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61.
划痕法表征TD处理制备的VC涂层界面结合强度   总被引:2,自引:0,他引:2  
孔德军  周朝政 《航空学报》2012,33(2):362-368
 为了测定碳化钒(VC)涂层与基体之间的结合强度,分析涂层与基体的结合机制,采用热扩散(TD)处理在冷作模具钢Cr12MoV表面制备了VC涂层,通过扫描电镜(SEM)观察了其表面与界面形貌,利用能谱议(EDS)分析了结合界面的V、C元素的分布,用划痕法测定了涂层与基体的界面结合强度,并对涂层失效机理进行了分析.结果表明,经TD处理制备的VC涂层与基体结合界面为成分梯度界面,二者结合面为成分含量呈梯度变化的过渡层,V元素含量从表面到基体逐渐下降,而C元素含量逐渐上升;其结合界面处化学元素相互结合,形成冶金结合,测得涂层与基体的结合强度平均值为45.7 N;涂层失效形式为界面层的压裂,其结合强度主要与VC涂层残余压应力有关.  相似文献   
62.
通过对磁脉冲焊接技术结合机理的阐述,采用5A03Al-5A06Al、1050Al-AZ31Mg异种金属材料进行焊接试验.对所得的焊接接头进行气密性试验和剥离试验,检测其结合质量;结合光学显微镜,对比分析Al-Al、Al-Mg焊接接头的微观形貌特点;并采用SEM/EDS分析界面附近的元素分布;最后通过硬度试验,检测接头界...  相似文献   
63.
邸克  杨月诚 《推进技术》2012,33(4):603-608
将固体推进剂/衬层粘结界面层按照剪切模量的变化分成三部分,由此建立了其界面脱粘裂纹的三区域界面层模型。应用Fourier积分变换和传递矩阵方法,推导并数值求解Cauchy奇异积分方程,得到了反平面剪切状态下裂纹问题的半解析解,并讨论了界面层模量和厚度对断裂参量的影响。结果表明,界面层模量随贮存时间的延长而降低时,应力强度因子逐渐减小,但裂纹张开位移变化不大;界面层厚度对应力强度因子的影响则不明显。  相似文献   
64.
刘承武  阳建红  邓凯  陈飞  张晖 《推进技术》2011,32(2):225-229
为了研究复合推进剂基体的大应变粘弹性和界面的非线性脱粘,将Mori-Tanaka法和有限元数值求解相结合,提出了一种Mori-Tanaka有限元法。同时,为验证该方法的有效性,针对推进剂夹杂随机填充的特点,提出了一种含非线性界面脱粘的数值仿真法。最后以某推进剂配方为算例,对两种方法的计算结果了进行比较。结果表明,两种方法结果接近,从而验证了Mori-Tanaka有限元法的有效性,且该方法计算量小,极大的提高了计算效率。两种方法的提出,可以有效的用来分析界面对推进剂力学性能的影响。  相似文献   
65.
B/Al复合材料的界面微观结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用透射电镜及X-射线能谱仪研究了B/Al复合材料的界面微观结构。结果表明,复合材料的界面结合状况良好,除极少数的Al4C3外没有其他界面反应产物。增强纤维由β-菱形B的超微晶粒组成,其表面涂层中除主要的B4C微晶外还存在游离的石墨碳团。B4C涂层有效地阻止了纤维与基体间除Mg以外的其他元素扩散,而由基体中扩散过来的Mg则完全被涂层中的游离碳吸附,从而阻止了Mg进一步向B纤维内扩散。  相似文献   
66.
使用激光拉曼探针和电子显微术对试样的断裂面和薄膜样品观察及电子衍射技术研究了两种抗摩擦性能相差悬殊的碳/碳复合材料的微观结构,发现两种材料的微观结构在石墨晶体的结晶结构完整性和取得性以及纤维和基体间的界面行为上有显著差异。  相似文献   
67.
杨晨  曾汉民 《宇航材料工艺》1993,23(3):19-22,39
利用表面涂层的方法,在PPS/PES共混物中引入有机硅偶联剂界面层。实验结果表明该偶联剂界面层的形成对PPS/PES共混物的熔融、结晶行为以及抗冲击性能具有深刻的影响。  相似文献   
68.
本工作借助接触角测定技术,系统研究了炭黑填充高密度聚乙烯、石墨填充高密度聚乙烯复合材料的界面热力学,对复合材料NTC现象产生的机理进行了探讨,并就改善复合材料作为热敏器件使用的可靠性提出了初步的意见。  相似文献   
69.
数据库的工程界面   总被引:1,自引:0,他引:1  
李隆江  刘一鹗 《航空学报》1994,15(10):1165-1169
 系统地论述了数据库的工程界面、数据库管理系统、程序设计语言三者之间的层次关系。以STEP标准的SDAI(StandardDataAccesslnterfaee)作为数据库工程界面的具体例子,详细地论述了它向ODBMS及RDBMS的映射。对于向RDBMS的映射,提出了“知子女联系”向“知子女联系”的映射策略,为简化映射算法、提高系统效率提供了一种选择。  相似文献   
70.
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/cm2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。  相似文献   
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