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随着国家政策的推动,北斗系统将逐步完善建成,北斗终端成本也会进一步降低。未来与位置服务和云计算、物联网、移动互联、大数据等高新技术融合,北斗导航应用将会成为我国国民经济新的增长点,而大众消费领域预计会占到60%以上的市场份额,特别是智能穿戴设备市场更是待开采的金矿。如今,不同形态的智能穿戴设备已从各个方面进入人们生活,目前主要的智能穿戴设备包括:智能眼镜、智能手表、智能腕带、智能跑鞋、智能戒指、智 相似文献
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流通市值代码公司2007030920070410涨跌幅(流亿通股股)本(亿元)20收0益6年(元每)股市盈率*000089.SZ深圳机场9.429.884.88%6.5364.520.28334.91000099.SZ中信海直6.27827.59%2.7421.920.177445.10*600004.SH白云机场11.8512.344.14%4.9761.330.292242.23*600009.SH上海机场26.2527.324.08%9.0078246.090.78534.80600029.SH S南方航空5.837.4327.44%1074.30-0.41亏损600115.SH东方航空4.765.2810.92%3.9620.910.0124425.81600221.SH海南航空5.026.1422.31%4.94730.37-0.06亏损*600270.SH外运发展13.1414.8613.09%2.9543.840.756919.63… 相似文献
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234.
235.
随着我国汽车电子、新型数字消费电子和医疗电子等产业的快速发展,对MEMs传感器的各种新需求和基于该技术的创新不断涌现,为此专业科技市场分析机构北京华兴万邦管理咨询有限公司走访了总部位于欧洲芬兰的老牌微机电系统(MEMS)传感器制造商VTI科技(VTI Technologies). 相似文献
236.
研究了一种适用于航空变频电网的串联混合有源电力滤波器.该滤波器由有源滤波部分和无源滤波部分构成.有源部分采用了基波电流控制策略,因而有源滤波部分可等效为对基波呈现零感抗而对谐波呈现高感抗的电感.无源滤波部分采用了电容器结构.利用有源部分的等效电感和无源部分电容的LC滤波特性,该串联混合有源电力滤波器既可实现有源电力滤波器上的基波零压降,又可实现变频电网的谐波抑制.文中给出了该LC滤波参数的设计原则.遵照LC设计原则进行的实验证明了该串联混合有源电力滤波器具有结构简单,适用频率范围宽,谐波抑制效果好等优点. 相似文献
237.
由于全球性金融危机影响,消费者购买力开始出现一定程度的下降,各别行业甚至出现长时期不生产、不经营的状态.为了尽快恢复或减小这种全球范围的经济状况,同时实现企业的发展,相关行业、部门通过制定和执行各种政策、策略来实现消费者购买行为的扩大化.本文着重从经营者,宏观调控及消费者三方面进行探讨,对其三方的行为进行分析,以期能够从中得出更有利于"三方"的方法. 相似文献
238.
239.
为研究涡轮电力分布式推进系统(Turbo-electric Distributed Propulsion system简称TeDP)设计参数的选择,基于部件法对整个TeDP系统建立设计点性能计算模型,推导了TeDP的有效功在涡轴尾喷管和风扇系统间的最佳分配关系。在此基础上,以ECO-150-300客机作为应用对象,采用差分进化算法,以设计巡航点的耗油率作为优化目标,对TeDP的循环参数进行优化选择;然后对优化后的循环参数进行分析,并将优化结果与大涵道比涡扇发动机作对比。结果表明,优化后的巡航耗油率比原系统下降了7.68%;存在最佳风扇设计压比使风扇涵道效率最高,最佳设计压比与涵道的总压损失有关;TeDP系统的耗油率对电部件传输效率、自由涡轮效率和风扇绝热效率最为敏感,当效率分别降低1.0%时,耗油率分别上升1.0%,0.94%和0.85%;与涵道比为20的齿轮传动涡扇发动机相比,当电部件传输效率大于0.95时,TeDP才显现经济优势,当电部件传输效率接近1时,TeDP耗油率下降了5.40%。 相似文献
240.
电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗,而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点,从而成为目前研究的热点,但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真,证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进,主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中,源极区域通过对源电极金属帽子下方Al2O3进行刻蚀,使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短;而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层,使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET,器件的导通电阻低至18mΩ·cm2,击穿电压高达1053V。 相似文献