透能力明显减弱，核心区域速度明显降低，侧向扩展范围明显增加，纵向耦合涡迅速减弱并消失，从而显著地提高了气膜冷却效率，尤其是提高了喷孔两侧流向下游位置上的冷却效率。同时，大锥顶角的高吹风比下，射流具有十分良好的贴壁效应和非常可观的冷却效率。     

具有纳米结构的 VO_2 相变薄膜

采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４～５个数量级。并用ＸＲＤ，ＤＳＣ和ＴＧＡ法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处理，可获得带有空洞（ｖｏｉｄ）结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异