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101.
本文通过分析聚苯乙烯粉末激光烧结成型机理,探索其烧结收缩产生的原因并研究降低试样收缩率的方法。结果表明,添加无机填料可提高苯乙烯粉末激光烧结性能,而且,多种填料同时添加,效果更明显。 相似文献
102.
超微粉(AlN+Al)的添加对AlN的烧结和导热的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
将混合超微粉(AlN+Al)添加到AlN细粉中,在不同温度下进行了常压烧结试验,测定了烧结体的导热系数,进行了X射线衍射分析和电镜观察,结果表明,当烧结温度≤2023K时,超微粉的添加使AlN的烧结密度和导热率提高,当烧结温度升至2123K时,超微粉的添加反而引起AlN的烧结密度和导热率的下降,讨论了超微粉对AlN的烧结和导热的作用条件和机理。 相似文献
103.
针对选择性激光烧结(selective laser sintering,SLS)翘曲变形问题,阐述了翘曲变形产生机理,得出主要原因为温度场分布不均匀和烧结层强度不足,确定了预热温度控制和添加工艺支撑两种翘曲变形抑制措施。以悬臂试样为研究对象,设计正交实验,建立了悬臂结构的预热温度与翘曲变形率的二次多元回归模型,确定了合理预热温度工艺参数,结合产品结构特点,基于Magics软件开展了某型液体火箭发动机叶轮工艺支撑设计。结果表明:悬臂试样翘曲变形由6. 13%降低至0. 5%,产品翘曲变形率由10. 31%降低至1. 80%,较改进前降低了82. 5%,解决了烧结翘曲变形问题。 相似文献
104.
采用等离子脉冲烧结(SPS)进行了多孔铝块体材料的制备。结果表明采用该方法在350℃时可以制备出结构与尺寸可控性好、粉体颗粒无明显长大、孔隙率(54.07%)较高的多孔金属铝块体材料。该制备方法对于开孔性与颗粒连接性要求较高的多孔金属材料具有较高的技术优势。 相似文献
105.
空间用反应烧结碳化硅反射镜坯体制备技术研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用凝胶注模(gel-casting)成型工艺并结合一种先进的消失模技术, 制备了具有各种不同轻量化结构形式的碳化硅(SiC)陶瓷素坯, 目前制备的背部半封闭素坯最大尺寸为1080 mm×820 mm; 素坯经过脱模、干燥、脱脂和反应烧结等, 可得到空间用SiC反射镜坯体. 对反应烧结碳化硅(RB-SiC)反射镜坯体的表面进行了光学加工, 并且测试了其各项性能. 结果表明, 所制备的RB-SiC陶瓷内部结构均匀致密; 力学性能和热学性能优异, 弹性模量、抗弯强度、断裂韧性和热膨胀系数分别达到了330 GPa, 340 MPa, 4.0 MPa•m1/2和2.6×10-6 K-1; 镜体经抛光后的表面粗糙度RMS值优于3 nm, 可作为空间用反射镜的候选材料. 相似文献
106.
本文扼要地介绍了碳化硅陶瓷材料的概况和一般特性,并通过两种不同尺寸、不同工作条件的固体火箭发动机的试验研究,阐述了采用两种烧结工艺的碳化硅陶瓷作为喉衬材料,在固体火箭发动机上的应用情况,为该材料的推广应用提供了依据。 相似文献
107.
采用粘结剂喷射成形与粉末烧结技术相结合制备多孔Inconel 625合金制品,研究了烧结温度对多孔试样的孔隙率、气孔特征、微观结构、烧结颈和拉伸性能的影响。首先采用粘结剂喷射成形技术制备生坯,然后进行脱脂烧结得到多孔试样,通过光学显微镜、扫描电镜对金相和拉伸断口形貌进行表征,对气孔特征、微观结构和烧结行为进行分析,利用阿基米德排水法和拉伸试验分别对孔隙率和力学性能进行表征。试验结果表明,烧结温度由1150℃升高至1280℃,烧结制品的孔隙率由24.8%降低至8.63%,抗拉强度由316 MPa提高至515 MPa,在1250℃烧结时可获得最佳综合性能,孔隙率为17.16%,拉伸强度达到451 MPa。该方法为多孔材料的制备提供了新思路,并为粘结剂喷射成形Inconel 625多孔材料,烧结温度对孔隙结构和力学性能的影响规律提供了参考。 相似文献
108.
109.
传统的陶瓷烧结一般需要1000℃以上的高温,烧结周期长、能耗高。高温会对界面控制、物相稳定、材料共烧等产生不利影响,因此,很难以聚合物为填料实现陶瓷–聚合物复合材料的共烧。冷烧结技术通过引入中间液相溶解–沉淀过程,实现了在≤300℃时陶瓷的快速致密化,有效解决了陶瓷与聚合物的共烧问题。从冷烧结技术的发展概况出发,介绍了冷烧结工艺及致密化机制,详细阐述了冷烧结技术在陶瓷–聚合物复合材料中的应用及发展情况,包括微波介质材料、铁电材料、锂离子电池、压敏材料、半导体材料和热电材料,并分析了冷烧结技术目前待解决的问题,对冷烧结技术的未来发展做出展望。 相似文献
110.
基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响.结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1 680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1 730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降. 相似文献