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11.
氰酸酯树脂的发展概况 总被引:12,自引:0,他引:12
扼要从氰酸酯树脂的固化反应、改性途径和商品化氨酸酯树脂的特点等几方面介绍了国外近年来氰酸酯树脂的发展概况。氰酸酯树脂可作为航空高性能透波材料和结构复合材料的基体树脂使用。 相似文献
12.
13.
14.
15.
陈曼华%陈朝辉%肖安 《宇航材料工艺》2005,35(3):28-30
以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响。结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重。合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响。当升温速率为30℃/min、氮气流量为80mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值。 相似文献
16.
湍流燃烧模型对氢燃料超燃室流场模拟的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用化学平衡的假定概率密度函数(PDF)模型和火焰面模型计算了德国宇航研究中心的超燃室反应流,计算结果与有限速率反应模型的和实验的结果进行了对比.使用有限体积法离散Favre平均的N-S方程,湍流模型采用k-ε模型.研究表明:(1)有限速率反应模型在喷氢孔近场,化学平衡的假定PDF模型在喷氢孔远场不能准确捕捉流场的细致结构,而火焰面模型对全流场预测较好,后两种模型的计算时间较有限速率反应模型节省约38%;(2)超燃室内湍流和燃烧相互作用不可忽略,从预测精度和计算效率来看,火焰面模型有较好的工程应用前景. 相似文献
17.
超临界压力下RP-3航空煤油吸热裂解反应的数值研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为深入理解主动冷却过程中碳氢燃料的超临界吸热裂解特性,采用RP-3航空煤油的四组分替代模型、包含18种组分和24步反应的改进Kumar-Kunzru裂解反应动力学模型,对压力为5MPa时管道内RP-3的吸热裂解反应过程进行了数值模拟,研究了裂解反应对燃料物性和传热特性的影响,以及裂解率较高时二次反应对RP-3裂解的影响。结果表明:温度达到890K时,RP-3的裂解率超过20%,其中芳烃占裂解产物的12.1%;RP-3裂解后燃料物性显著变化,管道出口壁温和燃料温度分别降低了130K和129K,努塞尔数提高了16.5%,传热效率显著提高;裂解率较高时二次反应对RP-3裂解的影响较大,相比不考虑二次反应的状态,带二次反应时RP-3裂解率减小了29.1%,管道出口壁温和燃料温度分别降低了34K和22K。 相似文献
18.
以Gd2O3和正硅酸乙酯(TEOS)为原材料,采用并流化学共沉淀法合成Gd2SiO5粉体材料。研究Gd2SiO5前驱体的热响应特征、Gd2SiO5粉体的物相组成和微观形貌,并对Gd2SiO5粉体的合成机理进行初步探讨。结果表明:前驱体的低Gd/Si摩尔比和反应体系的高pH值会导致Gd2SiO5粉体生成Gd9.33(SiO4)6O2杂质相,相反则会导致生成Gd2O3杂质相。当Gd/Si摩尔比为20∶11、pH值为9~10、合成温度为1000~1300℃时,合成的粉体纯度较高,Gd2SiO5颗粒呈不规则形貌特征,平均粒度为100~200 nm。Gd2SiO5合成过程中,前驱体以一种—[Si—O—Gd]—网络结构存在,在煅烧过程中逐渐转化为Gd2SiO5晶体以及Gd9.33(SiO4)6O2和Gd2O3杂相。 相似文献
19.
针对极性差异较大的叠氮推进剂和丁羟衬层界面粘接体系,采用红外光谱及二维相关光谱分析、凝胶含量、粘接性能测试等方法研究了三种炔基化合物的引入对其界面粘接性能的改善效果。结果表明,在丁羟衬层中引入三种不同分子结构的炔基化合物AC-1,AC-2和AC-3均可提高叠氮推进剂/丁羟衬层的界面粘接强度,当AC-1,AC-2和AC-3的炔基参数RA分别为0.097~0.127、0.051和0.097~0.141时,叠氮推进剂/丁羟衬层界面粘接的剥离强度可分别提高约80%,40%和70%。 相似文献
20.
在DD6单晶高温合金基体上,利用电子束物理气相沉积(EB-PVD)技术制备Ni Co Cr Al Y涂层,采用低压等离子喷涂(LPPS)技术制备Ni Co Cr Al YHf Si涂层,通过扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、电子探针显微分析(EPMA)等手段研究了在1100℃下的热循环氧化和互扩散行为。结果表明,涂层显著提高了DD6基体的抗氧化能力,经100h的循环氧化后,涂层表面氧化层主要成分仍为α-Al2O3,依然发挥着较好的抗氧化保护作用。这两种涂层与基体之间形成了互扩散区(IDZ)和二次反应区(SRZ),IDZ和SRZ的厚度均随着循环氧化时间延长而增大;SRZ中析出的棒状与颗粒状的拓扑密堆相(TCP)含有W、Re、Mo等高熔点元素,其质量分数分别高达37.51%、14.22%和10.61%,TCP含量随着氧化时间而增多。活性元素Si、Hf对涂层中富Cr相和TGO的增长速率均有一定的抑制作用。 相似文献