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411.
在原有推挽正激软开关电路的基础上.提出了一种新颖的软开关电路拓扑,使主管开关实现了零电流关断。减小了开关管的关断损耗;谐振网络不处于主功率回路中,谐振回路环流能量小;同时通过改变变压器辅助绕组的匝比,使主管电流应力和副边整流管电压应力在实现ZCS的前提下尽可能低,提高了变换器的可靠性。文中具体说明了该变换器的工作原理,谐振网络参数的设计准则,并给出了时比实验波形和详细的分析过程。通过样机实验,验证了该方案的优.点与可行性。 相似文献
412.
针对两级结构复合脉冲(电压脉冲/电流脉冲)应用于电火花加工电源,建立了系统的大信号扰动函数和控制模型。通过对电流反馈回路中补偿网络的分析设计,较好地解决了系统的动态响应和稳定性问题。电路仿真和原理样机实验结果表明。该系统具有良好的动态特性和抗扰动性,同时也验证了电路拓扑、控制模型和闭环系统设计方法的正确性。 相似文献
413.
工作在恒频的零电电流降压软开关电路既有PWM技术控制特性好,又有准谐振技术开关损耗的优点。本文简述了该电路的工作原理,着重分析了电路参数a的选择以及对变换器性能的影响;给出了电路参数归一化形式,并进行了实验。实验结果与理论分析是一致的。 相似文献
414.
具有电流线性放大器特性的励磁机,不但可缩小无刷励磁系统励磁电流变化范围,而且可加快系统的动态性能,文中从励磁机电流线性放大器特性实现原理出发,分析了影响励磁机电流线性放大器的因素,研究了励磁机结构参数对电流放大器的放大倍数和线性度的影响。研究表明,增加励磁机的体积尺寸,减小电枢绕组匝数,均可以加大电流放大倍娄和线性度的 但要在提高励磁机电流以放大倍数的同时,保持放大器有较好的线性度,单独改变励磁机 相似文献
415.
利用Cluster四颗卫星的磁场探测数据计算磁尾场向电流并投影到极区电离层,研究其投影位置在南北半球的分布规律,统计过程中去除了强磁暴(磁暴主相Dst<–100 nT)期间的场向电流事件。结果显示:磁尾场向电流事件在极区投影位置的纬度分布具有明显的南北半球不对称性,北半球为单峰结构,南半球为双峰结构。在北半球投影到较低纬度(<64°)的场向电流事件数目明显多于南半球,并且所能达到的最低纬度更低;在南半球投影到较高纬度(>74°)的场向电流事件数目明显多于北半球,并且所能达到的最高纬度更高。地磁平静条件下(|AL|<100 nT),磁尾场向电流密度随磁地方时(MLT)呈递增趋势,这一结果与低高度卫星在极区对I区场向电流的探测结果符合很好。研究结果表明,磁尾场向电流投影位置的纬度分布呈现出明显的南北不对称性,这与南北半球磁尾场向电流的空间分布以及磁层中磁场结构具有密切关系。 相似文献
416.
基于CRPWM的无轴承异步电动机矢量控制系统 总被引:2,自引:0,他引:2
无轴承交流电动机能同时实现旋转和悬浮工作,其潜在的应用价值和复杂的运行控制已成为目前高速交流传动领域一个新的研究方向。本文介绍了无轴承异步电动机工作原理,针对该电机存在非线性、强耦合的特性,能同时实现旋转力矩和径向力控制的基本要求,分析了无轴承异步电动机的数学模型,在此基础上,采用了基于电流调节型(CRPWM)逆变器的电机气隙磁场定向控制系统来实现这两个量的解耦控制,并将这一控制系统进行了仿真。 相似文献
417.
高线性度低噪声滤波器是通信系统中不可缺少的关键电路。基于电流复用型源极退化运算跨导放大器(Operational transconductance amplifier,OTA)结构,本文提出了一种适用于高速通信系统的5 GHz电流模低噪声Gm-C滤波器。利用电流模滤波器的结构特点和电流复用型源极退化OTA的高能效和高线性度,本文设计的滤波器可在低功耗条件下仍具有良好的噪声和线性度性能。该滤波器采用标准65 nm CMOS工艺,核心面积为0.06 mm2。仿真结果表明,其工作带宽为5 GHz,IIP3为35 d Bm,而功耗仅为3.2 m W。 相似文献
418.
大电流注入(BCI)法是机载设备传导抗扰度试验的标准测试方法,探明BCI注入探头与机载设备互连线缆间的耦合机理对于进一步拓展传导抗扰度试验能力至关重要,然而目前尚无明确的解析模型可用于描述注入探头与屏蔽线缆的耦合机理。首先根据注入探头结构特征建立集总参数模型,通过测量其空载情况下反射系数求取相对磁导率以及电感、电容等寄生参数,依据戴维宁定理构建注入探头等效电路。随后按照注入探头与屏蔽线缆的空间结构关系划分耦合和非耦合区间,分别建立链路参数方程并依次进行区间级联,最终结合端接方程形成BCI注入探头与屏蔽线缆的耦合解析模型。同时基于实验平台对注入探头与屏蔽线缆所形成的多端口网络进行散射参数测试,通过对比屏蔽线缆终端耦合电压验证解析模型准确性。结果表明在低频至谐振点区间,模型与实验结果误差<3 dB,该模型可有效描述注入探头与屏蔽线缆间耦合机理。 相似文献
419.
利用皮秒脉冲激光单粒子效应试验装置研究了一款宇航级Flash芯片的电流“尖峰”(HCS)现象。利用激光准确定位的特点,确定电流“尖峰”是由芯片的电荷泵单元充放电引起的,不同的激光能量、入射位置会触发不同频率、相同幅值的电流“尖峰”现象,虽然电流“尖峰”发生的瞬间电流增大的现象与单粒子锁定效应表现一致,但机理完全不同。当激光能量足够高(对应于重离子LET值99.8 MeV·cm2/mg)时,在电荷泵的同一个敏感位置累积多次辐照不断触发芯片发生电流“尖峰”,芯片会因多次充放电而损坏。 相似文献
420.