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801.
为满足高通量卫星对反射面高精度型面和低成本要求,从碳纤维蜂窝夹层结构反射面在固化成型过程中的固化收缩变形角度出发,根据模具型面补偿原理,提出了反射面模具型面补偿设计方法,并基于六面体单元有限元模型和三维正交各项异性材料属性及三点边界约束方法进行了试验验证。试验结果表明,通过型面补偿后的铸铁模具加工得到的两米口径反射面型面精度达到0.096mm均方根(root mean square,RMS),为模具型面补偿和高精度反射面提供了参考。  相似文献   
802.
用内旋压、无模摩擦收颈旋压方法,试制出整体旋压油箱壳体,减轻质量30%,减少焊缝70%。叙述了旋压工艺和旋压过程中出现的问题及解决办法。  相似文献   
803.
针对导弹直/气复合控制问题,提出了一种基于自适应神经模糊推理系统的导弹直/气复合控制系统设计方法.首先,建立了直/气复合导弹数学模型.然后,针对常规模糊控制设计严重依赖经验的问题,在模糊控制的基础上引入神经网络,通过样本数据学习建立自适应神经模糊推理系统(ANFIS),并设计了脉冲调宽调频调制器.最后,通过仿真试验验证了所提的控制系统设计方法.仿真结果表明,基于ANFIS的导弹直/气复合控制系统能够快速精确地跟踪加速度指令.  相似文献   
804.
碳纤维复合材料波导器件成型技术   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
以某卫星用高精度、复杂谐振腔波导器件为对象,设计了碳纤维复合材料铺层及工艺成型方案,通过模具表面金属层转移法,制备了内腔表面金属化的碳纤维复合材料(CFRP)谐振腔波导,进行了高低温环境试验。结果表明:碳纤维复合材料谐振腔内腔型面精度、平整度等均满足设计指标,经历100次-196~120℃高低温循环后,表面金属层/碳纤维复合材料基体结合良好。与殷钢谐振腔相比,碳纤维复合材料谐振腔减重72%。  相似文献   
805.
成型砂轮在高频感应钎焊过程中存在温度分布不均匀导致钎焊质量无法满足使用要求,这是长期困扰超硬磨料砂轮高频感应钎焊技术的难题。针对该问题,提出温度均匀性的表征方法,以温度均匀度和平均温度为响应值,基于有限元仿真数据获得了响应曲面法模型。基于该模型,采用方差分析成型砂轮感应钎焊温度均匀性的影响因素显著程度由大到小依次为加热间隙、感应电流、导磁体长度。以平均温度值和温度均匀度为优化目标,基于响应曲面法优化线圈结构和工艺参数,开展了感应加热试验,证明响应曲面法模型优化结果的误差在6.94%以内。高频感应钎焊的成型立方氮化硼(cubic boron nitride,CBN)砂轮宏观形貌显示,钎料在成型面各处铺展的一致性好,表明钎焊过程中在成型面的温度分布具有较好的均匀性。  相似文献   
806.
分别采用扫描电镜、比表面积与孔体积分析仪等手段对日丝(RS-Cf ) 和美丝(MS-Cf ) 两种碳纤 维进行表面状态表征分析,通过纤维顶出试验、冲剪强度和弯曲强度对两种纤维制备的C/ C 复合材料界面性 能进行了微观和宏观测试,研究了不同表观结构纤维对C/ C 复合材料界面性能的影响。纤维表面形貌观察结 果表明:圆形RS-Cf 表面沟槽比腰果形MS-Cf 明显,但沟槽数量少于MS-Cf,而MS-Cf 的比表面积、孔体积和 孔径均大于RS-Cf。RS-C/ C、MS-C/ C 复合材料界面强度分别为2. 98 和3. 80 MPa;RS-C/ C 复合材料的弯曲 和冲剪强度分别为55. 9 和32. 0 MPa,低于MS-C/ C 复合材料的65. 0 和35. 2 MPa,微观和宏观力学性能均表 明MS-C/ C 复合材料的界面强度高于RS-C/ C 复合材料。  相似文献   
807.
针对民用客机更高的抗疲劳性要求,飞机结构件(如长桁)大量采用钣弯型材。通过对辊弯成型的深入研究,提供了一种合理的适合飞机钣弯型材的工艺设计和加工方法,从而保证了钣弯型材的外在和内在质量,以满足民用客机的使用要求。  相似文献   
808.
航空工业现如今已经成为能够衡量一个国家国防硬实力的标准之一,航空部件的性能指标标志着航空工业的发展水平,而其中占据绝大部分的航空金属部件更决定了航空部件性能指标的好坏,因此航空金属部件的成型工艺就显得尤为重要。本文综述了目前国内外航空部件生产主要成型工艺的相关研究,包括液态成型、塑性成型和粉末冶金成型在航空金属部件中的应用及发展现状。指出了目前航空金属部件成型工艺存在着工艺单一、能耗大等不足之处,同时对航空金属部件的成型工艺的发展进行了展望,提出了航空工业成型工艺的结合化、智能化和绿色化将会是未来航空工业发展趋势。  相似文献   
809.
由于γ射线对SiO2的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50krad(Si)总剂量条件下仍能达到设计要求。  相似文献   
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