基于PCI总线的GPIB通讯卡的设计

介绍了一种基于PCI总线的GPIB总线通讯卡的设计方法。利用PCI9052芯片巧妙地实现了高速PCI总线与慢速设备的连接,板卡在系统驱动程序控制下可以实现GPIB总线规定的所有控者功能。     

基于数值理论与拓扑优化下电阻式应变传感器灵敏度的研究

对于电阻式应变传感器,灵敏度是衡量传感器测量精度的重要指标之一.对现有电阻式应变传感器结构进行优化使其灵敏度提高,从而可提高电阻式应变传感器测量精度.首先利用WorkBench有限元软件和数值理论,计算电阻式应变传感器的灵敏度理论值,接下来基于拓扑软件以质量降低50％ 和最大应力不超过材料许用应力为约束条件进行拓扑优化...     

执行器故障下的运载火箭非奇异终端滑模容错控制

针对存在未知外部干扰和执行器卡死故障的运载火箭,提出了一种基于非奇异终端滑模面的姿态跟踪控制算法。首先,建立了考虑干扰和执行器卡死故障的运载火箭姿态控制系统多输入多输出系统模型;然后定义了运载火箭姿态跟踪系统模型,针对定义的模型,设计了一种非奇异终端滑模面,使得系统在执行器故障情况下仍能较为精确地跟踪参考信号。基于李雅普诺夫函数证明了运载火箭姿态跟踪控制系统的稳定性和有限时间收敛特性。数值仿真检验了本文基于非奇异终端滑模运载火箭姿态跟踪控制算法的有效性。     

航天器产品限流电阻保护设计方法研究

针对小功率负载的限流电阻保护设计不规范问题,给出了基本设计原则,提出了限流电阻功率接近和远超额定功率2种工况下的详细设计方法,并以3种常用传感器限流电阻保护电路为例,采用不同阻值、同封装,同阻值、不同封装进行试验验证.试验结果表明:该设计方法有效,试验数据对航天器产品限流电阻的选取提供了数据支持.     

300 MVA脉冲发电机组滑差方式起动过程研究

介绍了300 MVA脉冲发电机组的滑差装置。对机组采取滑差方式的起动过程进行了分析和等效建模。根据机组实际起动过程电气波形,利用非线性规划模型,建立了滑差装置液体电阻等效仿真模型,并代入机组参数对起动过程进行仿真,仿真结果和实际波形吻合,验证了模型的正确性。在此基础上,为了使机组的转速达到额定转速,提出在滑差装置液体电阻低位时并入两级固体金属电阻后短接的方案,给出了两级固体金属电阻的阻值等理论参数,并通过仿真验证了方案的可行性。建立的仿真模型可以作为研究不同参数、不同控制策略下的机组起动过程动态特性的重要工具。     

电磁兼容实验室接地装置的设计与安装

合理地设计和安装接地装置对无线电实验室、电磁兼容实验室以及电磁屏蔽室等具有十分重要的意义。分析了影响接地线电阻和流散电阻的主要因素，提出了结合电磁兼容实验室的特殊要求接地线、接地体选取的方案以及通过土壤改良来降低土壤电阻率的具体措施，并简要阐述了接地装置安装施工的过程及接地电阻测量的方法。     

航空发动机高温包覆热电偶研制

为实现高温条件下发动机内部部件的温度测试,研制了1种耐温1500℃的高温包覆热电偶。通过对其进行结构设计、材料选取、包覆工艺的研究,确定了1500℃高温包覆热电偶的材料及制作方法。通过耐高温试验、绝缘电阻试验、相容性试验及检定校准与验证,证明了1500℃高温包覆热电偶的发动机测温工程实用性。将包覆热电偶使用温度提高到1500℃,可以部分代替铠装热电偶,解决发动机内部一些高温部件和复杂结构细径铠装热电偶无法测量的难题。     

管道强制电流阴极保护电位计算的等效电阻法

针对受一个阴极保护站保护的埋地钢质管道,提出了管道电位和电流计算的等效电阻方法,并用解析方法推导出管道覆盖层破损后电位和电流的计算公式。等效电阻方法将所研究管道划分成若干管段,用一个电阻表示管段对轴向电流的阻碍作用,一个电阻表示对径向电流的阻碍作用,从而将管道强制电流阴极保护系统表示成一个等效电阻电路。利用网孔电流法求解该电路的网孔电流,并计算出管道各节点上的电位。计算结果表明,等效电阻方法得到的结果与解析法的计算结果完全吻合。该方法特别适合于管径和（或）过渡电阻发生变化的情况。     

基于TestStand的先进飞机ACP综合测试系统

音频控制面板(ACP)用于向飞行机组提供与各种通信系统联接的方法,并监控来自导航系统的音频信号.与音频管理组件(AMU)配合对飞机上的各种无线电通信和无线电导航通道进行选择,管理和控制来往于飞行机组的音频信号,同时显示相应的选择控制状态.     

La0．9Ba0．1MnO3—δ薄膜的结构及物性研究

通过射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了La0.9 Ba0.1MnO3-δ(IJBMO)薄膜,并得到在不同温度下退火后的薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描隧道显微镜(STM),X射线光电子能谱(XPS),四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究,结果表明,薄膜在800～850℃温度范围内退火,形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系.退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同.在温度为300K,磁场为1.5T的条件下,退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高达30%.