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741.
通过使用直流双脉冲电源对 7075铝合金进行微弧氧化试验,研究了正向电压、占空比和脉冲频率等电参数对铝合金微弧氧化膜层硬度的影响。通过正交试验,研究了单一水平因素下的膜层硬度平均值的变化规律,发现了通过电参数提升膜层硬度的方法;通过相对极差分析,发现正向电压对膜层影响程度最大,脉冲频率对膜层影响程度最小。提出了针对 7075铝合金微弧氧化膜硬度提升的电参数优化方案:提升氧化膜硬度,应优先考虑增大正向电压;保证氧化膜硬度的同时兼顾其他表面性能,应优先调整对膜层硬度影响最小的脉冲频率。 相似文献
742.
周剑雄 《自动驾驶仪与红外技术》2010,(1):12-16
本文从导弹在飞行试验中在大过载指令下产生大幅度滚动的现象入手,结合导弹在飞行试验中的有关遥测数据曲线对产生过大滚动角速度的诱导滚动干扰力矩进行分析,并针对常用的导弹滚动姿态稳定技术存在的不足提出了一种快速抑制滚动的控制方法一前馈模糊控制器,并通过仿真进行验证,仿真结果表明较好地达到了滚动干扰快速抑制的要求。 相似文献
743.
网络控制系统由于将通讯网络引入了控制系统的闭环中,使得对其分析非常复杂。在分析网络多包传输原因的基础上,讨论了多包传输网络控制系统的建模问题。系统中传感器采用时间驱动方式,控制器和执行器采用事件驱动方式。在考虑延时小于一个采样周期情况下,建立了多包传输闭环网络控制系统模型,并分析了闭环网络控制系统的稳定性。 相似文献
744.
采用电化学刻蚀的方法,在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察,并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明,多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定,多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小,加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的,而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。 相似文献
745.
为了研究上下游叶片的相位对低压涡轮流动的影响机理,使用商用 CFX 软件进行数值模拟,并辅以试验校核。选取了
0°和180°2个流动相差较大的相位,分析边界层分离与转捩、边界层积分参数,对吸力面的载荷系数、壁面剪力、附面层形状因子及
动量厚度等进行对比,并从边界层的瞬态流动分析着手,在1个尾迹扫掠周期内对Klebanoff条纹、K-H涡等结构进行分析。结果
表明:不同相位的流动特性差异主要取决于势流的压力扰动与速度扰动的相位,这将决定尾迹诱导转捩与寂静区之间的主导关
系。当压力扰动与速度扰动同相时,寂静区处于逆压梯度逐渐增强的阶段,保持层流的能力被削弱;反之当二者异相时寂静区强
度较大,尾迹诱导转捩带来的湍流损失可以被寂静区平衡。通过瞬态分析可知,0°相位尾迹诱导全展向K-H涡的卷起,全展向涡
的破碎会带来较大的能量耗散,且其诱导的Klebanoff条纹强度较大,二者共同作用使得尾缘动量损失较大。 相似文献
746.
747.
748.
自制真空热处理炉有效炉膛容积φ200×300mm,使用温度1200℃,极限真空度1.33×10~(-3)Pa。由室温边抽真空边加热到700℃,不超过40分钟,真空度不低于4×10~(-2)Pa;升温至1000℃仅60分钟;控温精度达±5℃;冷却速度:空炉从1100℃降至300℃仅35分钟,从300℃降至150℃2小时。用于GH169膜盒固溶并时效后呈银白色,无变形、强度和塑性达标;用于弹性合金3J_1高精度电液伺服阀零件的真空时效强化处理后,表面光亮、变形极小、全部合格;TC_4钛合金蓄压器经真空时效后,表面非常光亮,机械性能很高,沉淀硬化不锈钢工件经时效处理后可保持切削后的金属光泽,康铜箔退火后可保持冷轧材原始的光亮,铍青铜件处理后,不仅保持原有金黄色光泽,甚至比处理前更光亮,机械性能很高。 相似文献
749.
研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。 相似文献
750.
采用电子束原子束结合技术在GH140高温合金钢基体上沉积NiCoCrAlY合金涂层,并对涂试样在不同温度下进行高温氧化对比试验,结果表明,其抗高温氧化性能有了明显提高。用电子形貌、SEM-EDAX和XRD等仪器对试样进行了微观分析,并探讨了有关机理。 相似文献