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871.
模锻件流线穿流的形成原因及预防方法 总被引:1,自引:0,他引:1
徒延萍 《西安航空技术高等专科学校学报》2008,26(3):12-13
穿流是L型、U型、H型截面的模锻件容易出现的一种低倍缺陷。本文分析了产生穿流的原因,提出了避免锻件流线穿的措施。 相似文献
872.
针对单曲形蒙皮零件,建立了有限元数值模拟的离散模型和等效模型,通过对成形计算时间、垫层变形量和成形零件外形的比较,验证了等效模型的高效性和可靠性.为了消除垫层变形和板料回弹对成形精度的影响,采用有限元等效模型技术,基于位移调整法,提出了先进行板料回弹补偿再进行垫层变形补偿的模面补偿算法,并应用该算法分别对单曲形和双曲形蒙皮零件进行了拉形模面补偿分析.在得到的补偿模面上进行了单曲形和双曲形蒙皮零件成形试验,采用非接触光学测量系统进行数字化测量后,发现成形零件外形误差均在允许范围(±0.5 mm)之内,满足精度要求,验证了该模面补偿算法的有效性. 相似文献
873.
环形水射流流场的实验研究与统计分析 总被引:2,自引:0,他引:2
在11、12和15MPa射流压力下对环形自由水射流流场进行实验研究,以获得该射流场的能量特征与液滴尺寸分布规律.运用相位多普勒粒子测速(PDPA)技术对射流流场中的速度分布和液滴粒径分布进行测量,并对通过不同位置控制体的单个液滴行为进行了统计分析.研究表明:环形射流流束中心存在着较宽的高速区域,且射流能量沿着射流方向衰减缓慢;距离喷嘴的轴向距离越大,射流横断面上的速度与液滴粒径分布越平坦;射流压力对流束中心的轴向速度变化影响较大,对液滴粒径分布的影响不明显;射流流束中心区的湍流脉动较弱,但通过位于射流中心位置的控制体的液滴粒径谱较宽. 相似文献
874.
SRAM型FPGA的抗SEU方法研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错码(Error Correction Code,ECC)和擦洗(Scrubbing),提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法。在FPGA平台上对线性反馈移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,LFSR)逻辑进行软件仿真的抗SEU验证实现,将各种容错设计方法实现后获得的实验数据进行分析比较。结果表明,64阶LFSR的抗SEU容错开销与基于硬件的TMR方法相比,可以节省92%的冗余逻辑资源;与基于时间的TMR相比,附加时间延迟缩短26%。 相似文献
875.
876.
对缝隙耦合平面反射阵天线的扫描特性进行了研究,给出了以弗洛盖模求解平面反射阵反射相位的理论思路。通过模拟计算得到了缝隙耦合微带贴片单元的反射相位曲线;计算了16元平面反射阵对平面波的波束扫描特性;具体设计了30个单元的平面反射阵天线。仿真结果证明平面反射阵天线可以实现±40°波束扫描。 相似文献
877.
878.
879.
针对耦合差分器件的散射参数测量,提出了一种使用对称反射标准件的混合模式TRL(Through-Reflect-Line)校准算法.根据过渡结构的多模散射矩阵元素之间的相位关系和散射矩阵的广义互易性,消除符号模糊性并得到过渡结构的混合模式转移矩阵.该算法要求的校准标准件类似于传统的单模式TRL算法,不需要非对称结构的反射标准件产生模式转换项.利用全波仿真方法得到了包含过渡结构的校准标准件和待测件的单模散射矩阵,并使用该算法对仿真数据进行处理,得到不包含过渡结构的待测件的混合模散射矩阵.将校准结果与不包含过渡结构的待测件的全波仿真结果进行比较,其一致性表明了该算法可有效地校准线性平衡器件. 相似文献
880.