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291.
选择性激光烧结PC粉末的建模研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
建立选择性激光烧结粉末快速成形工艺过程的数值计算模型,并用于估算烧结深度.在该计算模型中,综合考虑了材料的热物性参数随温度变化的情况和激光光强分布不均匀的因素.采用有限差分方法求解烧结过程中的瞬态传热微分方程,对烧结深度进行模拟计算,结果与实验值吻合较好.  相似文献   
292.
解带有内部边界泊松方程的共轭梯度法三角预处理器   总被引:1,自引:0,他引:1  
为满足工程中对电磁问题算法器的需求,运用有限差分法,通过分析带内部边界二维泊松方程非均匀离散所得模型问题的矩阵结构,提出了用于解带内部边界泊松方程共轭梯度法的三角阵预处理器,同其他预处理器相比,使用该预处理器可较好地解决内存和计算速度的矛盾。本算法实例表明,采用本算法的算法器具有实用价值。  相似文献   
293.
研究了浆料混合法配制的真空成型5428VB双马树脂的同化动力学和粘温特性,并与传统热熔法配制的树脂体系进行了比较分析.结果表明:浆料混合法和传统热熔法配制5428VB树脂的反应级数和反应活化能等固化动力学参数基本一致,树脂配制方法的改变没有改变树脂体系的反应历程;浆料混合法配制的5428vB树脂具有良好的粘性,室温储存期可以达到3个月,而传统热熔法配制的5428VB树脂的室温储存期只有1个月,无粘性;传统热熔法和浆料法配制的5428VB树脂浇铸体的基本力学性能和耐热性一致.  相似文献   
294.
解决六方氮化硼的难烧结性,是提高其性能的关键.本文探讨了以硼粉为基体,Y2O3,、Al2O3为添加剂,在N2气氛下,反应烧结制备六方氮化硼陶瓷的工艺过程.研究结果表明,硼粉和氮气反应剧烈进行的温度区间在1 050~1 350℃,在1 550℃反应得到进一步完善.当烧结助剂的质量分数为20%,且w(Al2O3):w(Y2O3)=3:2,1 850℃保温2 h,试样有较高强度及较低气孔率,且h-BN晶粒形状大小分布均匀.  相似文献   
295.
郭英奎 《宇航材料工艺》2000,30(2):22-24,47
采用热压 (HP)法制备了不同烧结温度下Al2 O3—WC复合陶瓷材料 ,通过单边切口梁 (SENB)法和三点弯曲等力学性能方法测出了室温下该材料的力学性能 ,对Al2 O3—WC复合陶瓷表面的摩擦磨损特性进行了试验研究。结果表明 ,Al2 O3—WC复合陶瓷在 (16 0 0± 10 )℃、2 5MPa下具有较优良的力学性能和较好的耐磨性 ,并且其耐磨性与抗弯强度和断裂韧性的变化趋势相同 ,与弹性模量和硬度无单调依赖关系。  相似文献   
296.
激光烧结快速成形中的软件系统研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
详细介绍了激光烧结快速成形机的控制软件系统及其实际应用效果.该软件系统结合激光快速成形技术的工艺特点,采用了数据处理与加工控制并行处理的运行机制.  相似文献   
297.
采用多壁碳纳米管(MWCNTs)增强YAST(Y2O3-Al2O3-SiO2-TiO2)微晶玻璃中间层的方法,以期改善LAS陶瓷/C-C复合材料接头的力学性能。实验中,采用原位生成碳纳米管和直接加入碳纳米管2种方法,制备出具有不同含量碳纳米管的中间层粉体,并将这些玻璃粉体作为中间层对C/C复合材料与LAS陶瓷进行热压连接。利用SEM、XRD等测试手段对接头的断口形貌、断口的物相组成进行了分析。研究结果表明,原位生成的碳纳米管在微晶玻璃基体中具有更好的分散性,其中间层断面具有明显的碳纳米管拔出现象,且无明显的贯穿性裂纹,其接头的平均剪切强度达到26.07 MPa。  相似文献   
298.
以Ti,Al和活性炭粉为主要原料,利用高能球磨及热压烧结工艺在1200℃合成Al2O3/Ti3AlC2复合材料,复合材料是在Ti3AlC2层状材料的制备过程中同时被合成。研究了在Ti-Al-C体系中,烧结温度对反应产物的影响,并重点分析了反应机理及材料微观结构对性能的影响。结果表明:通过高能球磨使的Ti3AlC2的烧结温度降低,在1200℃热压烧结时得到了物相比较均匀的、致密的Al2O3/Ti3AlC2复合材料;通过XRD,DSC和SEM测试,分析了Al2O3/Ti3AlC2复合材料的相组成及显微结构,发现Al2O3以颗粒形式均匀地分布在Ti3AlC2基体中,起到弥散增强的效果,并通过阻碍Ti3AlC2表面微裂纹的扩展使裂纹在断裂扩展过程中中断,起到微裂纹增韧效果,大大提高了复合材料的力学性能。  相似文献   
299.
300.
目前工业发达国家的工程陶瓷应用技术发展迅速,烧结方法是发展工程陶瓷技术的关键之一。本文在简单列举了几种普通烧结方法的同时,着重叙述了等离子烧结法和高压自燃烧结法。  相似文献   
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