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211.
热声载荷下薄壁开孔结构振动响应与寿命预估   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
金属薄壁开孔结构在强热声载荷下,表现出大挠度强非线性响应特性,疲劳寿命缩短。基于时域的基础上,利用有限元法(FEM)结合降阶模态法(ROM)获取4边固支开孔薄板在不同热、声载荷组合下的位移和应力的动态响应,并进行响应时间历程和功率谱(PSD)的统计分析。采用雨流计数法和Morrow平均应力模型,结合Miner线性累积损伤理论对结构进行疲劳寿命的预估和分析。结果表明:屈曲后的位移响应由热声载荷的相对强弱决定。此外,屈曲前结构随热、声载荷的增加,寿命缩短。屈曲后,持续跳变使得结构的寿命缩至最短;进入间歇跳变区域,间歇时间短的跳变要比间歇时间长的跳变造成的结构损伤大,即快频跳变引起的损伤更大。跳变结束后,随着温度的升高,寿命先延长后缩短。  相似文献   
212.
涡轮叶片尾缘复合通道的换热   总被引:2,自引:2,他引:2  
采用热色液晶测温法,测量了涡轮叶片尾缘带隔板的复合通道的温度场,分析了射流冲击强化扰流柱通道内换热的机理,讨论了两通道间隔板的不同开孔结构对换热的影响.从工程应用的角度出发提出了几个换热评价指标,对不同开孔结构的隔板进行了换热评价.结果表明:冷气由第1通道进入,通过隔板上的孔不断由径向流动变为弦向流动后,对第2通道的扰流柱区形成冲击,最后由劈缝排出,提高了尾缘的换热;开孔均匀的隔板换热效果相对较好.  相似文献   
213.
214.
针对起落架产品涉及到的典型深孔及型腔,通过归纳和总结,并以具体实例的形式进行了说明,对于大型结构深孔及型腔的加工,提高表面质量和效率,具有非常重要的参考价值.  相似文献   
215.
主燃孔对旋流杯下游流场的影响   总被引:9,自引:2,他引:9       下载免费PDF全文
郎洪俭  郭志辉  黄勇 《推进技术》2006,27(2):110-113
采用PDA(Phase Doppler Analyzer)测量系统对带双轴向旋流杯、主燃孔和冷却气流的模型燃烧室的主燃区流场(以下简称真实结构)进行了实验研究,测量了燃烧室内流场的特性,并与不带主燃孔和冷却气流的头部旋流杯(以下简称纯头部结构)的气流场进行了对比.发现真实结构燃烧室内的回流区不再是轴对称,主燃孔和二次气流的存在使回流区明显被压扁(最扁处的长轴约为短轴的1.6倍);真实结构的回流区长度明显缩短,其长度L与旋流杯出口直径D的比值(L/D)约为1.3,而纯头部结构的L/D约为2.5.  相似文献   
216.
钛合金零件小直径螺纹孔的加工是生产中的一个难点。本文介绍用55°牙型角丝锥加工60°牙型角钛合金螺纹孔的原理、丝锥的设计以及钛合金零件螺纹孔的加工效果。  相似文献   
217.
快速控制反应镜(以下简称快反镜)是光电精密跟踪系统中必不可少的组成部分,在消费电子、医疗、天文望远镜、激光通信等领域中有着广泛应用。基于硅基微电子机械系统(micro-electromechanical system, MEMS,)工艺制作微型快反镜,对于实现快反镜和跟踪系统的小型化、轻量化有重要意义。陈述了一款硅基快反镜的结构设计、工艺选择以及制作攻关过程。通过加工便利性、加工精度、加工可靠性与制作成本的综合分析比较,确定了MEMS深硅刻蚀工艺制作小型化快反镜可动结构技术思路。快反镜的制作中,通过“化面为线”的版图优化减少刻蚀面积解决了深硅刻蚀不匀问题,通过清洗方法的对比和择优解决了反射镜面表面清洁度问题,通过改变金属化方法解决了镜面的面形精度控制问题。测试结果表明,此款基于硅基MEMS工艺的小型化快反镜满足了设计和应用需求。  相似文献   
218.
本文主要研究了碳纤维织物增强复合材料的纤维体积含量V_f对开孔层压板的抗拉强度σ、断裂伸长率ε的影响。采用T300碳纤维平纹织物为增强材料,经树脂传递模塑法(RTM工艺)复合而成T300/环氧TDE-85层压板,用岛津强力测试机进行拉伸性能测试。  相似文献   
219.
铍的激光深熔焊工艺及显微组织   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为了提高铍激光焊接的熔深,对其焊接工艺进行了探索.以Nd:YAG激光作为热源,用AlSi12为钎料.采用SEM、EDS分析等手段研究了接头的显微组织、成分分布,分析了铍激光深熔焊的裂纹产生机理.研究表明:通过优化焊接工艺参数,实现铍的激光深熔焊可能性较大.  相似文献   
220.
对高强度辐射场(HIRF)环境特点与干扰类型进行分析,采用理论计算、计算机仿真技术(CST)的仿真分析及实测等方法分别对某型飞机航空电子系统综合显示单元的外部强电磁辐射场孔缝耦合、场线耦合及芯片前端电路影响关键芯片的相关规律进行了研究,给出了相关设计建议。结果表明,可通过分析孔缝、场线耦合获得进入关键芯片前端电路的电磁干扰能量,再结合关键芯片前端电路网络对干扰的插入损耗分析,获得关键芯片在外部强场激励下的感应电压。  相似文献   
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