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31.
电沉积CeO2/Zn纳米复合涂层 总被引:5,自引:0,他引:5
将纳米氧化铈颗粒加入镀锌液中进行复电沉积制得纳米复合涂层。通过失重法,ICP,SEM和XRD方法探讨了纳米氧化铈颗粒对电沉积锌涂层的影响。结果表明,在同样的电沉积条件下,纳米复合涂层的耐蚀性明显提高,而微米复合涂层的耐蚀性只稍有改善;纳米复合涂层中氧化铈的含量高于微米复合涂层中的氧化铈含量。纳米氧化铈颗粒改变了锌涂层的表面组织形貌和晶体结构,从而提高了涂层的耐蚀性。 相似文献
32.
本文选用纳米粉ZrO2,分别采用单一静电稳定机制、加入PEG的空间位阻稳定机制和加入PMAA-NH4的电空间稳定机制制备成2vol%的ZrO2水悬浮液,通过Zeta电位、沉降实验等手段,最终得到了碱性条件下的高分散、高稳定的ZrO2水悬浮液。实验证明:当pH=8.3时,PMAA-NH4的分散效果最好。 相似文献
33.
异型孔空心叶片壁厚检测的试验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
发动机叶片的结构型式和制造误差,直接影响发动机的性能和使用寿命。运用超声波法和电涡流法,对两种不同材料和形式的试件进行了试验。电涡流法受到探头直径和试件几何尺寸的影响,测量误差大,超声波法由于存在测量盲区,测量厚度的下限受到限制。但测量值与实际值相关,若对探头加以改进,用于异型孔空心叶片壁厚检测是可行的。 相似文献
34.
碱性体系锌—镍合金电沉积的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种新型的碱性体系锌-镍合金电镀工艺。本工艺镀层光亮、镀液稳定、组成简单及维护方便,能在很宽的工艺范围下能镀出含镍量为11~15%的锌-镍合金。镀层具有高耐蚀性及低氢脆性。对电沉积机理也作了必要叙述。 相似文献
35.
由于腔体热释电探测器在宽光谱范围内具有相对平坦的光谱响应度,因此经常被用作标定探测器相对光谱响应度的工作基准。但是在标定过程中通常认为腔体热释电探测器是无光谱选择性的,即R(λ)为常数。这样就会使测量结果不够准确,因此建立腔体热释电探测器相对光谱响应度的标尺是非常重要的。本文主要介绍了建立腔体热释电探测器相对光谱响应度标尺的原理和方法,并通过实验利用该方法建立了腔体热释电探测器相对光谱响应度的标尺,从而使该腔体热释电探测器成为红外光谱响应度测量装置的工作基准。 相似文献
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正3月4日至6日,在美国巴尔的摩会议中心举行的美国国家设施管理与科技大会博览会上,福禄克公司向到场的观众演示了如何利用该公司的三相电能记录仪、红外热像仪及可视红外测温仪等低成本工具,轻松地监测生产设施的能源浪费的方法。据专业人员介绍,福禄克Fluke 1730三相电能记录仪直观、易用,具有专业的电能数据收集能力。这一款新产品专为具有节能意识的用户设计,采用了全 相似文献
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40.
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。 相似文献