巡航导弹成像器稳定装置H2/H∞混合最优PID控制器设计

本文针对某巡航导弹成像器稳定装置同时在鲁棒稳定性和系统性能有着很高要求的特点,采用H2/H∞混合优化的设计方法设计了H2/H∞混合最优PID控制器.仿真和实验结果表明采用该设计方法设计的巡航导弹成像器稳定装置满足性能要求,而且比采用H∞优化设计的方法具有更小的保守性和简单易实现的控制器形式.     

一种嵌入式导航系统的研究与实现

导航控制系统通过对各导航传感器的数据分析 ,并根据一定的导航控制规律和预定航线解算出飞行控制参量 ,输出给直升机自动驾驶仪 ,使直升机按预定航线飞行。文中介绍一种无人直升机上的嵌入式导航系统 ,并针对其可靠性、实时性的要求详细论述此嵌入式系统的关键技术设计思想。     

碳/环氧复合材料支承筒的研制

根据卫星天线系统的主要构件之一——碳/环氧复合材料支承筒的研究概况,着重阐述选材和材料特性试验、铺层设计、成型工艺研究及制品的性能试验等。研制成功的碳/环氧复合材料支承筒通过一系列的地面环模试验,取得比较满意的结果。     

HDLC/SDLC通信接口板的硬件设计

本文主要讨论论8273HDLC规程控制器与CPU的接口设计分析了两种不同的DMA方式设计思路描述了IBMPC/AT机用HDLC通信接口板的具体实现。     

C波段宽频带3dB微带交指耦合器

文中利用奇、偶模分析法，对所设计的Ｃ波段３ｄＢ微带交指耦合器进行了理论分析；用灵敏度分析法讨论了制造公差对该耦合器性能造成的实验误差。结果表明；在微波复合介质基片、上研制Ｃ波段３ｄＢ交指耦合器，只要妥善控制制造公差，同样能实现其宽频带性能．     

磁控管大功率测量装置的研制

介绍了一种采用定向耦合器加小功率计测量高频大功率的装置，装置由测量头和控制器两大部分组成。被测信号被分别耦合到功率座和波长表上，经8031单片机计算出实际信号。该装置可以较好地满足3cm系列磁控管及雷达发射机高频脉冲大功率平均值的测量要求，与水负载大功率计比较具有重量轻、使用方便、数字显示、准确度高等优点，具有较高的社会和经济效益。     

飞月轨道引力捕获设计方法研究

利用太阳引力摄动与月球绕飞设计的地月转移轨道（飞月轨道），与霍曼转移相比，虽然飞行时间较长（约三、四个月），但可显著节省速度增量（可达１５０米／秒），对无人月球探测器尤为适合。应用平面圆型限制性四体问题动力学模型，选择从月球出发的初始条件。借助“地心距－时间曲线”，从平面圆型限制性四体问题转换为一般的限制性四体问题。通过典型模拟计算，分析负向积分（从月球轨道出发）初始轨道参数及太阳方位对月球探测器     

一种进气道内激波/边界层干扰控制的新方法及其流动机理

针对高超声速进气道内经常存在的激波/边界层干扰现象,提出了一种基于可变形壁面鼓包的激波/边界层干扰控制概念,并对相关流动机理及参数影响规律进行了细致研究,结果表明：可变形鼓包通过其迎风侧的预增压作用,外凸段膨胀波束对反射激波的削弱作用,以及膨胀波束对边界层气流的加速作用来对激波/边界层干扰现象进行抑制;当激波入射点位于鼓包背风侧膨胀波区时,鼓包对边界层分离的抑制效果明显,并且适当增加鼓包高度可增加其抑制效果;对于鼓包迎风侧型线,在设计时应尽量采用较小的内凹段曲率,同时在外凸段上其最大曲率点应尽量与激波入射点靠拢,而对于背风侧型线的设计则应选择相近的外凸段和内凹段曲率较为合适。     

挠性航天器混合H2/H∞输出反馈姿态控制（英文）

研究一类带有挠性附件的航天器的H2/H∞输出反馈姿态控制问题,所涉及的挠性航天器由刚性本体和挠性附件构成。由于挠性附件的振动和航天器本体姿态运动的耦合,再加之振动模态难以测量,对挠性航天器的姿态控制带来困难。针对该问题提出了基于H2/H∞理论的动态输出反馈控制器设计方法。动态输出反馈在模态变量不能测量的前提下也能有效控制航天器本体姿态,而H∞控制器具有很好的抗干扰能力,能有效抑制空间环境干扰力矩和模型不确定性对控制系统稳定性的影响。和纯H∞输出反馈控制算法相比,基于H2/H∞的设计同时提高系统的动态性能。数值仿真验证了所设计的控制方法对挠性航天器具有很好的姿态控制效果。     

三维针刺C/C-SiC复合材料的烧蚀性能

采用"化学气相渗透+先驱体浸渍裂解"(CVI+PIP)混合工艺,制备了三维针刺C/C-SiC复合材料,使用氧气流量和乙炔流量之比为2∶1的氧乙炔焰,研究了复合材料的烧蚀性能,烧蚀时间长达600 s;分别用扫描电镜和表面能谱,分析了烧蚀表面的形貌和成分。结果表明,复合材料的线烧蚀率和质量烧蚀率的平均值分别是0.004 3 mm/s和0.001 4 g/s。烧蚀表面不同区域微观形貌和烧蚀机理不同,烧蚀中心以基体氧化流失、C纤维的氧化以及气流冲刷为主;在过渡区域,烧蚀是以SiC基体的氧化和气流冲刷为主;烧蚀边缘则以SiC基体的热氧化为主。C/C-SiC复合材料在氧-乙炔条件下的烧蚀机制是热化学烧蚀、热物理烧蚀和机械冲刷的综合作用。