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51.
密封汽流激振严重影响超超临界汽轮机的安全运行,采用DEFINE_CG_MOTION和DEFINE_PROFILE控制宏建立转子的涡动方程,通过Workbench流固耦合方法计算热、动载荷下密封齿形变,根据快速傅里叶变化得到机组运行时的密封动力特性,并对转子稳定性进行分析。结果表明:蒸汽可导致密封齿膨胀变形,温度对密封齿长度变化影响可达1%~1.5%,压力和离心作用对其影响较小。热、动载荷使迷宫密封直接刚度减小,直接阻尼先增加后减小,交叉刚度先减小后增加,动力系数的最大变化为原来的2倍。35~55 Hz内转子稳定裕度急剧下降,转子对密封汽流激振更敏感。热、动载荷引起的压力波动集中在低频范围,密封周向压力波动可增高18.5 kPa。密封高压区的压力波幅剧增是汽流激振显著的主要原因。   相似文献   
52.
对涡轮流量计关键部件之一前导流件运用NX THERMAL/FLOW进行有限元计算分析,得出流量分离导致的大涡旋尾迹区易出现在前导流件尾部区域、前导流件叶片形状对此处流体速度变化具有较大影响的结论,为涡轮流量计和前导流件的设计提供了理论依据。  相似文献   
53.
某型装备维护过程中发现燃气发生器装药包覆层与壳体之间原固态黑色胶粘剂由固态变化为液态流出,存在安全隐患。通过开展燃气发生器装药流胶故障的研究,分析流胶的原因及危害,制定了修复措施,消除了流胶导致的安全隐患,确保了燃气发生器装药完好性。  相似文献   
54.
 <正> 1.引言 为提高跨音速差分计算效率,人们在计算格式的设计、改进方面做了大量的工作,并取得了可喜的成就。并行计算机的出现和发展,使我们有可能进一步提高计算效率。第9期阂赛金等:旋成体零攻角纵向大扰动势流的人F一2迭代及其并行算法A弓n因为并行处理机具有处理数据能力强、计算效益高的特点,但这种机器必须结合具体问题和机器特点加以考虑才能发挥其优势。目前,利用我国设计的“YH一1”(“银河一1”)亿次并行处理机,开展跨音速差分计算的并行算法研究具有理论和运用上的重要意义  相似文献   
55.
离心泵叶轮内含颗粒的幂律流体的密相两相湍流研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
阐述了幂律流体控制方程的特点,首先对单相的幂律流体与密相液固两相流进行了计算,计算结果与实验数据吻合较好。其次对泵离心叶轮内的含颗粒的幂律流体的两相流动进行了计算,从进口到出口,幂律流体的速度是减小的,压力随半径增大逐渐升高,而且压力面上的压力大于吸力面上的压力。吸力面上的颗粒拟温度小于压力面上的颗粒拟温度,而且靠近壁面处的大于叶道中的。最后比较了液固两相流与含颗粒的幂律流体的两相流的流动。流体相的紊动能有一定的差别,而且颗粒拟温度也有较大差别。  相似文献   
56.
基于级联技术的新型航空静止变流器的效率主要取决于其直流变换环节,针对低压大电流应用,推挽正激变换器具有防止开关管的电压尖峰和抑制变压器偏磁等特点,本文详细分析了推挽正激变换器的工作原理,对比研究了该变换器的三种次级整流结构,比较了各自的优缺点。实验表明,采用全波整流的推挽正激变换器效率可以达到89%以上,为新型航空静止变流器效率超过85%奠定了基础。  相似文献   
57.
反射端声压级高于140dB以后驻波管中的声流结构会发生明显变化。利用流动显示和LDV(Laser Doppler Velocimetry)技术对该问题进行了实验研究。流动显示结果表明,在160dB左右的高强驻波声场中随着旋涡结构的合并、破裂等现象的出现,声致流力有明显的湍流特性。LDV测量结果显示,随着驻波管中声压级的提高,一些测点的速度频谱明显加宽,出现高频速度脉动,而另一些点的速度频谱则没有显著变化。径向湍流强度测量结果显示,此时管中流动已是复杂的三维结构,而非轴对称的二维结构。  相似文献   
58.
在大气边界层风洞内采用高速CMOS相机记录了时均风速线性上升的来流条件下运动沙粒的图像。根据二进制图像标记像素的连通性,从数字图像中提取相机拍摄区域内沙粒的数量N,由此计算得到风沙流的瞬时含沙量C。获取图像的同时,使用恒温式热线风速仪MiniCTA配合55R49热膜探头测量观测域上方主流位置和跃移层顶部附近的风速变化。实验结果表明,风沙流中的瞬时含沙量总是非稳定的,其变化频率至少在100Hz以上。风沙之间的相互作用存在一定的滞后效应,大气湍流脉动对含沙量的作用与沙粒粒径相关,粒径越小,风速脉动作用越大。当粒径≤160μm时,风速的微小变化即可引起含沙量的明显波动,二者高度相关。当粒径较大的时候,如300~500μm,只有较长时间较大幅度的风速脉动才能使含沙量有较大幅度的变化,研究时均风速变化对含沙量的影响更具有意义。  相似文献   
59.
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/cm2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。  相似文献   
60.
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