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531.
1 里氏硬度测试 装有碳化钨球或金刚石球的冲击体,在一定的冲击能量作用下,冲击试样表面,通过电磁感应原理测量出冲击体距试样表面1 mm位置处的冲击速度与反弹速度.里氏硬度值用冲击测头反弹速度vr与冲击速度va之比来表示,计算公式如下: 相似文献
532.
533.
将实际的太阳大气划分为多个等温层次,导出了均匀倾斜磁场下线性Alfven波通过任意多等温层的能量透射率,结果表明,两等温层模式与三等温层模式的结果存在本质的区别。在两等温层中,温度的跃变式增高对Alfven波起着高通滤波的作用,而三等温层中在高频端Alfven波的透射率显示为振荡形态,对实际大气温度模式的计算结果表明,太阳低层大气更适合于周期为数秒的Alfven波的能量传输。 相似文献
534.
535.
典型结构的高频响应研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用NASTRAN软件得到一简支梁从低频到高频的频响特性,研究了不同有限元网格划分对结构高频特性的影响,并通过SEA法、有法元法以及解析解的对比揭示了SEA法在高频响应预示中的有效性。然后以耦合梁为例,通过有限元法得到两个梁之间的能量传递,并进而得到SEA所需的耦合损耗因子;将有限元计算结果和SEA结果对比验证了该方法的有效性,以其建立一种用有限元法获得SEA参数的新途径。此外,研究了集中质量和不 相似文献
536.
在Si上生长的异质GaAs外延薄膜(记作GaAs/Si)中,存在着深能级,它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于GaAs与Si之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与GaAs/Si的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的GaAs/Si样品是用MOCVD方法生长的,而且具有不同的[As]/[Ga]比。利用组态模型,通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化,获得了Franck-Condon位移。考虑了GaAs/Si的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Franck-Condon位移及带隙移动,修正了施主-受主对、导带-受主及施主-价带间跃迁的能量关系式,给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及GaAs/Si外延薄膜发光谱的特征,鉴定出GaAs/Si中的三个发光峰属施主-受主对复合发光,另外两个发光峰则是由As填隙-Ga空位的复合发光中心所产生。 相似文献
537.
用脉宽调制理论设计充电机,定性分析RCD吸收回路,积分调节方法和直流电抗器电参数的选取,在设计中运用了IGBT,功率损耗降低。恒流充电调节范围:0-10A电流稳定度在2%-5%之间。 相似文献
538.
介绍对镉镍电池大电流充放电的试验过程,并对试验结果进行分析。结果表明充电倍率增大时,电池充电电压增量增大,充电效率降低,而内阻压降增大。 相似文献
539.
为降低H_2-Ni电池两端的压降,提高电池性能,选用纯镍代替不锈钢材料做H_2-Ni电池极柱。对这两种材料的电阻率、密度、耐蚀性等进行了比较,并在各种状态下进行了测试。结果表明,纯镍材料可用于H_2-Ni电池的极柱上。 相似文献
540.